太阳能级硅材料纯度分析的标准与方法简析

介绍了国家标准中太阳能级多晶硅纯度的相关技术要求、太阳能级硅材料纯度分析各种技术的已有标准方法或非标准方法、方法适用范围、方法原理及其各自的特点.     

一种新型廉价太阳级硅制备技术

介绍了一种利用辉光放电产生冷等离子体进行硅粉纯化的廉价价太阳级硅制备系统，运用流体力学和低温等离子体物理学的原理对该系统中的气体流动、电场分布以及硅粉受力进行了详细的分析，建立了硅粉在该系统的运动模型，并且对系统内硅粉运动速度进行了讨论。提出了优化冶金效果的措施。     

测量太阳池盐浓度的激光光纤技术

报道了太阳池盐浓度激光光纤测试系统的工作原理及研制结果。光行探头呈Ｕ形,采用直径小于１ｍｍ的单根塑料光纤。该系统测试过程简单,能进行实时连续监测,准确度高。     

冶金级硅及太阳能级硅的生产

提出了冶金级硅及太阳能级硅的先进生产方法,讨论了在熔炼硅时产生的化学反应及如何利用感应炉去除冶金级硅中杂质的有效方法,以及介绍了单晶硅锭和多晶硅锭的生产方法。     

汽轮机末级叶片激光熔覆的研究

以Nb、Ti、Si合金粉末(at%61:21:18)为原料,在汽轮机末级叶片材料Ti-6Al-4V(TC4)合金表面进行激光熔覆,应用OM、XRD、SEM、EDS和EMPA等方法分析了涂层的显微组织,测试了涂层的显微硬度。结果表明:激光熔覆涂层的组织是在共晶连续固溶体(Nb,Ti)ss弥散分布着Nb3Si和Ti5Si3颗粒,涂层的显微硬度在HV960-1000之间,比基体合金提高了近3倍。     

太阳热水器化学除垢实验研究

介绍了太阳热水器内部结垢后的危害性及化学除垢的原理和金属的防腐蚀原理,对太阳热水器除垢前后的热效率进行了实验对比,对除垢时各种因素对金属腐蚀速率的影响进行了实验研究。     

太阳能级硅的电磁约束感应熔炼

报道了太阳能级硅的民磁约束感应熔炼技术（ＥＩＭ）。依据电磁悬浮熔炼原理，在磁悬浮技术的基础上，把电磁肫浮熔炼技术和冷坩埚技术相结合，通过感应线圈、石墨预热环、Ａｌ２Ｏ３隔热环及水冷铜支架等的设计，成功地熔化了重为１０ｇ的硅试样，熔化过热度达２００℃。该技术具有熔化能力大，过热度高、二次污染少，定量浇注及节约硅材料等优点，基本满足了离心铸造法制硅片对熔化的。     

喷射集热器型淡水太阳池的实验研究

本文对淡水太阳池进行了分类,并提出了一种改进型淡水太阳池,其特点是透明盖层和吸热板均倾斜放置,以肌利于拦截太阳辐射;     

被动式太阳房供暖实验研究

通过对新建被动式太阳房及相同结构的对比房室内温度及室外温度、太阳辐照度等参数的监测,研究了寒冷季节室内温度随室外气象条件以及太阳辐照度的变化情况。通过分析发现,在室内无热源及辅助热源条件下,太阳房室内平均空气温度比对比房室内平均空气温度高7.2℃,最高温差达18.3℃,最低温差0.3℃。通过对太阳房供暖节能率ESF分析计算得出太阳房供暖保证率较高,证明了在此建立被动式太阳房建筑的可行性和经济性。     

A级太阳模拟器的光谱校正

提出一种太阳模拟器光谱校正滤光膜的设计方法:通常的太阳模拟器利用高压脉冲氙灯模拟太阳光,但脉冲氙灯的线谱较强.该文用Macleod薄膜设计软件对所需膜系进行理论设计与分析,给出理想膜系的理论滤光结果,并进行实际镀制,用八棱柱管代替圆柱管做基片以降低成本,实测结果表明模拟效果很好,达到A级太阳模拟器标准.     

