一种新型结构的LB膜化学场效应晶体管的气敏特性研究

合成了新型的有机半导体ＬＢ膜气敏材料（ＣＯＴＤＭＡＰＰ），其ＬＢ多层膜拉制在场效应晶体管上，形成了具有ＬＢ－ＯＳＦＥＴ结构的化学场效应晶体管（ＣｈｅｒｎＦＥＴ），该器件置于ＮＯ２，ＮＨ３，ＣＯ和Ｈ２Ｓ等有害气体中，结果表明在ＮＯ２气氛中元件漏电流ＩＤＳ发生变化，并可检测到２ｐｐｍ的ＮＯ２．这种器件的气敏特性在于ＦＥＴ的电流放大作用及ＬＢ膜的有序性的影响．     

具有PDEB LB膜的声表面波湿度传感器

介绍一种新型聚炔离子导体湿敏材料－聚对二炔苯的Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｏｌｄｇｅｔｔ成膜原理与制备，淀积有１０层ＰＤＥＢ ＬＢ膜层的声表面波延迟线型湿度传感器的特性。由于ＬＢ成膜技术拉制的膜可以在分子水平上进行定量控制，保证了膜的均匀性和一致性。     

钨硅／砷化镓肖特基接触的热稳定性分析

研究了以ＷＳｉ０．６复合材料作为靶源，采用直流空溅射工艺成膜，不同退火温度下ＧａＡｓ衬底材料上ＷＳｉ０．６膜层的特性。包括ＷＳｉ０．６／ＧａＡｓ系统断面ＳＥＭ分析，ＡＥＳ界面机构分析、表面形貌分析及金属－半导体肖特基势垒特性分析，实验结果表明，在氩气压力为１３３Ｐdisplay status     

RTP改善超薄SiO2膜特性的研究

超薄ＳｉＯ２膜经快速热处理后，电特性得到了改善，本研究用超薄ＲＴＰＳｉＯ２膜制作ＭＯＳ电容，ｈ－ＮＭＯＳＦＥＴ中介栅介质层及ＦＬＯＴＯＸ－Ｅ＾２ＰＲＯＭ中作隧道氧化层，取得了一些实验结果，从结果中可以看出具有实有价值。     

a—Si／Mo多层膜的制备及其结构研究

本文报导了利用射频溅射技术成功地获得具有一维周期结构的ａ－Ｓｉ／Ｍｏ多层膜。分析讨论了可控厚度多层膜的生长条件；利用Ｘ－ｒａｙ衍射、ＳＩＭＳ、ＳＥＭ、Ｒａｍａｎ等分析手段，对多层膜进行了结构分析；同时还研究了膜的热学性能，结果表明这种多层膜有很好的热稳定性。     

NiTi基C型聚对二甲苯膜界面及表面电子能谱分析

ＮｉＴｉ合金表面涂覆Ｃ型聚对二甲苯膜将大大改善形状记忆特性材料的生物相容性，本文采用等离子体方法改善材料表而特性，并运用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）进行了材料的界面和表面分析研究。     

双固相外延技术及高性能1μmCMOS／SOS器件的研究

本文较为详细地介绍了能有效地改善ＳＯＳ材料结晶质量的双固相外延ＤＳＰＥ工艺，给出了优化的工艺条件．通过比较用ＤＳＰＥ及普通ＳＯＳ材料制作的ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和电路的特性可以看出，采用ＤＳＰＥ工艺能显著改善ＳＯＳ材料的表面结晶质量，应用ＤＳＰＥ工艺在硅层厚度为３５０ｎｍ的ＳＯＳ材料上成功地研制出了沟道长度为１μｍ的高性能ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和电路，其巾ＮＭＯＳＦＥＴ及ＰＭＯＳＦＥＴ的泄漏电流分别为２．５ｐＡ和１．５ｐＡ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＯＳ环形振荡器的单级门延迟时间为３２０ｐｓ．     

离子敏PH传感器的研究

本文介绍了一种采用硅键合ＳＯＩ材料作衬底的离子敏场效应管（ＩＳＦＥＴ）型ＰＨ传感器。这种结构减小了衬底泄漏电流，改善了ＰＨ传感器的温漂特性和时漂特性。本文提出的结构为ＰＨ传感器的实用化开发了新的途径。     

Mo／Si多层膜界面离子束处理及TEM观察

Ｍｏ／Ｓｉ多层膜界面离子束处理及ＴＥＭ观察薛钰芝Ｒ．Ｓｃｈｌａｔｍａｎｎ，林纪宁Ａ．Ｋｅｐｐｅｌ，Ｊ．Ｖｅｒｈｏｅｖｅｎ（大连铁道学院，大连１１６０２２）（荷兰ＦＯＭ原子分子物理研究所）软Ｘ射线多层膜（ＭｕｌｔｉｌａｙｅｒｓｆｏｒＳｏｆｔＸ－ｒａｙＯ...     

