NewS25与LEP光电阴极光谱响应特性的研究

研究了Ｎｅｗ Ｓ２５与ＬＥＰ＾＊光电阴极的光谱响应特性。从理论上分析了光电子逸出深度，光电阴极结构参量和光电阴极厚度对光谱响应特性的影响。并对实用三碱阴极的潜力进行了理论预测。明确指出集Ｎｅｗ Ｓ２５与ＬＥＰ＾＊之长获得的实用三碱阴极可以和Ⅲ－Ⅴ族ＮＥＡ阴极媲美。     

S-25与地NewS-25光阴极光谱响应特性的研究

本文研究了S-25与NewS-25光阴极的光谱响应特性.在850～1000nm范围光谱响应的提高主要归因于阴极层较厚,具有较大的阴极结构参量和截止波长.这既体现了NewS-25光阴极的优越性,也代这表了多碱阴极的发展方向.     

Super S_(25)与New S_(25)光电阴极的光谱响应特性的数值模拟

根据多碱光电阴极的光谱响应理论表达式 ,对荷兰DEP公司和日本Hamamatsu公司美国分公司开发的两种SuperS2 5阴极的光谱响应曲线进行了理论模拟 ,得到了这些阴极的有关特性参量 ,并通过对模拟结果的分析以及与美国夜视实验室研制的NewS2 5光电阴极特性的比较 ,揭示了两种SuperS2 5光电阴极内在机理和可能采用的工艺处理方法 ,对多碱光电阴极的理论研究和实际操作具有指导意义     

负电子亲和势GaN光电阴极光谱响应特性研究

针对负电子亲和势（NEA） GaN光电阴极成功激活后的量子效率问题,利用自行研制的紫外光谱响应测试仪器,测试了成功激活的NEA GaN光电阴极的光谱响应,给出了230—400 nm波段内反射模式NEA GaN光电阴极的量子效率曲线.测试结果表明：反射模式下NEA GaN光电阴极在230nm具有高达37.4%的量子效率,在GaN光电阴极阈值365 nm处仍有3.75%的量子效率,230 nm和400 nm之间的抑制比率超过2个数量级.文中还结合国外的研究结果,综合分析了影响量子效率的因素. 关键词： 负电子亲和势 GaN光电阴极 光谱响应 反射模式     

Super S25与New S25光电阴极的光谱响应特性的数值模拟

根据多碱光电阴极的光谱响应理论表达式,对荷兰DEP公司和日本Hamamatsu公司美国分公司开发的两种Super S₂₅阴极的光谱响应曲线进行了理论模拟,得到了这些阴极的有关特性参量,并通过对模拟结果的分析以及与美国夜视实验室研制的New S₂₅光电阴极特性的比较,揭示了两种Super S₂₅光电阴极内在机理和可能采用的工艺处理方法,对多碱光电阴极的理论研究和实际操作具有指导意义.     

多碱光电阴极光谱响应峰值位置移动技术研究

研究字多碱光电阴极光谱响应峰值位置移动技术。利用多碱光电阴极多信民测控技术，可以控制光电阴极光谱响应峰值位置，以满足不同性能光电管光谱匹配的需要，对夜天光辐射以及一些材料的光谱反射，利用多信息量测控技术，可以将多碱光电阴极的光谱响应峰值移至０．８μｍ处。     

激活台内透射式GaAs光电阴极的光谱响应特性研究

利用在线光谱响应技术,对透射式GaAs光电阴极在高温激活和低温激活后的光谱响应特性进行了测试,计算并比较了高温激活和低温激活后阴极的积分灵敏度和光谱响应特性参数.结果发现,与高温激活相比,低温激活后GaAs光电阴极的积分灵敏度提高了13％,低温激活后阴极的截止波长和峰值波长均向长波有微小偏移.将已获得的测试曲线与铟封后的三代像增强器的光谱响应曲线进行了比较,结果发现铟封前后的光谱响应曲线存在明显差异.     

