UHF低噪声双栅GaAs MESFET放大器

本文介绍新颖的L波段双栅GaAs MESFET(砷化镓金属半导体场效应管)器件的特性及等效电路,给出了正确选择其工作状态的原则,着重讨论UHF低噪声双栅GaAs MESFET放大器的设计方法。根据设计制成的放大器具有增益高、噪声系数小、工作稳定、体积小等优点。     

低噪声宽带放大器的设计及应用

本文详细地叙述了UHF频段低噪声宽带放大器的设计及其应用。放大器由三只低噪声双极晶体管2sc3358组成,制作在环氧玻璃纤维敷铜板上,并安装在一个90×50×30mm~3的铝制屏蔽盒内。其性能为:频率范围470～970MH_2,增益>28dB,噪声系数(合混频器)<1.5dB。     

晶体管群放大器的设计

对群放大器的技术要求进行了分析,指出了设计的构思和考虑,得出了总体电路和各元件值,并进行了讨论.     

X波段低噪声放大器设计

从获取最小噪声系数角度来进行电路设计,采用Avago公司的0.2um GaAs pHEMT工艺芯片(T=18GHz),设计了工作于X波段(9-11GHz)的两级宽带低噪声放大器。测试结果为:在9-11GHz,噪声系数小于1.15dB,最小噪声系数在9.8GHz为1.015dB,功率增益在所需频段9-11GHz大于24dB,输入和输出回波损耗均小于-10dB。     

小尺寸微波晶体管放大器的设计

通常用微带电路进行微波晶体管电路设计时,在微波的低频段,微带电路的尺寸比较大,给使用带来不便,为了缩小几何尺寸,本文着重讨论利用短微带线加以电抗支节调谐,作微波晶体管放大器级间匹配的设计方法。     

微波晶体管放大器CAD

提出了一种新的设计微波晶体管放大器的电路模型，给出了通用优化设计程序，利用该程序分别设计了宽频带放大器，高增放大器及低噪声放大器。     

基于ADS仿真的宽频带低噪声放大器设计

介绍了一种宽频带、低噪声放大器的设计方法．首先介绍了不对称微带十字型结阻抗匹配的设计方法,与传统单频率点匹配网络相比,具有频带宽和结构紧凑的优点．接着设计了一个单级Ku波段低噪声放大器,利用不对称微带十字型结分别对输入、输出电路进行阻抗匹配,再通过电磁仿真软件ADS仿真、优化．仿真结果显示,该放大器在8—14GHz的频带范围内满足噪声系数、增益和驻波比的要求．     

5.8GHz CMOS全集成低噪声放大器设计

针对目前在LNA设计中存在需要在任意给定的功耗条件下噪声和输入阻抗同步匹配的问题,本文采用TSMC0.18μm RF工艺,通过利用共源共栅结构和功耗受限下噪声和阻抗同步匹配技术(PCSNIM),提出了一个可支持IEEE802.11a无线局域网(WLAN)标准的5.8GHz CMOS低噪声放大器,在中心频率处所提出的低噪放大器的噪声系数(NF)只有0.972dB。仿真结果表明:在1.8V供电电压下LNA的功耗为6.4mW,增益可达17.04dB,输入1dB压缩点(P1dB)约为-21.22dBm,同时具有良好的输入输出匹配特性。     

用于皮电检测的低噪声放大器的设计与仿真

根据皮肤电位的电特性 ,设计出一种低噪声放大器 ,并计算和分析了这种放大器的噪声因子 ,计算和分析结果表明该放大器是能够用于检测皮电信号的低噪声放大器 .     

光电负阻晶体管PNEGIT的研制

考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特点，设计和制造了在光照度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流下分别达到了０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ并测量了其特性。     

快速低漂移光电流放大器的研制

本文结合硅光电二极管的特性通过实例讨论了光电流放大器设计中的一些问题。较详细地论述了运算放大器参数对放大器特性的影响,並从理论上进行了推导计算。对噪声电压的影响也作了一些讨论,得出了测定元件参数的参考方法。最后给出了放大器的测试结果和在光电高温计中的应用情况。     

集成放大器噪声分析

分析了通用型集成运放的噪声性能，得出了它的噪声系数，指出了低噪声集成运放的设计原则和应用方法。     

用于超短脉冲放大的掺铒光纤放大器的研究

本文报道了用１４６９ｎｍ激光二极管泵浦的掺铒光纤放大器应用于超短光脉冲放大的实验结果．对１．５５μｍ，２．４ＧＨｚ的信号光，增益为１８ｄＢ，最大输出信号峰值功率可达４０ｍＷ，光脉冲经放大器后波形没有畸变，放大后的光脉冲实现了５３Ｋｍ的光孤子传输．     

B双〈B单的质疑与探讨

对双级阻容耦合放大器Ｂ双〈Ｂ单的论点提出质疑，经过反复讨论和实验验证了Ｂ双〈Ｂ单赖以成立的条件和结论与实际有很大差异的各种情况，进而提出测试双级耦合放大器通频带的正确方法和步骤。     

负反馈放大器的噪声分析

提出了采用方框图法分析负反馈放大电路的噪声,得出了负反馈不影响基本放大电路噪声性能的结论,简化了分析的步骤和复杂的计算。举例给出了方框图法分析的具体步骤。讨论了负载电阻噪声对负反馈放大电路噪声性能的影响。     

单电子晶体管低频散粒噪声的数值解

在文「１」的基础上，讨论了单电子晶体管在两态情况下，的散粒噪声的行为和噪声谱与各个 电路因子的关系，从而给出了优化单电子晶体管操作环境的一些重要结论：信噪比可以通过调节电路参数而得到抑制，通过调节门电压可以起到降低温度扰动的作用。     

新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管的设计及特性

研制了一种新模式的半导体场效应晶体第－－垂直沟道的偶载场效应晶体管（VDCFET），这种结构可以避免现有光刻技术的制约，使用常规的半导体双极晶体管工艺，既可把有效沟道长度减短，大大提高器件的速度，又可将电源电压降低到小于1V，大幅度降低功耗，改进其电学性能。本器件可应用于高频电路、D触发器、环振电路及反相器等重要电路。从纵向和横向报道了器件的设计思想，并给出了器件特性的测量结果。