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相似文献
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新材料C60     
  相似文献   

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C60 LB膜的原子力显微镜表征   总被引:4,自引:0,他引:4  
自 1 98 5年人类首次发现球形全碳分子以来 ,它就以其独特的结构及性能迅速引起众多领域研究者的重视。C6 0分子因具有表面能低、高度球状对称结构、分子间键合弱以及承载能力强的特点 ,被预言为新一代超级润滑材料。对其摩擦学行为进行的诸多研究表明 ,由于C6 0分子间很强的自聚能力 ,使其在摩擦时呈现较高的摩擦系数。将其薄膜化特别是通过一定手段对其限域则可显著改善其摩擦性能。为了解有机长链分子与C6 0分子间的作用特征及其对C6 0LB膜微观形貌和微观摩擦学行为的影响 ,本工作在玻璃及单晶硅片衬底上分别拉制了C6 0与有机长链…  相似文献   

3.
C60势垒二极管   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文探讨将C60富勒烯材料作为有源矩阵液晶显示的开关元件。首先介绍了Lechner二极管有源矩阵液晶显示的原理。之后介绍了本文制作的C60二极管的工艺流程及其性能。将C60薄膜淀积在Al上,制成Al/C60结构的薄膜二极管。对Al/C60的肖特基结构与MIS结构的电学特性做了研究。Al/C60肖特基结构在偏压±2V时的整流比为30,而MIS结构在偏压±2V时整流比为100。在MIS结构中,AlOx的形成起着关键的作用。研究还发现,刚淀积好的薄膜二极管,其整流效应并不理想,在真空中经退火处理后,其性能得到增强。最后探讨了如何将C60势垒二极管与Lechner二极管有源矩阵液晶显示进行结合。  相似文献   

4.
刘波  王豪 《光电子技术》2000,20(2):116-121
采用热丝化学气相沉积法在覆盖C60膜的硅基片上沉积金刚石膜,研究了金刚石膜的成核与生长.实验结果表明,金刚石的成核密度可达1×106Cm-2,利用这种方法可实现衬底无损淀积金刚石膜.C60之所以能够促进金刚石成核,我们认为主要与C60分子本身独特的结构及H原子的激活作用有关.同时,高温下C60分解后残留的石墨等碳碎片以及C原子与衬底Si反应生成的SiC都可作为金刚石的成核位.  相似文献   

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提出了一个描述K3C60的amiltonian量,利用Green函数方法求出了计算其电导率的公式,并进行了数值计算,与实验结果比较相符。  相似文献   

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用ICB法制备C_(60)薄膜1990年以来,对作为新材料的C_(60)展开了广泛的研究工作,特别是利用掺杂碱金属来控制电导率,制作临界温度T_c=18K(K_3C_(60)),33K(RbCs_2C_(60))的超导体,用它制作新电子器件的希望很大...  相似文献   

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杨国伟 《半导体光电》1995,16(3):227-231
讨论了两类C60薄膜作为畔导体材料制备的光电器件:C60电致发光二级管和半导体聚合物/C60导质结二极管、分析了器件的工作原理、指出了C60作为半导体光电材料潜在的应用领域。  相似文献   

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研究表明 ,富勒烯C60 分子呈现出各种独特的物理化学性能 ,如机械、电学、电化学及光学性质等。富勒烯分子具有的优异摩擦学性能已逐步为人们所重视。富勒烯分子形状的高度对称性和高本体弹性模量使其具有较强的承载能力[1] ,对富勒烯薄膜的摩擦学测试同样表明 ,单一富勒烯薄膜具有较高的承载能力 ,但与有机薄膜相比 ,其摩擦系数较高。因此 ,将有机膜的低摩擦系数与富勒烯分子的高承载能力相结合 ,制备富勒烯分子与有机分子或聚合物的复合固体润滑膜 ,将进一步开拓富勒烯分子在摩擦学方面的应用。迄今为止的大部分研究中 ,C60 与聚合物复…  相似文献   

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本文采用速率方程理论,在入射激光波长为532nm,脉宽为15ns的情况下,理论拟合C60水溶胶反馈和吸收的实验曲线,得到了C60水溶胶激发态吸收截面的大小。  相似文献   

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C60与金属:界面相互作用和取向关系侯建国1,2王兵2张庶元1李永庆2王衍2徐文涛2曾建林2(中国科学技术大学,1.中国科学院成分与结构分析开放实验室,2.基础物理中心,合肥230026)C60与金属间的相互作用始终是科学家的关注焦点。在C60-碱金...  相似文献   

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布基球C60光限制效应研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
丁松涛  陈宗礼 《激光技术》1997,21(6):333-338
C60的成功合成与分离为深入研究激光防护新材料打开了大门,基于反饱和吸收机理的光限效应是C60的重要特性之一.本文就C60的光限机制、特性、最新研究进展及应用前景作一概述.  相似文献   

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用热壁外延法在氟金云母衬底上生长出了高质量C60薄膜,用原子力显微镜观察了样品的表面形貌.测量并分析了不同厚度C60薄膜的紫外-可见吸收光谱.由测量的透射及反射光谱,经计算得到了吸收系数与入射光子能量的关系.利用结晶半导体的带间跃迁理论,对禁戒的带间直接跃迁hu→t1u和电偶极允许的带间直接跃迁hu→t1g的带隙分别进行了计算.  相似文献   

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含C60聚合物薄膜的制备及其光电特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
管玉国  戴国瑞 《半导体技术》1998,23(2):51-53,55
采用PECVD技术,分别在不同衬底上淀积了含C70聚合物薄膜材料,对所淀积的薄膜材料进行了紫外可见光谱,质谱和表面光电压谱的分析,对异质结光伏性和薄膜表面横向光电压进行了测量,得到了具有应用前景的可喜效果。  相似文献   

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