GaAs光电阴极与景物反射光谱的光谱匹配系数

本文根据光谱匹配系数的表达式,计算了GaAs光电阴极与暗绿色涂层、粗糙混凝土和绿色草木的光谱匹配系数.在满月光下,其结果分别为0.4519、0.5184 和0.6927;在晴朗星光下,分别为0.5866、0.6125和0.6513并分析比较了GaAs和两种S₂₅光电阴极与景物反射光谱的光谱匹配系数,说明具有良好观测效果的三代夜视仪是与光电阴极与景物反射光谱之间良好的匹配程度分不开的.     

S25光电阴极与景物反射光谱的光谱匹配系数Ⅰ.暗绿色涂层和绿色草木

从光电器件对光源的响应率出发,引伸出光电极与景物之间的光谱匹配纱数表达式,计算了Ｓ２５光电阴极与暗绿色涂层和绿色草木的光谱匹配系数。Ｓ２５１光电阴极在满月光下,对暗绿色涂层的光谱匹配系数为０．５５１２,对绿色草木为０．２７８３;在晴朗星光下,则分别为０．２６６２和０．１２５５;对Ｓ２５２光电阴极,前者分别为０．７１７４和０．６８２０,后者分别为０．５７４１和０．４８４０。计算结果对夜视系统视距估算     

GaAs光电阴极稳定性的光谱响应测试与分析

利用光谱响应测试仪对激活后的反射式GaAs(Cs,O)光电阴极进行了稳定性测试,获得了阴极随时间变化的光谱响应曲线,并表征了阴极在衰减过程中的性能参数变化.结果表明:积分灵敏度和峰值响应随着时间不断下降,截止波长向短波推移,表面逸出几率的下降是阴极衰减的直接原因.不同波长下光谱响应的衰减速率并不相同,波长越长,衰减速率越大,因此激活台内阴极在灵敏度衰减的同时长波响应能力也在不断下降.     

铟封前后透射式GaAs光电阴极光谱响应特性的测试与分析

利用自行研制的光谱响应测试仪工程化样机,对透射式GaAs光电阴极在高温激活结束、低温激活结束以及铟封成管后的光谱响应特性进行了测试。结果显示,铟封后阴极整个响应波段的光谱响应下降,长波响应受到最显著的影响,表现为800~815 nm之间长波响应大幅度衰减,截止波长和峰值波长向短波移动,峰值响应和积分灵敏度减小,最终的光谱响应曲线变得平坦。阴极参量的计算结果反映铟封后阴极的表面逸出几率降低,说明铟封引起阴极表面激活层发生变化,使得能量较低的长波段光生电子不容易逸出,阴极长波响应和灵敏度随之降低。进一步分析了铟封过程中影响阴极表面激活层的因素。     

用积分法推导ENA光电阴极的量子产额

以“三步发射模型”为基础,采用积分的方法推导出反射式笔爱射式负电子亲和势（ＮＥＡ）光电阴极的量子产额表达式,工阴极的表达式和传统的求解扩散方程得出的表达式完全相同;而根据透射式阴极的表达式绘出的量子产额理论曲线,和求解扩散方程绘出的曲线基本重合,与实验曲线也符合得很好。     

透射式负电子亲和势GaN光电阴极的光谱响应研究

利用金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)生长了发射层厚度为150 nm、掺杂浓度为1.6×10¹⁷ cm^-3的透射式GaN光电阴极,并在超高真空激活系统中对其进行了激活.通过多信息量测试系统进行了测试,发现透射式负电子亲和势(NEA)GaN光电阴极的量子效率曲线成一个"门"的形状,在255—355 nm波段有较大且平坦的响应,在290 nm处取得最大值为13%,由于AlN缓冲层对短波段光的吸收系数较大,在小于255 nm的波段量子效率出现了下降,当波长大于3 关键词： 透射式 NEA GaN光电阴极 量子效率     

