Bi_(1.7)Pb_(0.4)Sr_(2－x)La_xCuO_(6－δ)体系的调制结构

Ｂｉ１．７Ｐｂ０．４Ｓｒ２－ｘＬａｘＣｕＯ６－δ体系的调制结构陆斌＊毛志强＊张裕恒＊李方华＊＃（＊中国科技大学结构分析开放研究实验室，合肥２３００２６＃中国科学院物理研究所）本文报道了名义组份为Ｂｉ１．７Ｐｂ０．４Ｓｒ２－ｘＬａｘＣｕＯ６－δ（ｘ＝０...     

Y－Cu－Se的透射电子显微镜研究

Ｙ－Ｃｕ－Ｓｅ的透射电子显微镜研究刘骏＊黄玉珍＃李方华＊＃（＊中国科学院物理研究所，＃国家超导重点实验室，北京１０００８０）Ｙ－Ｃｕ－Ｓｅ是一种新合成的多晶材料，具有抗磁性。本工作利用中国科学院物理研究所超导实验室的Ｈ－９０００ＨＡ透射电镜及其ＥＤＡ...     

高分辨电子显微像结合1000keV电子衍射测定"Pb"-1223的无公度调制结构

（Ｐｂ０．５Ｓｒ０．３Ｃｕ０．２）Ｓｒ２（Ｃａ０．６Ｓｒ０．４）２Ｃｕ３Ｏｙ（简称“Ｐｂ”－１２２３）是一维无公度调制结构［１］，超空间群是Ｐｍｍｍ（ν０１／２）［２］。其基本结构的晶胞参数ａ＝ｂ＝０．３８２ｎｍ，ｃ＝１．５３ｎｍ，调制波矢为：ｑ＝０...     

（100）SiTiO＿3基底上YBa＿2Cu＿3O＿7／SrTiO＿3／YBa＿2Cu＿3O＿7异质外延三层膜的透射电镜观察

（１００）ＳｉＴｉＯ＿３基底上ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７／ＳｒＴｉＯ＿３／ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７异质外延三层膜的透射电镜观察郭丽萍，刘贵荣，李　林（中国科学院物理研究所国家超导开放实验室，北京１０００８０）本文所观察的ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７／ＳｒＴ...     

Cr2O3改性PbTiO3压电陶瓷材料的研究

研究了Ｃｒ２Ｏ３作为改性添加剂对（ＰｂＳｍ）（ＴｉＭｎ）Ｏ３系压电陶瓷介电及压电性能的影响．实验表明，添加适量的Ｃｒ２Ｏ３能得到压电性能好、压电各向异性大、压电稳定性高的优良材料，其ｋｔ＝４５％～５０％，ｋｔ／ｋｐ＝１５～１８，ＴＣｆｔ３＝－０．８～－６ｐｐｍ／℃．因此，在研究、开发高性能压电材料过程中，Ｃｒ２Ｏ３不失为一种优良的改性材料．     

掺杂及烧结温度对Pb(Y1/2Nb1/2)O3-PbTiO3-PbZrO3性能的影响

为了改进０．０２Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２ ）Ｏ３－ｙＰｂＴｉＯ３－（１－ ０．０２－ ｙ）ＰｂＺｒＯ３ 系压电陶瓷的电学性能和力学性能,作者研究了多种常用添加物对０．０２Ｐｂ （Ｙ１／２Ｎｂ１／２ ）Ｏ３ －ｙＰｂＴｉＯ３ －（１－ ｙ－ ０．０２）ＰｂＺｒＯ３ 三元系压电陶瓷性能的作用, 探讨了不同烧结温度对材料性能的影响。实验结果表明, Ｓｒ２＋ 和Ｂａ２＋ 作为同价取代元素能够提高０．０２Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２ ） Ｏ３ －ｙＰｂＴｉＯ３ －（１－ ０．０２－ ｙ） ＰｂＺｒＯ３ 系材料的机电耦合系数（ｋｐ、ｋ３３ 、ｋｔ）、介电常数和压电系数, 降低机械品质因数Ｑｍ ; Ｌｉ＋ 、Ｃｒ３＋ 、Ｍｎ２＋ 、Ｎｉ３＋ 、Ｆｅ３＋ 等金属离子加入０．０２Ｐｂ （Ｙ１／２Ｎｂ１／２） Ｏ３－ｙＰｂＴｉＯ３－（１－ ０．０２－ ｙ） ＰｂＺｒＯ３ 会提高材料的机械品质因数, 同时也会损害介电、压电性能, 降低弹性柔顺系数, 体现了硬性添加物的一般特性; 退火对０．０２Ｐｂ （Ｙ１／２Ｎｂ１／２） Ｏ３ －ｙＰｂＴｉＯ３－ （１－ ０．０２－ ｙ） ＰｂＺｒＯ３ 压电材料性能有促进作用。     

激光二极管泵浦的固体激光新材料LaBGeO_5－Nd~（3＋）

激光二极管泵浦的固体激光新材料ＬａＢＧｅＯ＿５－Ｎｄ￣（３＋）１．ＬｎＢＧｅ２Ｏ４（Ｌｎ＝Ｌａ－Ｅｒ和Ｙ）在结构上分为两类。有较大Ｌｎ（Ｌａ－Ｐｒ）者具有ＣｅＢＳｉＯ５的非对称结构（Ｃ２３—Ｐ３１空间群），有较小Ｌｎ（Ｇｄ－Ｅｒ和Ｙ）者具有ＣａＢＳｉ...     

