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提出P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器(QWIP)结构,应用k·P方法计算应变Si/SiGe量子阱价带能带结构和应变SiGe合金空穴有效质量.结果表明量子阱中引入张应变使轻重空穴反转,基态为有效质量较小的轻空穴态,因此P型张应变Si/SiGe QWIP与n型QWIP相比具有更低的暗电流;而与P型压应变或无应变QWIP相比光吸收和载流子输运特性具有较好改善.在此基础上讨论了束缚态到准束缚态子带跃迁型张应变p-Si/SiGe QWIP的优化设计. 相似文献
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量子阱参数如势阱宽度、势垒高度和阱中的掺杂浓度决定了阱中的能级分布及光学吸收,它和量子阱红外探测器(QWIP)的响应波长、暗电流、响应率、探测率等特性参数密切相关.为了使设计的QWIP达到预期的各种性能指标,对其各参量进行了精心设计.运用量子阱的第一激发态与势垒的高度接近时产生共振效应,进行了量子阱的优化设计,得出垒高和阱宽的关系.另外,根据器件光谱响应的要求,利用传输矩阵法计算出相应的量子阱参数.此设计方法在GaAs/AlGaAs长波-长波双色QWIP中得到了较好的验证. 相似文献
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时域有限差分法模拟量子阱红外探测器光栅的光耦合 总被引:4,自引:2,他引:2
由于量子选择定则的限制,对于量子阱红外探测器(QWIP),必须利用衍射光栅增强其光学偶合效率,本文给出了一种基于时域有限差分法(FDTD)的数值方法,计算制备在QWIP器件上的金属光栅的衍射效应,模拟计算的结罘表明,FDTD方法是解析这种复杂结构内电磁场问题的有效手段.可以计算QWIP器件内各点电磁场所有分量的详细分布,进而可以估算衍射光栅的偶合效率,以及优化QWIP结构设计。 相似文献
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单轴压应变量子阱红外探测器吸收波长的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了单轴压应力对GaAs/AlGaAs/GaAs量子阱红外探测器(QWIP)吸收波长的影响。以量子阱电子干涉方法以及单轴压应力作用下量子阱应变理论为基础,分析了GaAs/AlGaAs/GaAs量子阱导带中子能级与应变的关系。理论上计算了单轴应力下四个QWIP吸收波长与应变的关系。结果表明,E1与E<1>能级之间的吸收波长和E(1)与EF能级之间的吸收波长随应变的增大而减小的幅度比E1与EF能级之间的吸收波长和E(0)与E1能级之间吸收波长随应变的增大减小的幅度大。 相似文献
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用Matlab程序语言数值计算了多量子阱结构的能级,并研究了量子阱间耦合对其带结构的影响。多量子阱模型是在一个一维有限深势阱(阱边势垒高为 V0)中插入等高(Vb)等厚(b)的势垒方式建成,被分割而成的多量子阱厚度为w。通过增加插入壁垒的个数N、改变阱垒厚度比w/b 及势垒高度比V0/Vb,分别近似计算了对应的结构的能级及波函数。计算结果显示,量子阱间耦合受上述参数的强烈影响,改变参数N,w/b 或V0/Vb ,能带和带隙的宽度是可以被调节的。研究说明,量子阱的能带及带隙宽度达到期望值是完全有可能实现的。 相似文献
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介绍了澳大利亚插头产品的法规要求及插头的型式、尺寸、参数和测试要点,分析了插头的电流额定值和配线之间的关系,强调了插销绝缘套的要求.对重要的试验项目,如弯曲试验、插销绝缘套的耐磨试验、温升试验、高温压力试验进行了说明. 相似文献
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该文以直接论述的方式,指出国家对质量工作的重视,就当前元器件和整机企业中存在的质量问题进行深入剖析,从宏观和微观层面对企业生存和发展的关键提出切实可行的建议和对策。 相似文献
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通过计算和实验首次探讨了异材浸润性的两个评价指标浸润角与铺展面积之间的关系,弄清了滴座实验方法与铺展实验方法的适用范围,在此基础上提出测量浸润角0M45”的氧化膜与玻璃之间的浸润性时应采用铺展实验方法。 相似文献
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励磁系统的PID参数对发电机组和电网稳定的可靠性和动态品质具有重要的作用。检验励磁系统PID参数准确性的方法主要是进行发电机空载阶跃响应试验。本文采用中国电力科学研究院研制的电力系统综合仿真程序PSASP对沧东电厂4号机励磁系统进行了5%机端电压阶跃仿真试验,然后根据仿真结果进行了现场试验,结果表明仿真结果对现场试验具有重要的指导意义,不仅节省了现场调试的时间,而且进一步提高了现场试验的安全性。 相似文献
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对比小型熔断体产品的欧洲、北美标准体系,分析了两类标准在额定值、外形尺寸、电气性能试验方面的差异,以及小型熔断体IEC标准的发展趋势。 相似文献
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文章介绍了国际标准组织中下一代网络(NGN)体系结构的最新研究进展,探讨了下一代网络可能的演进路线:从软交换到因特网协议(IP)多媒体子系统(IMS),即网络走向融合的道路。文章着重介绍了IMS的结构和功能实体。 相似文献