GaAs光电阴极光谱响应曲线形状的变化

利用光谱响应测试仪测试了反射式GaAs光电阴极在激活过程中以及激活后衰减过程中的光谱响应曲线,测试结果显示在这两个过程中光谱响应曲线形状都在不断发生变化。在激活过程中随着GaAs表面双偶极层的形成,阴极表面有效电子亲和势不断降低,光谱响应则不断提高,但长波响应提高得更快。在激活结束后,位于激活室中受白光照射的GaAs光电阴极由于Cs的脱附影响了双偶极层结构,阴极表面有效电子亲和势不断升高,光谱响应则不断下降,但长波响应下降得更快。上述现象无法用常用的反射式阴极量子效率公式进行解释,它们与阴极高能光电子的逸出有关。由于反射式阴极发射电子能量分布随着入射光子能量的升高而向高能端偏移,同时阴极表面势垒形状的变化对低能电子比对高能电子的影响更大,从而导致了光谱响应曲线形状的变化。     

用积分法推导NEA光电阴极的量子产额

以“三步发射模型”为基础, 采用积分的方法推导出反射式和透射式负电子亲和势（ Ｎ Ｅ Ａ）光电阴极的量子产额表达式, 其中反射式阴极的表达式和传统的求解扩散方程得出的表达式完全相同, 而根据透射式阴极的表达式绘出的量子产额理论曲线, 和求解扩散方程绘出的曲线基本重合, 与实验曲线也符合得很好。     

Ga1-xAlxAs/GaAs光阴极光谱响应向短波延伸的机理分析和实验研究

为了实现光阴极光谱响应向短波延伸，分析了Ga1-xAlxAs/GaAs三代微光光阴极光谱响应向短波延伸的机理，提出了准禁带宽度的概念，讨论了Ga1-xAlxAs的禁带宽度随铝组份x值的增加而逐渐变宽的变化规律，计算了不同铝组份下光阴极光谱响应的短波限。通过提高光阴极材料的铝组份，做出了宽光谱响应像管，并给出了相应的光谱响应曲线。通过与标准三代微光像管光谱响应对比，发现：所得光谱响应曲线不仅向短波方向得以延伸，而且理论设计与实验结果吻合很好。     

NEA GaN光电阴极量子产额研究

围绕NEA GaN光电阴极光电发射过程的光谱响应理论,研究了其量子产额问题。分别给出了反射模式和透射模式NEA GaN光电阴极的量子产额计算公式,分析了影响量子产额的因素。分析了国外制备的反射模式和透射模式NEA GaN光电阴极的量子产额曲线。结果表明,目前制备的NEA GaN光电阴极已具有高达30%的量子效率和良好的发射性能。相同条件下,反射模式比透射模式的量子效率要高,而且反射模式不像透射模式那样存在短波限制。     

GaN光电阴极激活后的光谱响应分析

由于GaN光电阴极的突出性能,其在紫外探测方面有着广泛的应用.文章在超高真空激活系统中,对GaN样品进行了 Cs/O激活实验,并分析了激活后反射式的量子效率:在240～350nm的紫外波段内,量子效率约在30％～10％之间,曲线较为平坦,在240nm处达到30％的最大值,与国外结果对比后发现,本文获得的GaN光电阴极量...     

对三代微光管光谱响应的测试分析

利用自行研制的光谱响应测试仪对国产三代微光管进行了光谱响应测试,给出了三代微光管的光谱响应特性,利用曲线拟合方法估算了GaAs光电阴极材料的性能参数。结果显示该三代微光管的积分灵敏度约800μA/lm左右,所选GaAs材料的电子扩散长度为2.0μm,与1.6μm的阴极厚度相当,电子表面逸出几率为0.38,后界面复合速率为106cm/s。发现GaAs材料的扩散长度偏低,以及阴极的后界面复合速率太大是限制三代微光管光电发射性能进一步提高的重要原因。