串行512Kb FRAM

FM25V05是512Kb、2．0～3．6V、具有串行外设接口（SPI）的非易失性RAM,采用8引脚SOIC封装,特点包括快速访问、无延迟（NoDelay）写入、1E14读／写次数和低功耗。FM25V05可代替工业控制、仪表、医疗、汽车、军事、游戏、计算机及其他应用领域的串行闪存和串行EEPROM存储器。     

高功效512Kb／1Mb串口FRAM

512Kb FM24V05和1Mb FM24V10是2．0-3．6V的串口非易失性RAM,采用8引脚SOIC封装,使用双线（I^2C）协议。这两款器件的特点包括快速访问、无延迟写入、几乎无限的读／写次数及低功耗,是工业控制、仪表、医疗、军事、游戏、计算机及其他应用领域的串口闪存和串口EEPROM存储器的普适型替代产品。     

车用16Kb 3V串行FRAM

FM24CL16的16Kb、3V串行FRAM存储器的汽车级认证型号能达到AEC—Q100标准的要求。FM24CL16是具有工业标准2线接口的16Kb非易失性RAM，与相应的EEPROM器件引脚兼容，但性能更佳，能以高达1MHz的总线速度进行读和写操作，兼且具有几乎无限的耐久性、45年的数据保存能力和低功耗的特点。     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

ＦＲＡＭ是一种新型非易失性存储器，这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制，本文介绍其基本工作原理和结构及其特点，并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

25XX1024：1Mb串行EEPROM

Microchip推出快速（20MHz）的1Mb串行EEPROM器件25AA1024及25LC1024（25XX1024）。同时还推出了25AA128、25LC128、25AA512及25LC512（25XX128，512）等多款128kb和512kb串行EEPROM器件，涵盖整个串行外设接口（SPI）存储密度范围（1kb至1Mb）。     

4Mb非易失性FRAM存储器——结合了德州仪器的130nm工艺和Ramtron先进的FRAM单元架构

FM22L16是采用44引脚TSOP封装的3V并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读／写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM（SRAM）在引脚上兼容，适合于工业控制系统应用，如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机和自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。     

存储器

用于车载环境下使用SPI接口的EEPROM;非易失性状态保存器系列;1Mb串行EEPROM产品线     

Saifun推出业界首个2Mb串行E^2PROM

非易失性存储技术及元件供应商Saifun Semiconductors公司日前宣布推出SA25C020 2Mb SPI E^2PROM，以进一步扩展其高密度E^2PROM产品系列。据介绍，这款2Mb串行E^2PROM是业界首个采用小型SO8封装的低功耗高性能器件。该公司的串行EEPROM产品专为需要高耐用性和低功耗应用而设计的非易失性存储方案。     

超小型封装EEPROM存储器问世

意法半导体（ST）日前推出两款工作电压为1．8V的512kbit EEPROM存储器，这两款器件都采用TSSOP8封装，用于智能接口控制器和串行外设接口总线应用。     

Ramtron推出业界首个4Mb非易失性FRAM存储器

世界项尖的非易失性铁电存储器（FRAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Intemadonal Corporation宣布推出半导体业界首个4Mb FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的4倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封（TSOP）的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读／写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM（SRAM）在管脚上兼容，适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。FM22L16以德州仪器先进的130nmCMOS制造工艺为基础，在标准CMOS逻辑工艺内嵌入非易失性FRAM模块时仅增加了两个掩模步骤。[第一段]     

富士通和爱普生将联合开发下一代FRAM非易失性存储器技术

富士通公司和精工爱普生公司近日宣布，双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）非易失性存储器技术。     

Ramtron推出首款2兆位串行F-RAM存储器

Ramtron International Corporation日前推出业界首款2兆位串行F-RAM存储器FM25H20,它采用130nmCMOS工艺生产,是高密度的非易失性F-RAM存储器,以低功耗操作,并备有高速串行外设接口。该3V、2Mb串行F-RAM器件以最大的总线速度写入,具有几乎无限的耐用性,通过微型封装提供更大的数据采集能力,使系统设计人员能够在计量和打印机等高级应用中减少成本和板卡空间。     

