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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
SnO_2-LiZnVO_4系棒状与球形晶粒湿敏陶瓷特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
对比研究了尿素共沉淀法和氨水共沉淀法制备出SnO_2-LiZnVO_4系湿敏陶瓷的显微结构和湿敏特性,考察了液相掺杂LiZnVO_4对材料湿敏特性的影响.实验结果表明,采用尿素共沉淀法制备出的SnO_2-LiZnVO_4系湿敏材料具有棒状晶粒的微结构,而采用氨水共沉淀法制备出的该系湿敏材料具有球形晶粒的微结构.湿敏特性表明,2种微结构的湿敏材料都是液相掺杂LiZnVO_4的摩尔分数为10%时可使材料湿敏性能最好.但棒状晶结构的SnO_2-LiZnVO_4系湿敏材料低湿电阻更小,灵敏度更适中.频率特性表明,测试频率对2种试样的阻抗-相对湿度特性曲线影响都较大.稳定性分析表明,棒状晶结构的试样比球形晶粒结构的试样更稳定.  相似文献   

2.
SnO2是一种优良的气湿敏陶瓷材料,应用十分广泛,是一类十分有前途的湿敏材料。综述了添加剂对SnO2系湿敏陶瓷的微结构和电性能的影响之研究现状。结果表明:添加适量的LiZnVO4和碱金属,可使材料获得规则的棒状晶粒微结构,低湿电阻较小,灵敏度适中等良好的湿敏性能。并阐明了SnO2系湿敏陶瓷未来的研究方向可以结合TiO2,制备TiO2,SnO2,LiZnVO4和碱金属复合材料。  相似文献   

3.
采用尿素共沉淀法制备SnO2纳米粉体,考察了液相掺杂LiZnVO4对其湿敏性能的影响,测试了材料的电抗特性、电容量特性和响应–恢复特性。结果表明,采用尿素共沉淀法制备SnO2纳米粉体,液相掺杂x(LiZnVO4)为10%时,可使材料具有较好的湿敏性能和响应–恢复特性,响应时间和恢复时间都为55s左右。测试频率对材料的电抗和电容量影响很大。  相似文献   

4.
为了提高 SnO_2-LiZnVO_4系湿敏材料的性能,采用共沉淀法制备出 SnO_2-K_2O-LiZnVO_4系纳米湿敏粉体。考察了液相掺杂 K+对材料湿敏性能、复阻抗特性和电容特性的影响。实验结果表明,采用共沉淀法制备纳米粉体并使K+液相掺杂量为 2.5%(摩尔分数),可使湿敏材料低湿电阻小、灵敏度适中,适当的 K+添加量可明显改善 SnO_2-LiZnVO_4系纳米材料的感湿特性。  相似文献   

5.
采用共沉淀法制备了Zn2SnO4-LiZnVO4系纳米粉体,考察了液相掺杂LiZnVO4对材料微结构、湿敏性能的影响,分析了材料的复阻抗特性和频率特性。结果表明,适当的LiZnVO4添加量可明显改善Zn2SnO4-LiZnVO4系纳米材料的微结构和感湿特性。采用共沉淀法制备纳米粉体并使LiZnVO4液相掺杂为10%(摩尔分数),可使Zn2SnO4材料具有低湿电阻小、灵敏度适中的湿敏特性,频率特性表明该材料具有较好的频率响应。  相似文献   

6.
在基片温度180℃溅射淀积的SnO_2超微粒薄膜,内应力较小,含有很多微孔,对乙醇有很高的灵敏度。  相似文献   

7.
SnO2薄膜的湿敏效应   总被引:6,自引:0,他引:6  
报道了用喷雾热分解法在不同温度下制备二氧化锡薄膜,发现其在325℃时已晶化,得到四方相多晶SnO2。这种薄膜具有明显湿敏效应。测量表明,较高湿度区阻值随湿度变化近似线性,从高湿到低湿平均为每上升1%RH,阻值下降8.8π,响应速度小于1分钟,阻值恢复较容易。  相似文献   

8.
为了解决乙醇传感器灵敏度不够高和选择性较差的问题,使用稀土金属氧化物代替贵金属及其化合物作为催化剂和添加剂制成了以SnO2-ZnO为主体的气敏材料,并对其气敏性能进行了研究。结果表明,此方法可有效提高SnO2-ZnO气敏材料对乙醇气体的灵敏度及选择性;利用制成的SnO2-ZnO气敏材料,可以生产出高灵敏度、高选择性的乙醇传感器。  相似文献   

9.
CuO掺杂纳米SnO_2的气敏性能研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用柠檬酸溶解–热解法制备纳米SnO2,并对其进行由不同Cu源制备的CuO粉体机械混合掺杂,进而对掺杂氧化物进行XRD表征,采用静态配气法测试其气敏性能。结果表明:少量的CuO机械混合可掺入纳米SnO2粉体的晶格中,以CuSO4为原料制备的CuO掺杂,可有效提高SnO2粉体对H2S气体的气敏性能,且以5%CuO掺杂量(质量分数)在120℃时,对0.0005%H2S的气敏性能最好,灵敏度可以达到4545。  相似文献   

