掺杂聚合物蓝绿发光二极管

本文报道了用有机染料８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ３分散到聚乙烯基咔唑（ＰＶＫ）中的掺杂聚合物作为有源层制作的蓝绿发光二极管（ＬＥＤ），聚合物发光层用旋转涂敷的方法制备．ＩＴＯ／Ａｌｑ３：ＰＶＫ／Ａｌ器件在正向偏压为６Ｖ时可以看到蓝绿发光，峰值波长为５１０ｎｍ，最大亮度为１６８ｃｄ／ｍ２．     

可溶性PPV衍生物电致发光器件

研究了ＭＮ－ＰＰＶ薄的光致发光和电致发光特性。结果表明,单层器件中的电至于和发光峰值位置与所加电压无关;在双层哗啦结构（ＩＴＯ／ＭＮ－ＰＰＶ／Ａｌｑ３／Ａｌ）中,当Ａｌｑ３很薄Ｆ（小于或等于１０ｍｉｎ）时,仅看到ＭＮ－ＰＰＶ的发光;当Ａｌｑ３的厚度为２０ｎｍ时,可看到Ａｌｑ３的特征发光,但Ａｌｑ３的发光谱值强度 与ＭＮ－ＰＰＶ的发光峰值强度之比随电压增大而下降;当Ａｌｑ３的厚度为３０ｎｍ时,Ａｌｑ     

Gaq3有机薄膜电致发光器件

首次报道了采用８－羟基喹啉镓螯合物作为发光层制备有机薄膜电致发光器件，器件的结构为：ＩＴＯ导电玻璃／ＴＰＤ／Ｇａｑ３／Ａｌ。研究了Ｇａｑ３薄膜的光致发光和器件的电致发光机理，同时测量和研究了器件的电流密度－－电压（Ｊ－Ｖ）特性和发光亮度－电压（Ｂ－Ｖ）特性。结果表明器件的电致发光峰值波长为５４０ｎｍ，在２０Ｖ直流电压驱动下的最大发光亮度约２５００ｃｄ／ｍ＾２明显高于上同结构和工艺参数制备的Ａｌｑ３     

创新推出8倍速DVD-ROM套件

创新公司的ＤＶＤ－ＲＯＭ套件又将升级,配备８倍速ＤＶＤ－ＲＯＭ的ＰＣ－ＤＶＤＥｎｃｏｒｅ８Ｘ即将上市。ＰＣ－ＤＶＤＥｎｃｏｒｅ８Ｘ套件包括一个８ＸＤＶＤ－ＲＯＭ和一块采用Ｄｘｒ３技术的ＭＰＥＧ２解压缩卡,能提供效果上佳的硬件ＭＰＥＧ２解压缩的影音播放效果。创新的ＤＸＲ３（ＤｙｎａｍｉｃＸｔｅｎｄｅｄＲｅｓｏｌｕｔｉｏｎ３）技术,除了能完成硬件ＭＰＥＧ２解压缩外,还可将ＤＶＤ影片普遍使用的ＡＣ－３５．１声道数码音效输出,再通过ＡＣ－３解码器由５．１声道音箱输出相当于影院的效果,该卡还配有Ｓ／ＰＤＩ…     

Ⅲ族锢源对LP－MOVPE方法生长In_（1－x）Ga_xAs材料的影响

本文报道了利用低压金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，在（００１）ＩｎＰ衬底上生长Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ体材料及Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ／ＩｎＰ量子阶结构材料的结果．对于ＴＭＧ／ＴＥＩｎ源，Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ材料的非故意掺杂载流子依匿为７．２×１０１６ｃｍ－３，最窄光致发光峰值半宽为１８．９ｍｅＶ，转靶Ｘ光衍射仪对量子阶结构材料测到±２级卫星峰；而对于ＴＭＧ／ＴＭＩｎ源，非故意掺杂载流于浓度为３．１×１０￣１５ｃｍ￣（－３），最窄光致发光峰值半宽为８．９ｍｅＶ，转靶Ｘ光衍射仪对量子阶     

LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ结构橙黄色发光二极管．引入厚层Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ电流扩展层和Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ－ＡｌＡｓ分布布拉格反射器（ＤＢＲ）．２０ｍＡ工作条件下，工作电压１．９Ｖ，发光波长峰值在６０５ｎｍ，峰值半宽为１８．３ｎｍ，管芯平均亮度达到２０ｍｃｄ，最大２９．４ｍｃｄ，透明封装成视角（２θ１／２）１５°的ＬＥＤ灯亮度达到１ｃｄ．     