Ramtron新添F-RAM器件FM25V05

Ramtron International公司推出F—RAM系列产品中的第二款串行器件FM25V05,提供高速读／写性能、低电压工作和可选器件特性。FM25V05是512Kb、2．0V～3．6V及具有串行外设接口的非易失性RAM,特点包括快速访问、无延迟写入、1E14读／写次数和低功耗,是工业控制、仪表、医疗、汽车等应用领域的串行闪存和串行EEPROM存储器的理想替代产品。     

非易失性RMA将取代SRAM和NOR闪存

FRAM（铁电存储器）、MRAM（磁阻存储器）和PRAM（相变存储器）等非易失性RAM相继上市，它们兼具DRAM和SRAM的高速性以及闪存和EEPROM的非易失性（见图1）。这类存储器产品的写入时间很短，     

Ramtron速度更快功率更灵活1Mb并行F—RAM

Ramtron推出全新并行和串行F—RAM系列中的首款并行产品,提供更高速的读／写性能、更低的工作电压和可选器件的特性。Ramtron的V系列F—RAM产品中的最新器件FM28V100,是1兆位（Mb）、2．0-3．6V的并行非易失性RAM,采用32脚TSOP—I封装,具备快速访问、无延迟（NoDelay）写入、几乎无限的读写次数和低功耗特性。FM28V100是工业控制、仪表、医疗、汽车、军事、游戏、计算机及其它应用领域中,由1Mb电池支持SRAM存储器升级的理想产品。     

Saifun推出业界首个2Mb串行EEPROM

Saifun Sem iconductors进一步扩展其高密度EEPR O M产品系列的阵容,推出全新SA25C0202M B SPI EEPR O M,是业界首个结合小型SO8封装、低功耗和高性能特点的器件。Saifun的串行EEPR O M产品专为需要高耐用性和低功耗的应用而设计和测试,针对持续可靠的非挥发性存储方案。2MEEPR O M推出的价位接近闪存,加上其节省空间的封装形式,将有助于新应用的实现,如硬盘、光盘(包括D V D)、机顶盒、打印机、游戏卡以及无线产品。2M B SA25C020器件的高性能特性包括25M H z时钟速度,结合待机功耗为1μA IC C typ的低功耗,并采用业…     

FM22LD16：4M并行非易失性F-RAM存储器

Romtron推出采用精简的FBGA封装的4MF-RAM存储器FM22LD16。FM22LD16是一个容量为4M、3V工作电压的并行非易失性RAM，采用48脚球状矩阵排列（FBGA）封装，具有陕速存取、无限次读写周期和低功耗特性。     

Ramtron推出32Kb器件扩展 F-RAM串口存储器产品线

Ramtron宣布推出FM24CL32,提供具高速读／写性能．低电压运行．以及出色的数据保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb非易失性存储器．工作电压为2．7V～3．6V．采用8脚SOIC封装,使用二线制（I2C）协议;     

1MHz串行EEPROM

1MHz双线串行总线EEPROM存储器芯片的存储密度分别为256Kb、512Kb和1Mb，兼容I^2C Fast—Mode—Puls模式，数据速率可达I^2C Fast—Mode的2．5倍。工作频率为1MHZ，M24M01-HR完成1Mb的数据处理只需1s；256Kb的M24256-BHR只需1／4s；512Kb的M24512-HR完成数据处理只需半秒钟。     

RAMTRON宣布为4兆位并口非易失性F-RAM存储器提供FBGA封装选择

全球领先的非易失性铁电随机存取存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA封装的49 Mb F—RAM存储器。FM22LD16是采用48脚FBGA封装的3V、4Mb并口非易失性FRAM,具有高访问速度、几乎无限的读／写次数以及低功耗等优点。