10.
纳米化SnO_2气敏材料的研究进展   总被引:1,自引:1,他引:0  
二氧化锡(SnO2)是一种传统的n型半导体气敏材料,纳米化是改进和提高SnO2气敏特性的重要途径。对近几年来SnO2气敏材料纳米化的研究进行了介绍,主要针对几种典型的具有特殊形貌纳米结构的SnO2气敏材料合成方法和气敏特性等方面的研究成果进行了概述,并对这些特殊形貌纳米结构SnO2作为高性能气敏材料应用和发展的前景进行了展望。  相似文献   

11.
An MWCNT-doped (multi-walled carbon nanotube) SnO_2 thin film NO_2 gas sensor, prepared by radio frequency reactive magnetron sputtering, showed a high sensitivity to ultra-low concentrations of NO_2 in the parts per billion range. X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, and scanning electron microscopy (SEM) characterizations indicated that the MWCNTs were affected by the morphology of the SnO_2 thin film and the particle size.The properties of the MWCNT-doped SnO_2 sensor, such as sensitivity, selectivity, and response-recovery time, were investigated. Experimental results revealed that the MWCNT-doped SnO_2 thin film sensor response to NO_2 gas depended on the operating temperature, NO_2 gas concentration, thermal treatment conditions, film thickness, and so on.The mechanism of the gas-sensing property of the MWCNT-doped SnO_2 thin film sensor was investigated and showed that the improved gas-sensing performance should be attributed to the effects between MWCNTs (p-type) and SnO_2 (n-type) semiconductors.  相似文献   

12.
ZnCr_2O_4陶瓷湿度检测新方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
电阻型湿敏陶瓷在湿度检测上的应用有一定局限性,采用ZnCr2O4系陶瓷检测湿度可以避免这种局限性。通过实验研究了CO、CO2、SO2、H2S、NH3、CH3OH及C2H5OH七种气体对湿度检测的干扰情况。结果证明,这种方法是可行的。  相似文献   

13.
宋丽丽  韩建峰 《现代电子技术》2012,35(14):149-151,154
为了克服传统的传感器特性测试仪功能单一、专用性强的缺点,利用GPIB卡组建由ZL5型智能LCR测试仪与计算机构成的湿敏元件性能测试系统,并基于LabVIEW开发出系统控制软件。根据存储文件方式的不同,采用不同的图形分析方法。通过将其应用于氧化钛基薄膜的湿敏特性研究实验,结果表明该系统能够方便、直观地分析湿敏元件的性能。  相似文献   

14.
以 Sn( OH) 4 水合胶体为原料 ,采用溶胶 -凝胶方法在 Si片上制备了 Sn O2 纳米晶薄膜 ,利用差热、热重、X光衍射以及原子力显微镜对薄膜的合成以及特性进行了分析 ,结果表明 :在60 0℃条件下烧结结晶的纳米晶薄膜表面平整 ,具有金红石结构 ,平均粒度在 1 0 nm左右 .以该薄膜为敏感体采用平面工艺制成的 FET式气敏元件在常温下对乙醇蒸汽具有非常好的选择性 .  相似文献   

15.
二氧化锡材料气敏机理的研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文建立了氧离子陷阱势垒模型来说明多晶SnO_2材料的导电机制与气敏机理,推导出了不同情况下SnO_2灵敏度与还原性气体浓度的关系,以及影响该灵敏度的结构参数.实验结果表明,提出的模型能较好地解释SnO_2材料的各种气敏特性.  相似文献   

16.
SnO_2薄膜的红外光谱和表面光电压谱的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文采用PECVD方法制备了SnO_2薄膜,对薄膜进行了红外光谱和表面光电压谱测量发现,薄膜表面化学吸附O_2~(2-)和O~-离子基团,成为反应活性中心、电子转移的桥梁,推测了SnO_2表面与乙醇气体敏感反应历程.SnO_(?)薄膜淀积在n-Si上,使其表面光电压信号增强二个数量级以上,我们认为是SnO_2/n-Si异质结作用和消反射作用的结果.  相似文献   

17.
通过X光衍射图分析,确认了较低温度下CVD法生长的非掺杂SnO2晶膜含有较多的偏离SnO2配位的晶体成份,从而定性地解释了该晶膜具有较高的气体敏感度的现象。  相似文献   

18.
温湿度传感器SHT15及其在嵌入式系统中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了提高测氡仪温湿度测量的精度及实时性,提出了数字式温湿度传感器SHT15在测氡仪中的应用方案.首先介绍了数字式温湿度传感器SHT15的基本特点、工作原理、内部结构,测量分辨率和测量范围,操作命令及启动时序,同时给出了SHT15温湿度传感器在嵌入式系统中的应用,利用SHT15与S3C2440A微控制器组成了测氡仪的温湿...  相似文献   

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