晶体硅粒太阳电池的硅粒层研究

为降低太阳电池的制造成本,设计了一种新颖的太阳电池－硅粒太阳电池。采用淮相外延方法,成功地在劣质单晶硅片上生长出粒度均匀,大小适宜,排列整齐和光电特性优良的单晶硅粒。报道了该单晶硅粒的生长方法,生长动力学以及硅粒层的形貌的一些半导体特性。     

连续CO2激光熔凝太阳能硅材料

采用大功率连续ＣＯ２激光熔凝硅粉末，生长得到纯度较高的太阳能多晶硅材料，探讨了影响太阳电池效率的少子复合中心和微观组织结构以及激光消除复合中心和改善微观组织结构的机理。在实验中获得了杂质浓度低且呈较整齐分布的柱状晶太阳能多晶硅材料。     

高效单晶硅太阳电池的研制

简述了高效单晶硅太阳电池的初步研制结果。对电阻率不同的ＣＺ和ＦＺ材料和不同的电池结构进行了实验。为了提高效率，对发射区钝化工艺、分区轻（ｎ＾＋）重（ｎ＾＋＋）扩散、背场、表面织构化技术和氯清洗等工艺进行试验研究。目前制备的最好电池，其效率为１８．６３％。     

整形激光掺杂制备PERC电池选择性发射极研究

研究整形激光掺杂制备选择性发射极(SE)对p型单晶硅钝化发射极局域背接触(PERC)太阳电池的表面金字塔形貌、掺杂分布及电池性能的影响.整形激光具有能量分布均匀、对硅片损伤小等优点.通过改变激光的功率以及激光划线速度在p型单晶硅PERC太阳电池制备了不同掺杂分布的发射极.结合3D激光显微镜、扫描电子显微镜、EDS能谱分...     

晶体硅太阳电池选择性扩散的研究

该文主要介绍一种制造太阳电池的选择性扩散新工艺,采用印刷电极的方法在硅片上的电极位置印刷高 磷浆料,然后在整个硅片表面喷涂一层浓度较低的磷源,放入高温炉中扩散后形成电极下具有较高的表面掺杂浓 度(-1020／cm3),电极间具有相对较低的表面掺杂浓度(-1019／cm3)。这样在电极下及具附近将构成一个浓度差结。 这种发射极结构有利于减小发射区复合电流、提高短波响应、作好欧姆接触和提高太阳电池的开路电压等优点。     

激光开槽埋槽电极硅太阳电池的性能及分析

报道了面积为４５ｃｍ＾２的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的研制情况。在ＡＭ１．５、２５℃、１００ｍＷｃｍ＾－２的条件下，测试３６片该类太阳电池，其输出参数的平均值为：Ｊｓｃ＝３６．１ｍＡｃｍ＾－２，Ｖｏｃ＝６３３ｍＶ，Ｆ．Ｆ＝０．７９８，η＝１８．２３％，最后，分析了该类电池特有的工艺及结构设计的作用机理。     

单晶硅太阳电池背场欧姆接触的改善研究

采用磁控溅射在扩散工艺后的单晶硅片背面沉积了铝膜,对样品在600～900℃之间进行了快速热处理,利用四探针电阻测试仪、扫描电镜对热处理前后样品的电阻率、形貌等进行了表征,用半导体参数测试仪测量了样品的I-V曲线,计算了铝膜与硅片的接触电阻,并同步与印刷铝浆料样品进行了对比,研究表明,与丝网印刷工艺相比,溅射铝膜具有均匀细腻、电阻率低、接触电阻小等优点.     

冷等离子体提纯硅粉薄层的实验研究

研究了冷等离子体提纯硅粉薄层时硅粉的粒度与硅粉薄层的厚度对提纯效果的影响,实验表明,硅粉的颗粒大小在60-80μm之间,硅薄层的厚度为0.5mm时提纯效果较好。     

多孔硅在多晶硅太阳电池上的应用

在化学法制作的多孔硅的硅片上制备得到５ｃｍ×５ｃｍ太阳电池，效率为９．６％。对多孔硅进行了萤光光谱及反射率测量，并对多孔硅在太阳电池上的应用进行了讨论。     

聚合物衬底非晶硅太阳电池的研制

报道了高透过率、耐高温聚酰亚胺薄膜的制备方法和性能。以该膜为基体制成的柔性衬底非晶硅太阳电池，转换效率达４．６３％，重量比功率达２３１．５ｍＷ／ｇ。