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Bi4Ti3O12栅Si基铁电场效应晶体管特性研究 总被引:3,自引:1,他引:3
王华 《固体电子学研究与进展》2004,24(2):159-163,222
采用溶胶 -凝胶工艺制备了 Si基 Ag/Bi4 Ti3O1 2 栅铁电场效应晶体管。研究了 Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜厚度、栅宽 /长比等器件结构参数对性能的影响。研究表明 :铁电场效应晶体管的阈值电压、击穿场强和剩余极化等并不随 Bi4 Ti3O1 2 薄膜厚度的增加而线性变化 ,跨导和漏 -源电流在不同的栅宽 /长比范围变化趋势不同 ,当Bi4 Ti3O1 2 厚度为 2 0 0~ 40 0 nm、Wg/Lg 取 1~ 2时 ,器件可获得较好的综合性能 ,不同栅压变化过程的 Isd-Vsd特性曲线并不重合 ,表明该器件具有源于铁电薄膜极化的场效应特性。 相似文献
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PZT铁电场效应晶体管电学性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用磁控溅射法制备了(111)向择优的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜,并结合半导体集成技术制备了金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的n沟道铁电场效应晶体管.研究了铁电场效应晶体管的C-V特性、I-V特性以及写入速度.顺时针的C-V滞回曲线和逆时针的Id-Vg滞回曲线表明,n沟道PZT铁电场效应晶体管具有极化存储性能和明显的栅极化调制效应,并且在-5V到 5V的Vg电压下从C-V和Id-Vg滞回曲线中都得到了2V的存储窗口. 相似文献
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PZT铁电场效应晶体管电学性能 总被引:2,自引:0,他引:2
采用磁控溅射法制备了(111)向择优的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜,并结合半导体集成技术制备了金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的n沟道铁电场效应晶体管.研究了铁电场效应晶体管的C-V特性、I-V特性以及写入速度.顺时针的C-V滞回曲线和逆时针的Id-Vg滞回曲线表明,n沟道PZT铁电场效应晶体管具有极化存储性能和明显的栅极化调制效应,并且在-5V到+5V的Vg电压下从C-V和Id-Vg滞回曲线中都得到了2V的存储窗口. 相似文献
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应用于硬件安全领域的多态电路对于除金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)外的新器件的研究较少,往往只有少数几个设计实例,缺乏一般化的研究方法和多态门设计平台。面向铁电场效应晶体管(FeFET)器件,该文提出一种多态门设计方法。该方法利用免疫算法,将基于FeFET的多态门电路生成问题归结为生物代际演化过程。该文利用C++语言平台和Hspice仿真工具实现了完整的FeFET多态门设计算法,结合具体的工艺和电路模型搭建了多态门的设计平台。实验结果表明,该设计方法可有效地生成出基于FeFET的多态电路,其所生成的多态门电路可实现温度、电源电压和外部信号多种控制方式。 相似文献
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叙述了Bi4Ti3O12材料的结构、性质和制备方法,并对Bi4Ti3O12铁电薄膜的研究现状和应用前景作了简单分析。 相似文献
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用MOCVD和快速热处理工艺制备钛酸铋铁电薄膜 总被引:2,自引:0,他引:2
采用MOCVD工艺,制备非晶态Bi4Ti3O12薄膜,然后经过快速退火处理,制备高度择优取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜,运用X射线衍射术分析薄膜材料的结构,X射线显微分析仪测量薄膜材料的组份,并通过电滞回线的测量,研究快速退火对Bi4Ti3O12薄膜结构和电性能的影响。 相似文献
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铁电钛酸铋超微粉及陶瓷的研究 总被引:13,自引:4,他引:9
采用类溶胶-凝胶方法制备了铁电Bi4Ti3O12超微粉,分别用X射线衍射、透射电子显微镜、激光散射粒度仪和差热分析仪对其结构、形貌、粒度和相变特性进行了测试分析。结果表明,超微粉形成了正交晶系Bi4Ti3O12结构,晶粒尺寸为10~50nm。由微粉制备了Bi4Ti3O12陶瓷,其介电常数和损耗角正切分别为ε=105.6和tgδ=0.052(100Hz)及ε=97.2和tgδ=0.00036(4MHz),铁电参数矫顽电场Ec为2.91×106V/m,剩余极化强度Pr为7×10-3C/m2。 相似文献
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(Bi4-x,Lax)Ti3O12铁电陶瓷性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)技术制备了(Bi4-x,Lax)Ti3O12(BLT)干凝胶粉体,并用此粉体制备了陶瓷。利用XRD、SEM等手段分析表征了陶瓷的结构、表面形貌及介电性能。结果表明,采用本文工艺技术制备的陶瓷为类钙钛矿结构,表面致密,陶瓷的极化场强约为4.5kV/mm;BLT陶瓷介电性能为:介电常数ε=425(1kHz),介电损耗tanδ=0.05(1kHz)。掺杂量的研究表明,当x≥0.4时,La的引入对介电常数和介电损耗有较大的影响,即使介电常数升高,介电损耗降低。 相似文献
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采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12(BTO)铁电薄膜,利用X-射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其晶格结构和表面形貌进行了表征,制备的BTO薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构和表面平整致密。对700℃退火的BTO薄膜进行了铁电性能和疲劳特性测试,在测试电压为6 V时,剩余极化值2Pr约为12.5μC/cm2,矫顽电场2Ec约为116.7 kV/cm;经1×109次极化反转后,剩余极化值下降了24%,对其疲劳机理进行了探讨。 相似文献
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采用化学溶液沉积法在p-Si(100)衬底上制备了LaNiO3(LNO)下电极和Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜,分别用X-射线衍射、原子力显微镜、扫描电镜和铁电测试仪对样品的微结构和铁电性质进行了系统分析。结果表明,低热解温度下制备的LNO薄膜具有(110)择优取向、小的颗粒尺寸和大的电阻率;而高热解温度下制备的LNO薄膜具有(100)择优取向、大的颗粒尺寸和小的电阻率。与以往报道不同,c轴择优取向度大的BLT薄膜显现出更大的剩余极化强度和更小的漏电流,具有更优越的铁电性质。 相似文献
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