冶金级硅真空蒸馏除磷研究

近几年，光伏产业以30％的速度持续强劲增长。作为原料的半导体工业副产品供应的不足并且在未来10-15年内也不能显著增加的情况下，建立独立的太阳能级高纯硅原料供应体系是不可避免的。从理论上分析了利用真空蒸馏的方法除磷提纯冶金级硅的可行性，并进行了真空条件下脱磷的实验研究。     

RH精炼添加钙合金去除硅钢夹杂物研究

采用RH精炼添加钙合金方式对硅钢进行钙处理。结果表明,钙合金添加量为0.67、1.00、1.67kg/t钢时,钢中钙含量分别为0、2×10-6、4×10-6;随着钙合金添加量增大,钢中夹杂物粒度逐渐由0～2μm向2～4、4～6μm偏移;不同钙处理条件下,钢中均存在粒径小于1μm和粒径为1～5μm的MnS、CuxS夹杂物,后者或单独存在,或同AlN、CaS夹杂复合;粒径为5～10μm区间,钢中的夹杂物基本以钙的氧、硫化物为主。与钙处理前相比,钙合金添加量为0.67、1.00、1.67kg/t钢时,粒径小于1.0μm的微细夹杂物减少幅度分别为68.06%、87.50%、94.94%。钙合金添加量为1.67kg/t钢时,可以去除钢中绝大部分的微细夹杂物。     

采用CaO精炼获得高纯金属及合金的进展

本分析了使用CaO坩埚进行精炼的机制；列举了CaO坩埚精炼过程在电子学、超导母合金等领域的一些成功的例子；总结了在先进结构材料（包括航空和航海仪器铸件、用于航空发动机上的高温合金铸件）方面的应用；展望了CaO坩埚精炼的前景。总之，CaO坩埚精炼在高纯金属及合金的发展方面具有良好的应用前景。     

用稻壳、稻草制取水玻璃过程中金属杂质的去除及其机理分析

对用稻壳、稻草制备水玻璃所剩余的炭渣进行了分析,给出实验结果.结果表明:金属成分在水玻璃的制备过程中以难溶化合物的形式被除去;难溶化合物能与酸反应,转化为可溶化合物;新技术制取的水玻璃溶液与传统方法相比,纯度相同,甚至更高.     

用稻壳、稻草制取水玻璃过程中金属杂质的去除及其机理分析

对用稻壳、稻草制备水玻璃所剩余的炭渣进行了分析，给出实验结果．结果表明：金属成分在水玻璃的制备过程中以难溶化合物的形式被除去；难溶化合物能与酸反应，转化为可溶化合物；新技术制取的水玻璃溶液与传统方法相比，纯度相同，甚至更高．     

工业硅中杂质铁去除的理论分析

分析了硅中杂质的分凝特性,计算、讨论了在定向凝固条件下硅中铁的有效分凝系数 K_(fef)和凝固速度 f的关系,并用生产实践中铁在硅锭中的分布,验证了理论分析的可靠性。提出了用组合结晶器定向凝固技术去除工业硅中杂质铁的工艺方法。     

冶金级硅真空蒸馏除磷研究(英文)

近几年,光伏产业以30%的速度持续强劲增长。作为原料的半导体工业副产品供应的不足并且在未来10～15年内也不能显著增加的情况下,建立独立的太阳能级高纯硅原料供应体系是不可避免的。从理论上分析了利用真空蒸馏的方法除磷提纯冶金级硅的可行性,并进行了真空条件下脱磷的实验研究。     

超声强化单宁锗中杂质铁去除研究

针对现行洗涤除杂工序问题,提出一种超声波强化单宁锗中杂质铁去除的新方法。在分析单宁锗中铁赋存状态及反应温度、液固比、硫酸质量浓度及超声功率等单因素影响的基础上,考察超声强化杂质铁去除的机制。研究结果表明：单宁锗中杂质铁的赋存形式复杂,包括Fe₂(SO₄)₃、Fe(OH)₃、Fe SO₄、单宁-Fe(Ⅲ)络合物等,需要超声酸洗去除。当超声功率为225 W、硫酸质量浓度为20 g/L、液固比为7:1 m L/g、反应温度为40℃和反应时间为30 min时,铁的去除率达到85.95%,比常规条件的去除率增加9.8%左右。单宁锗中杂质铁的去除受内扩散步骤控制,超声作用能够增加杂质铁与硫酸的接触,降低反应的扩散阻力,使铁去除表观活化能由常规条件下的17.190 k J/mol减小至13.856 k J/mol,从而提高杂质铁的去除效率。     

工业硅中金属杂质分布及存在形式

选取工业硅锭不同位置的硅块做对比实验,对其中杂质特别是金属硬质杂质的形貌、分布、种类和含量做了详细研究,并对Fe、Al杂质的去除提出了湿法酸浸出的后续处理方案.     

硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究

随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级（<0.5μm）和亚四分之一微米级（<0.25μm）发展，对半导体硅片及其它硅基材料的质量要求越来越高，研究上述材料中各种杂质的行为，控制缺陷类型及数量，提高晶体完整性，降低表面污染和采用缺陷工程的方法改善材料质量显得尤为重要。文章阐述了深亚微米级和亚四分之一微米级集成电路用大直径硅材料中铁、铜金属和氧、氢、氮非金属杂质元素的行为，点缺陷及其衍生缺陷的本质与控制方法，硅片表面形貌、表面污染与检测方法的研究热点。同时还介绍了外延硅、锗硅及绝缘体上硅（SOI）等硅基材料的特性、制备及工艺技术发展趋势，展望了跨世纪期间硅及硅基材料产业发展的技术经济前景。     

杂质吸除技术与高效硅太阳电池

应用杂质吸除技术,以1Ω—cm P型Φ60mm复拉单晶硅制作N+—p—p+铝背场太阳电池,在AM1.5条件下,全面积光电转换效率在10％以上(有效面积光电转换效率为12％)的太阳电池占90％,最高可达14％(有效面积光电转换效率为16.2％)。在P+—N—N+型太阳电池上获得相同的结果。     

稀土、钡用于铝硅合金变质、精炼复合熔剂的研究

研究了稀土、钡盐变质、精炼一次处理的复合熔剂对机械性能的影响．结果表明铈、钡复合处理后，共晶硅由粗大片状变为颗粒状，组织明显细化；铝液中的气体和氧化夹杂物被排除而净化，致使铝硅合金的机械性能得到了改善．     

77K下硅中杂质电离率的计算

用纯数值技术计算了７７Ｋ硅中杂质的电离率，考虑了Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计、禁带变窄效应、冻析效应以及温度对各种物理参数的影响，计算结果比简化模型精确，而且可插入到半导体器件模拟软件中。     

地下水中溶解性硅、铁和锰的同步去除

针对某地地下水溶解性硅、铁和锰同时超标的情况,开展了曝气+三氯化铁、次氯酸钠+三氯化铁、曝气+氢氧化钙、次氯酸钠+氢氧化钙及曝气+氢氧化钙/三氯化铁等技术同步去除水中溶解性硅、铁和锰的研究.曝气氧化方法的试验结果表明:以三氯化铁为混凝剂时,不能实现硅、铁和锰的同步去除;以氢氧化钙为混凝剂时,可实现硅、铁和锰的同步去除(当氢氧化钙投加量为500 mg/L时,硅、铁和锰的去除率分别为51.2%、84.3%和90.9%),但出水pH值不符合水质要求;采用氢氧化钙/三氯化铁复配混凝剂时,可进一步强化硅、铁和锰的同步去除,同时出水浊度均小于0.71 NTU,pH值符合水质要求.采用次氯酸钠为氧化剂的试验结果表明:以三氯化铁为混凝剂时,可有效去除铁和锰,但对硅和浊度的去除效果较差;以氢氧化钙为混凝剂时,可实现硅、铁和锰的同步去除,且对浊度有较好的去除效果,但出水呈较强碱性,不符合水质要求.综合考虑,推荐采用曝气+氢氧化钙/三氯化铁复配混凝剂作为同步去除地下水中硅、铁和锰的方法.当氢氧化钙投加量为500 mg/L、三氯化铁投加量(以Fe~(3+)计)为22.4 mg/L时,出水残余硅、铁和锰的含量分别为13.74、0.15和0.005 mg/L,pH值为8.5,出水浊度为0.65 NTU,符合GB 5749—2006《生活饮用水卫生标准》的要求.     

生物提取胰岛素中高分子蛋白杂质去除工艺的优化

对猪胰脏来源的胰岛素原料药中的高分子蛋白质杂质采用超滤膜和微孔滤膜过滤方法去除并对工艺进行了优化. 通过去除后的原料药活性、收率、高分子蛋白质杂质去除率等参数并与标准品的比对,确定了高分子蛋白质杂质去除最佳条件. 结果表明,经50 kD 超滤膜过滤方法能有效去除生物提取胰岛素原料药中高分子蛋白质杂质,并且收率较高,生物活性损失较低,可用于猪胰脏来源生物提取胰岛素的生产.     

硅锰合金中磷量的测定

介绍了用磷钼黄比色法测定硅锰合金中磷量的具体操作过程及结果分析     

在催化裂化反应中金属杂质对积炭的影响

采用ＩＲ，ＴＧ，ＥＳＲ，ＸＰＳ等技术研究了催化裂化反应中金属杂质沉积在催化剂上对积炭的影响。结果表明；金属杂质的助积炭作用来自于杂质的脱氢功能和杂质对催化剂酸性的增强。Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｕ及其氧化物在裂化过程中有明显的助积炭作用，ＺｎＯ，ＣｅＯ也有助积炭作用。金属杂质在催化上是高度分散的游离状态。     

铝硅合金中Si_初细化的现状与初探

在分析过共晶铝硅合金Ｓｉ初细化现状的基础上，通过实验研制出ＰＪ－３、Ｐ－Ｓ－Ｗ、Ｐ－Ｒ细化剂，并配合恰当的处理工艺．使Ｓｉ初的分散度提高了１～２倍．     

萃取－原子吸收法测定钼酸铵中微量金属杂质

本文研究了铜试剂－甲基异丁基酮（即ＤＤＴＣ－ＭＩＢＫ）萃取－火焰原子吸收法测定高纯钼酸铵，氧化钼中微量Ｃｕ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｄ的方法。探讨了较佳仪器测量条件及萃取条件。