厚膜多层混合电路的计算机辅助设计

结合厚膜多层混合电路的特点，针对ＥＥｓｙｓｔｅｍ存在的缺少ＳＭＴ元件库、自动布线网格太大、无埋孔等缺点对其做了改进，使之适合于厚膜多层混合电路设计。     

PVC敏感膜组分比对K~＋─ISFET响应特性的影响

本文研究了以二苯并—３０—冠—１０作为敏感物质的ＰＶＣ膜Ｋ~＋—ＩＳＦＥＴ传感器，以及改变膜中的敏感物质和增塑剂的组分比对Ｋ~＋—ＩＳＦＥＴ响应特性的影响．同时，对Ｋ~＋敏感膜的响应机理进行了讨论。实验结果与理论分析相符。     

PVC敏感膜组分比对K^＋—ISFET响应特性的影响

本文研究了以二苯并－３０－冠－１０作为敏感物质的ＰＶＣ膜Ｋ＾＋－ＩＳＦＥＴ传感器，以及改变膜中的敏感物质和增塑剂的组分比对Ｋ＾＋－ＩＳＦＥＴ响应特性的影响。同时，对Ｋ＾＋敏感膜的响应机理进行了讨论。实验结果与理论分析相符。     

进一步提高氢离子敏场效应晶体管稳定性的研究

本文提出了关系到ＩＳＦＥＴ不稳定性的三个原因：（一）Ｓｉ＿３Ｎ＿４膜表面或其缓冲溶液中。停留的羟基团是非常活泼，容易增加或失掉电子．这是氢离子敏ＦＥＴ传感器长期不稳定性的原因．（二）氢离子敏ＦＥＴ传感器的稳定性，随着ＩＳＦＥＴ的制作过程中沉淀条件而变化，这也是ＩＳＦＥＴ不稳定性的另一原因．（三）缓冲溶液的ｐＨ随着测量过程和时间而变化，这也助长了氢离子敏ＦＥＴ传感器的不稳定性，但不是ｐＨ－ＩＳＦＥＴ本身的不稳定性原因．我。们利用了再调整和控制羟氨基团比率的技术来提高ＩＳＦＥＴ的稳定性．这种改进稳定特性的技术     

直流磁控溅射中氩气压力对WSi／GaAs系统的影响

以ＷＳｉ复合材料作为靶源，采用直流磁控溅射工艺成膜，在不同氩气（载能粒子）压力条件下，８００℃、１７ｍｉｎ退火前后ＷＳｉ／ＧａＡｓ系统的性能。包括用显微显像观察不同氩气压力下淀积膜退火前后表面变化；ＳＥＭ分析系统断面、ＡＥＳ分析膜层与ＧａＡｓ衬底的界面情况；并通过肖特基二极管Ｉ－Ｖ特性的测量研究其整流特性。实验结果表明，在１．３－－１．６ｐａ氩气压力下淀积的ＷＳｉ膜层与ＧａＡｓ衬底所构成的系统具有     

四靶双离子束溅射仪制备软X光衍射色散元件

用四靶双离子束溅射仪一体化制备软Ｘ光衍射色散元件，宽束平行离子源刻蚀光栅，宽束聚焦离子源镀制软Ｘ光多层膜，经ＳＥＭ、ＴＥＭ、ＦＣ数字化图像处理和效率测试等测试手段分析，结果表明所制备器件具有良好的结构和衍射特性。     

新型MSIS结构气敏电容的研究

采用静电喷雾高温分解工艺制备ＳｎＯ２气敏膜，并与Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＯ２集成多层介质膜，用催化金属Ｐｔ作栅电极，制成新型的ＭＳＩＳ结构气敏电容。通过检测平带电压的变化，研究对Ｈ２和Ｏ２的气敏特性，分析其气敏机理并提出了检测的物理模型．     

采用多孔氧化硅形成超薄SOI结构的研究

本文采用多孔氧化硅全隔离技术获得了硅膜厚度小于１００ｎｍ、硅岛宽度大于１００μｍ的超薄ＳＯＩ（ＴＦＳＯＩ）结构．用透视电子显微镜剖面分析技术（ＸＴＥＭ）、扩展电阻分析（ＳＲＰ）、喇曼光谱、台阶轮廓仪和击穿电压测量等技术对多孔氧化硅超薄ＳＯＩ结构进行了分析，结果表明其顶层硅膜单晶性好，硅膜和埋层氧化层界面平整．实验表明硅岛的台阶形貌及应力状况取决于阳极化反应条件．在硅膜厚约为８０ｎｍ的ＴＦＳＯＩ材料上制备了ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ，输出特性良好．     

在1.8GHz频率下功率密度为2.8W／mm的4H—SiCMESFET

本文论述了使用４Ｈ－ＳｉＣ衬底及外延层制作ＭＥＳＦＥＴ的方法，测得了栅长为０．７μｍ、栅宽为３３２、ｍ的ＭＥＳＦＥＴ的直流、Ｓ参数和输出功率特性。     

pH－ISFET传感器及其测量方法研究

在对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器参数及其输出特性分析的基础上，讨论了四种测量ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的模式和适用条件，以及实现差分测量的简单方法。在ＩＳＦＥＴ／ＲＥＦＥＴ差分对结构测量中，以金膜作为辅助电极取代传统的甘汞参考电极仍得到较好的线性响应。     

pH—SIFET传感器及其测量方法研究

在对ＰＨ－ＩＳＦＥＴ传感器参数及其输出特性分析的基础上，讨论了四种测量ＰＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的模式和适用条件，以及实现差分测量的简单方法。在ＩＳＦＥＴ／ＲＥＦＥＴ差分对结构测量中，以金膜作为辅助电极取代传统的甘汞参考电有仍得到较好的线性响应。