毫米波射频互联金丝热超声楔焊工艺优化研究

金丝热超声楔焊是微波毫米波模块射频互联的关键手段。采用三维电磁仿真软件对毫米波频段的金丝热超声楔焊进行了建模仿真,分析了金丝跨距、拱高和角度等物理参量对驻波的影响。针对模拟仿真优化后的热超声楔焊金丝互连结构,给出了金丝热超声楔焊表面状态优化、线型控制参数优化以及键合参数优化等相应的工艺优化措施,从而达到热超声楔焊金丝性能优化的目的。     

毫米波多芯片组装工艺优化研究

随着毫米波系统对模块小型化集成化的需求日益增长,多芯片组装工艺技术成为毫米波模块互连的关键手段。分析了芯片组装工艺的特点,同时基于毫米波M M IC芯片组装工艺要求,通过射频互连芯片组装间隙工艺设计保证、共晶焊接钼铜载体结构优化设计以及自动点胶粘片参数优化研究,给出了相应的优化设计措施,从而达到M M IC芯片组装工艺优化的目的。     

射频电缆组件组装工艺浅谈

近年来国内外射频电缆组件的发展很快,射频电缆组件的性能不断提高,对射频电缆组件组装工艺也提出了更高的要求.射频电缆组件组装过程多是手工操作,产品的一致性及性能很难控制,要求有良好的工艺保证,为此介绍了射频电缆组件组装工艺,包括电缆的裁剪及剥皮、内导体的连接、外导体的连接和电气性能的测试;探讨了在组装过程中应注意的问题,以及针对内导体焊接易出现虚焊问题进行研究.     

微波电路组装工艺研究

微波电路与低频电路的不同主要在于接地,互连与微带线的制造。微波制造技术是微波电路设计的一个重要组成部分。对接地的一些关键技术一焊接裂纹、应力、变形、钎连学等作了研究。同时研究了芯片与微带线间距的互连、微带线制作、材料的可焊性及焊接过程等制造技术。     

一体化烧结微组装工艺的应用

传统的微组装工艺在军品和民品中广泛应用了三十多年，多种器件微组装难的问题一直是行业内的短板，本文简要介绍了一种新型的微组装工艺，将多种异形基板、多芯片、多元件及多种绝缘子进行整体烧结，替代了传统的微组装工艺，为微组装行业内多种器件组装难的问题指引了方向。     

面向毫米波射频互联的超低弧金丝球焊工艺方法研究

引线键合工艺是实现毫米波射频（RF）组件互联的关键手段之一。随着毫米波子系统的快速发展,毫米波组件的工作频段越来越高,对射频通道互联金丝的拱高提出了新的要求。过高的引线弧度会使得系统驻波变大,严重影响电路的微波特性。球焊工艺由于引线热影响区的存在,难以满足射频互联中短跨距、低弧高的需求。采用弯折式超低弧弧形工艺,通过对25μm金丝热超声球焊成弧过程中各关键参数的优化试验,将热影响区折叠键合在第一焊点上,在保证引线强度的前提下,实现了300μm短跨距、80μm超低弧高的金丝互联,为球焊工艺在毫米波射频组件互联中的应用提供了实现思路。     

基于DOE的微组装工艺过程的统计表征与优化

随着微组装工艺技术和设备的发展,许多先进工艺涉及多个输入参数和输出响应,而且参数间具有不同程度交互作用,使得传统的以经验为主的试误法或一次改变一个参数的试验方法并不能满足这些先进工艺的要求。利用实验设计技术,通过建立关键工艺参数与输出响应之间的统计模型,实现了对微组装中金丝球形键合工艺过程的统计表征。试验结果表明,该模型的预测值与实测值吻合较好,可进一步用于工艺过程的设计与参数优化。     

微组装关键工艺设备技术平台研究

介绍了微组装设备技术发展现状,重点论述了微组装关键设备工程化技术、先进微组装工艺技术和微组装工艺设备标准规范等微组装设备技术平台研究。通过该技术平台的研究,提升了微组装关键设备的先进性、稳定性和工艺系统集成能力。     

微组装技术中的金丝键合工艺研究

金丝键合是微组装工艺中的一道关键工艺,金丝键合质量的好坏直接影响微波组件的可靠性以及微波特性.对金丝键合工艺的影响因素进行了分析,并通过设计实验方案对25 μm金丝进行键合实验.对键合金丝进行拉力测试,测量结果全部符合军标GJB 548B-2005要求.根据测量结果寻求最佳键合参数,对实际生产具有一定的指导意义.     