掺杂及烧结温度对Pb(Y_(1/2)Nb_(1/2))O_3-PbTiO_3-PbZrO_3性能的影响

为了改进０．０２Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２ ）Ｏ３－ｙＰｂＴｉＯ３－（１－ ０．０２－ ｙ）ＰｂＺｒＯ３ 系压电陶瓷的电学性能和力学性能,作者研究了多种常用添加物对０．０２Ｐｂ （Ｙ１／２Ｎｂ１／２ ）Ｏ３ －ｙＰｂＴｉＯ３ －（１－ ｙ－ ０．０２）ＰｂＺｒＯ３ 三元系压电陶瓷性能的作用, 探讨了不同烧结温度对材料性能的影响。实验结果表明, Ｓｒ２＋ 和Ｂａ２＋ 作为同价取代元素能够提高０．０２Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２ ） Ｏ３ －ｙＰｂＴｉＯ３ －（１－ ０．０２－ ｙ） ＰｂＺｒＯ３ 系材料的机电耦合系数（ｋｐ、ｋ３３ 、ｋｔ）、介电常数和压电系数, 降低机械品质因数Ｑｍ ; Ｌｉ＋ 、Ｃｒ３＋ 、Ｍｎ２＋ 、Ｎｉ３＋ 、Ｆｅ３＋ 等金属离子加入０．０２Ｐｂ （Ｙ１／２Ｎｂ１／２） Ｏ３－ｙＰｂＴｉＯ３－（１－ ０．０２－ ｙ） ＰｂＺｒＯ３ 会提高材料的机械品质因数, 同时也会损害介电、压电性能, 降低弹性柔顺系数, 体现了硬性添加物的一般特性; 退火对０．０２Ｐｂ （Ｙ１／２Ｎｂ１／２） Ｏ３ －ｙＰｂＴｉＯ３－ （１－ ０．０２－ ｙ） ＰｂＺｒＯ３ 压电材料性能有促进作用。     

脉冲激光淀积高电流密度的YBCO超导带材

采用脉冲激光加辅助离子源的方法在长为６．０ｃｍ的ＮｉＣｒ合金基带上制备０．１３μｍ厚的Ｙ－ＺｒＯ２（ＹＳＺ）隔离层，再用脉冲激光在ＹＳＺ／ＮｉＣｒ带上制备１．５μｍ厚的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ超导厚膜形成ＹＢＣＯ／ＹＳＺ／ＮｉＣｒ超导带材。实验测得在７７Ｋ，０Ｔｅｓｌａ下其临界电流密度为８．７５×１０４Ａ／ｃｍ２，超导转变温度为８８．６Ｋ。     

制备致密Bi（Pb）SrCaCuO超导陶瓷的新工艺──熔融淬火粉体烧结法

提出了制备致密Ｂｉ（Ｐｂ）ＳｒＣａＣｕＯ超导陶瓷的新工艺——熔融淬火粉体烧结法。制备出颗粒密度大、活性高的粉体，从根本上改善了铋系超导陶瓷的烧结性能，所得陶瓷超导性能良好。     

掺Y3+的TiO3系V型PTC材料制备工艺研究

以（Ｓｒ,Ｐｂ）ＴｉＯ３为主要原料,以Ｙ２Ｏ３为掺杂剂制备样品,论述了（Ｓｒ,Ｐｂ）ＴｉＯ３系Ｖ型ＰＴＣ材料的制备工艺要点,确定了掺杂剂的最佳掺量,并对其半导机理进行了分析。     

化学法制备的PTCR型（Sr,Pb）TiO3半导体陶瓷

采用化学共沉淀法制备（Ｓｒ１－ｘＰｂｘ）ＴｉＯ３粉末，在６０～２２０°Ｃ间获得了五种居里温度的ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷。实验结果表明，材料室温电阻率低于２０Ωｃｍ，升阻比高于１０５．５。文中还给出了（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３铁电体的四方→立方相转变温度（居里温度）、晶胞参数等一系列随Ｐｂ／Ｓｒ比变化的材料性质。     