SOI结构MOSFET

据日本《エレクトロニクス》１９９９年第３期报道,日本ＮＴＴ公司开发了ＳＯＩ结构ＭＯＳＦＥＴ,栅长为０．５μｍ,栅宽为０．８ｍｍ,ＲＦ特性为２ＧＨｚ,１９ｄＢｍ,ＰＡＥ为６８％,工作电压为３．６Ｖ。能获得如此高的功率附加效率,主要是有效地降低了输出电容。此外,菲利普公司新开发的双极晶体管,通过改善器件的二次谐波调谐（Ｈａｒｍｏｎｉｃｔｕｎｉｎｇ）来提高附加效率和降低输出电容。其ＲＦ特性为１．８ＧＨｚ,０．５Ｗ（２７ｄＢｍ）,ＰＡＥ为７１％和３．５Ｖ的工作电压,已接近ＧａＡｓ高频器件的性能。SOI结…     

Eu3+配合物红色有机电致发光器件

合成了一种新型的Ｅｕ＾３＋配合物－Ｅｕ（ＢＡ）２（ＭＡＡ）（Ｐｈｅｎ）,并将其作为红光发射材料制备了结构为Ｇｌａｓｓ／ＩＴＯ／Ｅｕ（ＢＡ）２（ＭＡＡ）（Ｐｈｅｎ）／Ａ１ｒ的有机电致发光薄膜器件。这种材料具有很强的荧光和很好的单色性且比较强的电致发光。器件的开戾电压为１２Ｖ。在电压为２６Ｖ的正向驱动下,器件的亮度为１５ｃｄ／ｍ＾２,发光效率为０．２５１ｍ／Ｗ。结合测量粉末、薄膜状态下的荧光光谱、激发     

双层电极有机电致发光器件

主要讨论了在有机双层电致发光器件 Ｉ Ｔ Ｏ／ Ｔ Ｐ Ｄ／ Ａｌｑ３／ Ａｌ 的 Ａｌｑ３／ Ａｌ 界面处引入绝缘材料 Ａｌ２ Ｏ３ 薄层对器件性能的影响。实验发现具有双层电极 Ａｌ２ Ｏ３／ Ａｌ 的器件发光效率比单层电极 Ａｌ 的器件效率提高了六倍多,这是由于 Ａｌ２ Ｏ３ 薄层的引入,降低了界面的表面态密度,提高电子的注入能力,有效地提高了激子的辐射复合几率所致     

AlGaInP高亮度发光二极管

分析了ＡｌＧａＩｎＰ材料的特点和ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管发光效率的决定因素,对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析,从理论上指出ＡｌＧａＩｎＰ发光二极管在橙黄波段的发光效率的最终决定因素是光的提取效率,而在黄绿波段是发光二极管的内量子效率。并利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ技术制备了ｃｄ级橙黄高亮度发光二极管,发光波长峰值在６０５ｎｍ,ＦＷＨＭ为１８．３ｎｍ,２０ｍＡ工作电流下,５．０８ｃｍ（２英寸）外延片管芯平均轴向发光强度为２０ｍｃｄ,最大３０ｍｃｄ,平均工作电压１．９Ｖ,透明峰值角度２θ１／２＝１５°时轴向发光强度达到１０００ｍｃｄ。     

掺杂发光体对红色有机电致发光的影响(英文)

为了研究掺杂发光体对红色有机电致发光二极管的增强效果,将DCJTB和C545T分别掺入Alq3,制备了双发光层的OLED器件,器件结构为玻璃/ITO/4 ,4′,4″-tris[2-naphthylphenyl-1-phenylamino]triphenyla-mine (2T-NATA)/N,N′-di (naphthalene-1-yl)-N,N′-diphenyl benzidine ( NPB)/tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum ( Alq3):4-(dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6 (1 ,7 ,7 ,7-tetramethyljulolidin-4-yl-vinyl)-4 H-pyran(DCJTB)/Alq3:10-(2-benzothiazolyl)-2 ,3 ,6 ,7-tetrahydro-1 ,1 ,7 ,7 ,-tetramethyl-1 H,5 H,11 H-(1)-benzopy-ropyrano-(6 ,7-8-i ,j)quinolizin-11-one (C545T)/Alq3/LiF/Al ,并且将其与单发光层的红、绿光器件相比较。实验结果表明,与单发光层的红光器件相比,加入绿光发光层的红光器件的发光特性被增强了,这种双发光层器件的最优掺杂比例为[Alq3:(2 .5 %)C545T]/[ Alq3:(1 .5 %)DCJTB](质量分数) ,在电压为11 .5 V时得到最大发光亮度为6 830 cd/ m2,在11 V电压时能得到4 .59 cd/A的最大电流效率。但是,这种方法的缺点是削弱了红光的色纯度。     

Molecular Doped Polymer Light Emiting Diodes with Air－stable Aluminum as Cathode

ＭｏｌｅｃｕｌａｒＤｏｐｅｄＰｏｌｙｍｅｒＬｉｇｈｔＥｍｉｔｉｎｇＤｉｏｄｅｓｗｉｔｈＡｉｒ－ｓｔａｂｌｅＡｌｕｍｉｎｕｍａｓＣａｔｈｏｄｅ①②ＣＨＥＮＢａｉｊｕｎ，ＨＯＵＪｉｎｇｙｉｎｇ．ＸＵＥＳｈａｎｈｕａ，ＬＩＵＳｈｉｙｏｎｇ（ＳｔａｔｅＫｅｙ...     

