热丝化学气相沉积法原位制备的MgB2超导薄膜

用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜,并用XRD、SEM和dc SQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表面形貌和超导临界转变温度Tc的影响.结果表明,HFCVD原位生长MgB2薄膜可以抑制MgO杂质的生成.基片温度在500℃以下,MgB4杂相容易出现;在500℃以上时,可以消除MgB4杂相;在600℃时,获得了纯单相的MgB2薄膜,其超导临界转变温度达到36 K.随基片温度升高,薄膜结晶性、致密度和超导临界转变温度提高.     

等离子体化学气相沉积超硬薄膜

本文简述了PCVD技术的原理、特性、设备。并对其制备的TiN、TiC、Ti(C_xN_y)超硬膜进行了显微硬度和化学成份等分析,最后介绍了该项技术在冷挤压冲头上的应用实例。     

热丝化学气相沉积法制备钛基 BDD 电极及苯酚降解性能研究

目的研究硼掺杂对改善金刚石膜的电阻率的影响,制备掺硼金刚石膜。方法采用热丝化学气相沉积系统,以CH4,H2,(CH3O)3B混合气体为反应气,在钛片衬底上沉积制备掺硼金刚石膜电极。对不同生长阶段沉积出的电极进行扫描电镜、EDX光电子能谱、激光Raman光谱、X射线衍射、电化学性能表征及废水降解应用研究。结果制备出的掺硼金刚石膜呈现出均匀的(111)晶面,Raman光谱图中金刚石特征峰与硼原子特征峰峰型显著,具有较低的背景电流和更宽的电位窗口(3.5 V),对苯酚废水COD降解效果显著。结论有机污染物的吸附量与电极表面的粗糙度正相关,实验室制备的BDD/Ti电极表面粗糙度小,不利于析氢和析氧等副反应的发生,能降低直接电化学氧化作用,从而得到更宽的电势窗口。     

铂薄膜化学气相沉积动力学规律探讨

以乙酰丙酮铂为沉积源物质，采用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）法在Mo基体上制备了Pt薄膜，研究了Pt薄膜的沉积速率与基体温度、乙酰丙酮铂的加热温度和运载气体（氩气）流速等沉积参数的关系。Pt的沉积速率与沉积温度之间的关系不符合Arrhenius方程：沉积速率与绝对温度的倒数呈现抛物线关系，当温度为550℃时，Pt的沉积速率达到最大值，随着乙酰丙酮铂加热温度的升高，Pt的沉积速率直线增加，而氩气流速的增大则显著减少Pt的沉积速率，SEM波谱成分分析表明，Pt薄膜中含有少量的氧。     

化学气相沉积金刚石薄膜衬底的研究进展

讨论了化学气相沉积金刚石薄膜的各种衬底材料。气相合成金刚石衬底材料分为3类，第一类是能和碳形成碳化物的衬底；第2类是与碳不起反应（不形成碳化物）但能溶碳的衬底；第3类是既不与碳反应又不熔碳的衬底。第一种一般与金刚石薄膜有比较好的粘合性，后两种虽然使金刚石成核容易，但衬底材料与金刚石薄膜结合性较差。采用预处理是促进化学气相沉积金刚石薄膜与增强结合力非常有效的方法。     

微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的进展

评述了用微波等离子体化学气相沉积法制备高质量人造金刚石薄膜的最新动态和发展趋势，介绍的内容包括：制备仪器、应用领域、沉积条件等。     

激光化学气相沉积(LCVD)制取TiN薄膜

研究了在W18Cr4V高速钢基体上，用CO2连续激光诱导化学气相沉积TiN薄膜的工艺方法。激光功能600W，在H2、N2、TiCl4反应系统中沉积出TiN薄膜，薄膜的颜色呈金黄色，显微硬度为2500HV。     

乙醇钽化学气相沉积制备Ta2O5薄膜研究进展

Ta2O5薄膜层具有较高的介电常数、折射率以及和ULSI加工过程中的相容性，因而将在硅芯片栅层材料、动态随机存储器、减反膜、气敏传感器、太阳能光伏电池面板介电层等方面得到应用。对以Ta（OC2H5）5为原料，通过常规金属有机化合物气相沉积、光致化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积、原子层化学气相沉积和脉冲化学气相沉积法制备Ta2O5薄膜进行了评述，并对这些方法存在的问题进行了分析。     

等离子体化学气相沉积TiN膜的研究

采用直流等离子体化学气相沉积技术,在高速钢、Si(100)和Si(111)基体上沉积TiN膜,并对膜的晶体结构、表面形貌、断口结构、显微硬度、氯含量等进行了测定和分析,部分样品进行了二次离子质谱(SIMS)、Auger谱(AES)和X光光电子谱(ESCA)等分析.试验表明:在不同基材上沉积的TiN膜,只要沉积参数相同,膜的结构和性能都相同.在沉积温度500℃左右,TiN膜的生长方式有一转变,即可能是由层生长转变为岛状生长.直流PCVD法生成的TiN膜,其N:Ti≈1:1,有强的(200)织构,膜与基体间有较宽的共混区,因而结合强度高和耐磨性好,适于用作耐磨镀层.     