微组装中漆包线小电感直接焊接工艺研究

通过与传统手工焊接的对比,简单介绍了直接焊接漆包线的去漆焊接技术。介绍了常用半自动点焊机的构成和用于去漆焊的工作原理。详细比较了不同参数设置对漆包线焊接质量的影响。结果表明,直接焊接漆包线新技术正在替代传统手工焊接,并具有焊点细小牢靠的特点,同时大大提高了生产效率。     

毫米波矩形波导空心扭转工艺技术

通过对毫米波矩形波导扭转成型仿真与主要工艺参数的理论分析,确定了毫米波矩形波导空心扭转工艺流程。对利用该项工艺成型的波导电性能进行了测试,并对实测结果进行了分析与讨论。     

毫米波收发前端组件密封三防技术

介绍了毫米波前端电路功能模块的密封组装新工艺,通过分析连接面的特点、合理设计焊接面的连接结构,采用适用的温度阶梯和工艺方法,在毫米波收发前端上采用软钎焊工艺技术实现了密封要求,为毫米波频段产品的小型化、耐环境、高可靠提供了实用的三防工艺技术。     

微型半球陀螺平面电极装配方法设计

微型半球陀螺采用静电激励和电容检测技术实现陀螺的振型控制及信号读取,电容间隙的装配工艺是陀螺的关键工艺之一.该文对采用平面电极的微型半球陀螺装配工艺进行了探索,并根据谐振子的结构尺寸计算了装配误差的控制范围,设计了一种采用精密垫片实现微小间隙的装配方法,该方法通过垫片的厚度控制电容间隙.对采用此方法装配的陀螺电容间隙进...     

统计过程控制技术在键合工序中的应用

键合工序是半导体器件生产中的关键工序,采用统计过程控制(SPC)技术对关键工序进行监控是保持生产线稳定、减少质量波动的有力工具,可以提高产品的成品率和可靠性。在现有工序状态下采集键合拉力数据,计算和分析键合工序的工序能力指数,进行工艺调整和改进,直到工序能力指数Cpk≥1.33。选择计量控制图,对键合拉力数值进行监控,发现工序失控时,分析原因并及时采取纠正预防措施,保证工艺的一致性和稳定性,提高工艺成品率。     

大马士革铜阻挡氮化硅薄膜沉积工艺优化研究

在铜大马士革（Damascene）工艺中,为避免由于铜向FSG中扩散所致电迁移的问题,需要在铜表面沉积一层氮化硅作为隔离铜和随后的介电材料的直接接触,通常人们使用HDP—CVD来沉积该氮化硅层。但针对HDP—CVD沉积速率快和工艺设备成本高等问题,文中研究了一种优化了的PECVD氮化硅沉积工艺来取代HDP—CVD氮化硅工艺。优化主要包含硬件改进和工艺参数调整。硬件改进主要通过引入锥形阴极盘面代替传统的直通形阴极盘面,以实现气体分子的更有效电离。在工艺参数上从RF功率、SiH4流量等方面也有所调整。优化后形成的氮化硅薄膜与HDP—CVD氮化硅薄膜性能非常接近,完全符合大马士革工艺的要求。同时氮化硅薄膜的沉积速率也有明显提高,工艺成本随之降低。     

基于DOE和BP神经网络对Al线键合工艺优化

Al丝超声引线键合工艺被广泛地应用在大功率器件封装中,以实现大功率芯片与引 线框架之间的电互连.Al丝引线键合的质量严重影响功率器件的整体封装水平,对其工艺参数的优化具有重要工业应用意义.利用正交实验设计方法,对Al丝引线键合工艺中的三个最重要影响因数(超声功率P/DAC、键合时间t/ms、键合压力F/g)进行了正交实验设计,实验表明拉力优化后的工艺参数为:键合时间为40 ms,超声功率为25 DAC,键合压力为120g;剪切推力优化的工艺参数为:键合时间为50 ms,超声功率为40 DAC,键合压力为120 g.基于BP神经网络系统,建立了铝丝超声引线键合工艺的预测模型,揭示了Al丝超声键合工艺参数与键合质量之间的内在联系.网络训练结果表明训练预测值与实验值之间符合很好,检验样本的结果也符合较好,其误差基本控制在10%以内.