成型压力对CuFeO_2陶瓷材料结构和介电性能的影响

采用传统固相反应法在不同成型压力下(10~800 MPa)制备系列CuFeO_2陶瓷样品,利用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和阻抗分析仪等技术手段对陶瓷样品的晶体结构、微观形貌和介电性能进行测试和表征。实验结果表明,实验成型压力范围内体系未发生结构相变,但成型压力对其微观形貌有较明显的影响。成型压力为100 MPa时,样品的晶粒得到充分生长,晶粒尺寸最大,且晶界清晰。电性能测试结果表明,适当的增加成型压力可提高体系的介频稳定性;成型压力为100 MPa时,样品具有较高的介电常数和较低的介电损耗,显示出良好的介电性能。对CuFeO_2陶瓷样品的微观结构与介电性能的关联规律进行了初步解释。     

FCCL高频介电性能和介电热系数的测量

由于FCCL机械性能特点,FCCL大量用于刚挠结合电路。而应用在FCCL电路的传输频率较低,高频介电性能如介电常数Dk和介电损耗角正切Df未被重视起来。本文利用分离式介质谐振腔法测量FCCL的介电性能,测试频率范围为1.1 GHz~15.5 GHz,并测量其介电常数热系数TCEr。     

国产聚酰亚胺柔性覆铜板材料介电性能测评

介绍了聚酰亚胺柔性覆铜板的主要电性能指标及其典型应用场景,明确了柔性覆铜板介电性能测评流程。在完成谐振环仿真及设计后,开展ASG-TL00060UF2国产高性能聚酰亚胺柔性覆铜板与进口板材的常温和湿热试验,进行介电性能对比测试计算。最后给出了国产聚酰亚胺柔性覆铜板材料介电性能测评结论。     

微波氮化硅陶瓷高温介电性能建模研究

通过电介质物理和数学方法,对氮化硅陶瓷的极化机制进行了研究,将氮化硅介电常数看作是电子位移极化、离子位移极化及热离子极化3个部分的贡献总和,且成功解释了α-Si3N4和β-Si3N4间的介电常数差。研究发现,在微波条件下,介电损耗主要来源于弛豫损耗及电导损耗,分析了其在不同温度段的主要作用,且计算了介电常数温度系数。通过一些微观参数建立了氮化硅介电常数及介电损耗随温度的变化关系和影响因素模型,与实验值符合较好。     

激光辐照对PZT-4陶瓷介电性能的影响

研究了CO2激光辐照对PZT-4陶瓷介电性能的影响。在一定的激光辐照功率密度下,PZT-4陶瓷的介电常数下降约5%,介电损耗下降约60%,矫顽场增加。结合拉曼光谱、扫描电子显微镜、X射线衍射以及后退火处理探讨了激光辐照PZT-4陶瓷的改性机理,结果表明,激光辐照后陶瓷介电性能的变化主要与其微结构有关,辐照使得陶瓷产生了较大的张应力,晶格常数变大,B位离子更容易偏离氧八面体中心,氧八面体扭曲,使其电畴活性下降,阻碍了极化翻转,材料性能变"硬"。     

等离子喷涂制备Al2O3块体材料的介电性能

将两种纯度较高的Al2O3粉末采用等离子喷涂工艺制备成块体,其孔隙率分别达到11.2%和11.6%。用等离子喷涂工艺制备的Al2O3块体在7 GHz~18 GHz下的介电常数εr分别是7.2和7.1,介电损耗tanδ分别是3.5×10-3和1.0×10-3。用这种工艺制备的Al2O3块体的介电常数比常规压制烧结工艺制备的低,但是介电损耗大,这主要与等离子喷涂工艺所制备样品的孔隙率和微结构等有关。     

微波介质陶瓷材料介电性能间的制约关系

微波介质陶瓷材料的三个主要参数相对介电常数εr、品质因数Q和谐振频率温度系数之间存在一定的关系。采用一维双原子线性振动模型,分析了微波介质陶瓷材料的εr、Q影响因素和它们之间的相互制约关系;采用Clausius-Mosotti方程,分析了谐振频率温度系数的影响因素以及它和εr之间的相互制约关系。讨论了提高高介微波介质陶瓷材料性能的途径,发现采用同电价质量较轻的离子取代,在基本不影响介电常数的情况下具有提高材料的Q·f值的可能性。     