GROWTH MECHANISM OF TiC WHISKERS PREMRED BY A MODIFIED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD

1.IntroductionTitaniumcarbideisknowntobenotonlygoodelectricandthermalconductorbutalsosuperhardceramicmaterialwithahighmeltingpointandgreathardness[1--2].Withhighstrength,TiCwhiskerscanbeusedassatisfactoryreinforcingmaterialsinbothmetalmatrixcomposites(MMC)andceramicmatrixcomposites(CMC).Infact,comparedtothecommonlyusedwhiskerssuchasSiCandSt3N4,thenewlydevelopedTiCwhiskerhajsmuchhigherstrength,especiallyatelevatedtemperature,aswellasbetterchemicalstabilityandcompatibilitywithaluminamatrix…     

等离子体化学气相沉积Ti—N—C膜的研究

用XPS,AES,XRD,SEM及显微硬度计分析和测试了不同成分的等离子体化学气相沉积(PCVD)Ti—N—C膜,并与PCVD一TiN膜比较。认为:Ti—N—C膜优异的耐磨性可归因于高显微硬度及致密的结构。AES及XPS分析结果表明,Ti—N—C与TiN膜表面吸附的氧原子价态不同,其决定因素是膜晶格中是否有足够的碳原子存在。氧吸附态的不同可能导致不同的磨损失效方式。     

PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF POLY-CRYSTALLINE SILICON THIN FILM

Poly-crystalline silicon thin film has big potential of reducing the cost of solar cells. In this paper the preparation of thin film is introduced, and then the morphology of poly-crystalline thin film, is discussed. On the film we developed poly-crystalline silicon thin film solar cells with efficiency up to 6.05% without anti-reflection coating.     

TEXTURE DETERMINATION OF THIN FILM ZrO_2 BY ELECTRON DIFFRACTION

A method for semi-quantitative determination of thin film texture using electron diffrac-tion is described.The texture state of a zirconia thin film with a cubic structure hasbeen determined in this way and is presented as an example.     

表面电沉积-烧结Y2O3薄膜的渗铝HK40钢的氧化行为研究

用电沉积—烧结方法在渗铝耐热钢表面制得均匀致密的Y2O3；薄膜，研究其对渗铝HK40钢分别在850℃、1000℃等温氧化行为的影响．结果表明，在渗铝层表面施加Y2O3薄膜能降低其氧化速率．对稀土氧化物的作用机制进行了探讨．     

CVD金刚石薄膜及膜-基界面形态

采用直流等离子体财流CVD法在硬质合金基体上沉积了多晶金刚石薄膜,借助XRD、Raman光谱、SEM和EPMA等对金刚石薄膜及膜-基界面的结构、形貌和成分进行了研究.结果表明,结晶度高的刻面型金刚石薄膜质量、纯度较好,膜-基界面处较致密,机械锚固作用明显,结合性能较好沉积前后基体表面形貌变化很大,存在数十微米厚的脱钴-等离子体刻蚀层,等离子体刻蚀导致脱钻表面更加凹凸不平,为金刚石形核提供了有利条件.     

CVD金属石薄膜及膜——基界面形态

采用直流等离子体射流ＣＶＤ法在硬质合金基体上沉积了多晶金刚石薄膜,借助ＸＲＤ,Ｒａｍａｎ,光谱、ＳＥＭ和ＥＰＭＡ等对金刚石薄膜及膜－基界面的结构、形貌和成分进行了研究,结果表明,结晶度高的刻面型金刚石薄膜质量、纯主较好,膜－基界面处较致密,机械锚固作用明显,结合性能较好,沉积前后基体表面形貌变化很大,存在数十数米厚的脱钴－等离子体刻蚀层,等离子体刻蚀导致脱钴表面更加凹凸不平,为金刚石形核提供了有利     

Superconducting Properties of Ti3SiC2-Doped Bulk MgB2 Superconductor

研究了Ti3SiC2掺杂对MgB2的晶格参数(a)、微观结构、超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc)的影响。随着Ti3SiC2掺杂量的增加,晶格参数a逐渐变小,表明了C进入晶格代替B位的发生。随着掺杂量的增加,超导转变温度Tc从37.15K降低到36.55K。利用Bean模型通过M-H磁滞回线计算了样品的Jc值。结果表明,在低场区域,未掺杂样品的Jc值高于Ti3SiC2掺杂样品的Jc值。然而随着磁场的进一步增大,适量掺杂的样品Jc值得到提高。     

利用电子衍射照片确定ZrO2薄膜的织构状态

阐述了一种利用电子衍射照片半定量地确定薄膜织构状态的原理和方法,并确定了立方ZrO_2薄膜的织构状态.