涡街流量计用压电陶瓷材料的研究

在分析Ｐｂ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３＋ＢｉＦｅＯ３＋Ｓｒ（Ｃｕ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３以及Ｐｂ［（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）（Ｔｉ，Ｚｒ）］Ｏ３系列压电性能的基础上，通过调整系统中的锆钛比，得到压电性能参数满足要求的涡街流量计用压电陶瓷材料。     

Sr－Pb－Bi系中高压介质瓷结构与性能研究

采用Ｘ射线、ＳＥＭ等分析手段，通过实验研究了以（Ｓｒ，Ｐｂ，Ｃａ）ＴｉＯ３复合钙钛矿为基的中高压介质瓷中，Ｐｂ、Ｂｉ２Ｏ３·ｎＴｉＯ２含量（摩尔分数），ｎ值大小及ＭｎＣＯ３添加剂等因素对其微观结构及性能的影响规律。适当调节Ｐｂ含量，可获得一系列不同温度系数的高介低损耗瓷料；Ｂｉ２０３·ｎＴｉＯ２含量及ｎ值均存在优值；适量ＭｎＣＯ３作添加剂有利于介质损耗降低和介电常数温度系数的优化，室温介电常数会随其加入量的增加而降低。研制出εｒ＝２０００，ｔｇδ≤０．００５．试样｜△Ｃ／Ｃ｜≤１０％，综合性能好的中高压瓷料。     

YBa2Cu3O7／PBa2Cu3O7多层膜微结构的高分辨电镜研究

ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７／ＰＢａ２Ｃｕ３Ｏ７多层膜微结构的高分辨电镜研究刘维张云孙吉军＊赵柏儒＊李林＊（中国科学院物理研究所，＊国家超导实验室，北京１０００８０）通过改变非超导层的厚度，可以有效地调节超导薄膜的各向异性，所以多层膜的制备和研究能够加深对层状...     

中温烧结BaTiO3基瓷的非均匀结构对εr－T特性的影响

含低熔物Ｂｉ２Ｏ３·ｎＴｉＯ２及ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３的ＢａＴｉＯ３基中温烧结瓷料，通过改性物Ｌａ、Ｎｂ等在固－液相烧结过程中溶－析和缺位补偿固溶，主晶相ＢａＴｉＯ３晶粒形成核－壳结构，并存在玻璃相。这种非均匀结构对铁电相的制约作用，引起瓷料的εｒ－Ｔ特性的改变     

PZN—PNN——PZT体系压电陶瓷

对ＰＺＮ－ＰＮＮ－ＰＺＴ四元素统压电陶瓷组成与性能的关系进行了研究。通过Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等元素对部分Ｐｂ的转换以及用Ｌｉ２ＣＯ３、Ｓｂ２Ｏ３等适当掺杂改性，可获得相对介电常数ε３３／ε０约７０００，压电应变常数ｄ３３约８００ｐＣ／Ｎ，机电耦合系数ｋｐ约０．６５的一系列高性能压电陶瓷，是用于制作压电超声马达及各类高档压电电声器件的良好材料。     

溶胶半导化工艺制备（Sr,Pb）TiO3系热敏电阻材料

用溶胶－凝胶法制取了钇（Ｙ）掺杂剂溶胶。利用Ｙ溶胶添加剂对钛酸锶铅Ｖ型正温度系数材料进行了半导化。为便于比较,制备了具有不同含量Ｙ溶胶添加剂及Ｙ２Ｏ３固相氧化物的（Ｓｒ０．５,Ｐｂ０．５）ＴｉＯ３样品。实验结果表明,Ｙ溶胶作为半导化添加剂优于Ｙ２Ｏ３固相氧化物,它能改善（Ｓｒ,Ｐｂ）ＴｉＯ３系陶瓷的各项性能。通过Ｙ溶胶添加剂所制备的（Ｓｒ０．５,Ｐｂ０．５）ＴｉＯ３样品的最小电阻率为２．９０×１０２Ω·ｃｍ,其Ｙ溶胶引入量ｒ（Ｙ）为０．４５％。     

硅上溅射BSCCO薄膜的微结构分析

重点研究了利用偏轴射频溅射的方法在Ｓｉ衬底上生长ＹＳＺ（Ｙ稳定的ＺｒＯ２）缓冲层及Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导薄膜的工艺，获得了８２Ｋ的超导转变温度（Ｔｏｎ）。利用扫描原子显微镜和原子力显微镜对不同条件下生长的ＹＳＺ和ＢＳＣＣＯ薄膜进行了观察，提出了ＹＳＺ晶粒填补Ｓｉ衬底上针孔的新功能，并验证了ＢＳＣＣＯ薄膜的螺旋柱状生长机理。     

新型陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ组合增韧补强机理的实验研究

本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ＿２Ｏ＿３）、ＡＰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ）、ＡＷ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）和Ｊｘ－１（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ⅰ具有较高的抗弯强度（σ＿（ｂｂ））和断裂韧性Ｋ＿（Ｉｃ）；研究结果表明，在ＪＸ－２－Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。