覆铜板基材介电性能的自动温控测试系统

该文介绍了自行组建的针对微波频段(1GHz～15GHz)覆铜板基材介电常数Dk和介电损耗角正切Df的自动温控测试系统。该系统由个人工作站电脑进行控制,通过Delta9039精密烘箱控制实验温度环境,温度范围为-55℃～85℃,采用安捷伦N5230A矢量网络分析仪对基材进行散射参数S和品质因子Q的测试,自动采集并记录测试数据。使用该系统对普通FR-4、无卤FR-4和Low-Dk、FR-4进行Dk和Df测试,效果良好。     

液晶聚合物薄膜的介电性能

研究了两种液晶聚合物薄膜的介电性能。结果表明,液晶聚合物的介电常数随频率的增加而缓慢变小,高温下的介电常数较大。介电损耗在一定的温度范围内（室温至３５０℃）出现峰值,峰值位置随频率的增加向高温方向移动。     

烧结温度对Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3陶瓷的介电性能的影响

锆钛酸钡陶瓷由于具有优异的电学性能广泛应用于多层陶瓷电容器(MLCC)等电子元器件。在传统的固相反应制备工艺中,固相反应的烧结温度直接影响着陶瓷的晶体结构、微观形貌和介电性能等。本文采用固相反应法,通过控制不同的烧结温度,制备出一系列的Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3陶瓷样品。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、阻抗分析仪对其晶体结构、微观形貌、介电性能等物理性能进行表征。结果表明烧结温度在1255～1315℃下,X射线衍射图谱显示锆钛酸钡陶瓷样品均为立方相结构,没有出现杂相。当烧结温度为1305℃时,陶瓷样品的结晶最好,密度也最大,相对介电常数达到最大值12295。     

氮化铝陶瓷材料

本文介绍了AIN陶瓷基片生产的关键技术,国内外AIN陶瓷封装概况。探讨了AIN陶瓷封装发展的趋势。     

含氟三环NCS液晶材料的介电性能研究

为了探究液晶材料的介电性能,本文研究了4PPTGS和4PUTGS两种含氟三环NCS类液晶材料的介电各向异性和介电损耗。首先用精密LCR表(Agilent E4980A)测量液晶盒的电容并用双盒模型和液晶盒电容模型得到4PPTGS和4PUTGS两种液晶材料的平行和垂直介电常数,再由电压-电容特性曲线得到它们的阈值电压,并进一步探讨了介电各向异性和阈值电压对温度的依耐性;然后,在20 Hz~10kHz范围内研究了外加电压频率对液晶材料介电损耗的影响,两种液晶材料在1kHz左右都存在介电损耗峰值,为了减小器件的功耗和提升器件的质量,液晶材料应选择在介电损耗小的频率下工作;最后,通过对平行和垂直排列向列相盒中液晶材料在不同电压下介电损耗的测试与分析,介电损耗的变化是由于在外加电场下液晶分子固有偶极矩的取向极化引起的,介电损耗值的大小与液晶分子的排列状态密切相关。此项研究对提升液晶材料在应用中的介电性能具有一定的指导意义。     

PZST反铁电陶瓷的介电性能

ＰＺＳＴ反铁电陶瓷的介电常数在居里温度以上服从居里－外斯定律，居里常量为１０＾５Ｋ以上。随着Ｔｉ含量的增加，峰值介电常数增大，随着偏置电场的增加，峰值电常数增大，居里温度降低。     

微波烧结钛酸锶钡陶瓷材料的介电性能

采用碳酸盐固相合成法制备Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)粉体,应用微波烧结技术将粉体烧结成陶瓷。对样品的介电性能进行了测试,研究分析了材料的介电性能,并与传统制备工艺获得的样品进行了性能对比。结果表明:微波烧结成瓷温度和时间较传统制备工艺大大降低,分别为1 300℃和30 min,可以获得晶粒尺寸5μm以下的BST陶瓷;材料的εr变化不大,但tanδ大幅降低。     

高性能液冷氮化铝散热器

本文介绍了合同号为16SV 294／8和16SV159／2的一项德国联邦教育与研究部基金项目“高性能液冷氮化铝散热器”的研究成果，该项目制造出了高性能的氮化铝（AIN）水冷散热器，并且获得了一些特点，使用了多种制造工艺以满足不同的冷却要求，这些工艺技术包括有用来为单芯片为多芯片组件散热器加工微通道冷却器的激光切割和功率电子产品用的插片式散热器的干压加工，为优化散热器的设计使用了热模拟技术。