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一种利用激光及热电器件的实时测温系统的测温精度 总被引:1,自引:1,他引:1
基于Kirchhoff定律,利用半导体激光器及钽酸锂热释电探测器设计了一种实用化的实时测温系统。从反射辐射对该测温系统测温精度的影响出发,讨论了水冷遮蔽板的相对尺寸(即H/R之值)与测温不确定度的关系,并确定了H/R之值;从波长对该测温系统测温精度的影响出发,并结合系统的测温灵敏度、探测器的温度分辨率及大气的透射窗口和温度的标准差等的研究结果,确定了系统的工作波长;总结了影响该实时测温系统测温不确定度的5种原因,结合光路中的外界干扰对该测温系统测温精度的影响,对该测温系统的测温精度及系统的测温不确定度进行了简要的分析。实验表明,在400-1200℃测温范围内,系统的测温不确定度优于0.3%。 相似文献
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辐照碳化硅测温晶体是航空发动机研制过程中热端旋转部件温度测量的重要方法,其测量精度依赖于对其温度-缺陷浓度响应关系的精准标定,标定过程可分为温度标定试验、晶体缺陷表征测量、标定曲线建立3个阶段。温度标定试验中,温度场的波动、测温晶体与测温热电偶感温偏差以及非理想因素导致的传热是辐照晶体技术测量误差的重要来源。利用实验和数值方法,研究了辐照测温晶体在温度标定试验过程中不同阶段下主导的传热传质过程,分析了支杆材料的热物理参数、温度过冲以及准热平衡状态下的温度扰动对于测温晶体感温的影响,结果发现测量误差主要由辐射场在轴向方向的不均匀分布所导致,最后对支杆的材料和结构设计提出了相应的改进方案。 相似文献
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该文设计并开发一种针对气体绝缘开关设备(gas insulated switchgear,GIS)的无线测温系统,可对GIS设备的外壳温度进行分布式测量。该测温系统基于柔性铜电阻温度传感器,通过将铜电阻沉积于柔性衬底之上并刻蚀实现。测温系统由沿GIS外壳筒壁周向分布的柔性传感器阵列构成,可良好适应GIS圆柱状外壳曲率并实现分布式温度测量。搭建GIS模拟温升平台对柔性温度传感器和测温系统进行表征,测量温度值与传感器阻值的关系,并对低温区域的非线性特性进行补偿,研究传感器测温区域内的温度分布与变化对传感器性能的影响。结果表明,该传感器可在30~150℃的外壳温度变化区间内实现线性输出,灵敏度约为0.19Ω/℃,能够实现GIS设备外壳温度的分布式测温。 相似文献
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结合异形竖板降膜蒸发器,研究了异形竖板传热元件壁面温度的测量方法。从整个测温系统入手,分别阐述了测温元件的选择、热电偶的焊接及敷设等方法;并给出一种测量非等温场望面平均温度时,对称互补式热电偶敷设的新方法。达到了准确测量壁面温度的目的,对异形竖板降膜蒸发器的传热理论研究具有重要的意义。 相似文献
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冻土导热系数的测定对于研究冻土热物理性质、土体冻胀特性有着重要作用。本文将介绍低温冻土导热系数测定仪,包括其低温冷水域系统、制冷系统、温控系统、测温系统及数据采集系统的设计与研制。导热系数测量的关键在于温度的测量与控制,本装置利用比例积分微分(PID)调节原理,通过控制冷水域水箱内的加热管来调节冷液温度,保证其恒温精度要求。温度数据通过数据采集仪采集,并利用算术平均滤波法对结果进行处理。 相似文献
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针对温度场测量中使用常规温度传感器引线不方便的缺点,设计了一套无引线温度测量模块。该模块具有测量精度高、无需引线、使用方便的特点。测量模块配接热电阻传感器,利用参考电阻比例测量技术,大大提高了测量稳定性。测量模块采用真空隔热蓄热技术,在-65~200℃温度范围内正常工作不少于2 h,可满足该温区真空试验罐、热压罐,或其他密闭试验装置、大空间实验装置等温度场均匀性测量的需求。 相似文献
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温度应变同时测量的光纤光栅系统的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
为了同时传感温度和应变,在同一根光纤的两个不同地方写入相同的Bragg光栅,设计制成一种特殊机构的传感系统。由于测量结构特殊,两处光纤光栅的反射峰具有成比例的应变响应系数和不同的温度响应,测出温度后,应变也同时算出。实际测量表明,该系统结构简单,测量精度高,能进行实时测量。 相似文献
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该文介绍热电偶测温、CO2红外光谱测温、光纤测温、辐射能测温、声波测温等温度测量方法的原理及其所存在的问题,分析一种基于激光吸收光谱的炉膛测温技术及其系统构成。在某电厂的应用表明,基于激光吸收光谱的测温系统能够对炉膛温度场进行比较精确的测量。测量结果可指导操作人员通过调节相应的二次风门开度等手段来调整锅炉燃烧,使煤粉在炉膛内燃烧均匀,温度场居中分布,从而有效地提高锅炉燃烧效率。 相似文献
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An electron-phonon interaction model is proposed and applied to thermal transport in semiconductors at micro/nanoscales. The high electron energy induced by the electric field in a transistor is transferred to the phonon system through electron-phonon interaction in the high field region of the transistor. Due to this fact, a hot spot occurs, which is much smaller than the phonon mean free path in the Si-layer. The full phonon dispersion model based on the Boltzmann transport equation (BTE) with the relaxation time approximation is applied for the interactions among different phonon branches and different phonon frequencies. The Joule heating by the electron-phonon scattering is modeled through the intervalley and intravalley processes for silicon by introducing average electron energy. The simulation results are compared with those obtained by the full phonon dispersion model which treats the electron-phonon scattering as a volumetric heat source. The comparison shows that the peak temperature in the hot spot region is considerably higher and more localized than the previous results. The thermal characteristics of each phonon mode are useful to explain the above phenomena. The optical mode phonons of negligible group velocity obtain the highest energy density from electrons, and resides in the hot spot region without any contribution to heat transport, which results in a higher temperature in that region. Since the acoustic phonons with low group velocity show the higher energy density after electron-phonon scattering, they induce more localized heating near the hot spot region. The ballistic features are strongly observed when phonon-phonon scattering rates are lower than 4 x 10(10) S(-1). 相似文献