有机薄膜发光二极管失效过程的动态观察和分析

本文报道了利用带有ＣＣＤ摄像机的显微镜对由常用有机材料ＴＰＤ和Ａｌｑ３制备的有机薄膜发光二极管（ＯＬＥＤ）ＩＴＯ／ＴＰＤ／Ａｌｑ３／Ａｌ及ＩＴＯ／ＴＰＤ／Ａｌｑ３;Ｒｕｂ／Ａｌｑ３／Ａｌ失效过程的动态观察,对于造成器件失效的主要原因－黑斑的产生和变化进行了描述和分析。     

利用辅助掺杂改善红光有机电致发光器件的性能

以Coumarin(C545)做辅助掺杂剂,制作了结构为氧化铟锡(ITO)/N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4,-4′-二胺(NPB)/8-羟基喹啉铝(Alq3):C545:4-二氰亚甲基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久咯呢定基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)/Alq3/LiF/Al的红光有机电致发光器件(OLED).研究了不同掺杂质量分数对器件性能的影响,结果发现,掺C545和DCJTB的器件性能与只掺DCJTB的器件相比较,其色纯度、亮度及效率均有所提高,器件性能的改善主要是由于掺入的C545提高了由基质Alq3向红光染料DCJTB进行能量传递的效率.     

Moiecuiar Doped Poiymer Light Emitting Diodes with Air—stabie Aluminum as Cathode

By using air-stable alumminum as cathode,molecular doped polymer (MDP)blue light emitting diodes(LEDs)were constructed.Poly(N-vinylcarbazole(PVK)doped with,1,1,4,4-tetrapheny 1-1,3-butadiens(TPB)was used as the light-emitting layer,a layer of 2-(4-biphenylyl)-5-(4-terbutypheny)1-3,4-oxadiazole(PBD) as hole-blocking,electron-transporting layer and a layer of tris(8-quinolinolate)-Aluminum(Alq3)film also worked as an electron-transporting layer.The device with structure of ITO/PVK;TPB/PBD/Alq3/Al was fabricated.Blue emis-sion began at about 4V,more than 1000 cd/m^2 was achieved at 14V.This is the lowest turn-on voltage for polymeric lgiht-emitting diodes(PLEDS)used air-stable elec-trodes.Such low-operating voltage,especially using air-stable aluminum as cathode,may be helpful for the devices to be used in commercially viable displays.     

具有双发光层双主体结构的高效稳定WOLED

采用双发光层双主体结构,制备了高效稳定的白光有机电致发光器件(WOLED)。其中蓝光层是TBADN:3 wt%DSA-Ph,红光层是[TBADN:Alq3]:1 wt%DCJTB,通过改变红光层中Alq3和TBADN的掺杂比来调节器件的发光效率和颜色。当[TBADN:Alq3]为75∶25时获得了效率最高、色度好和性能稳定的白光,在20 mA/cm2时器件的发光效率为6.27 cd/A,CIE色坐标为(0.364,0.348)。当电流密度为200 mA/cm2时,发光效率仍能保持在6.15 cd/A,色度坐标为(0.344,0.344)。由于在[TBADN:Alq3]双主体结构中,TBADN具有双极性,从而改善了器件中载流子的平衡及其在发光层中的分布,进而提高的器件的性能。     

高亮度微腔有机电致发光器件

为了实现有机电致发光器件(OLED)发射光谱的窄化和高亮度,真空热蒸镀具有不同微腔结构的OLED(MOLED):玻璃衬底/分布式布拉格反射器(DBR)(1～4对的SiO2/Ta2O5层)/ITO/空穴传输层(HTL,α-NPD)/发光层(EML,Alq3:Rubrene或Alq3:Coumarin6)/电子传输层(ERL,Alq3)LiF/Mg/Ag,其中沉积DBR结构采用电子束沉积法。实验表明:该MOLED的发射光谱半波长宽度(FWHM)随DBR层数的增加而减小至最小值10nm;并且在2层DBR时,掺杂Rubrene器件得到更大的电流效率,约20cd/A,最大亮度为2.6×105cd/m2。研究发现,蓝光MOLED能够对自发光产生吸收现象,降低了出光效率。     

An organic light-emitting devices of highly efficient white phosphor using an electron/exciton blocker

Highly efficient white phosphorescent organic light-emitting devices （WOLEDs） was fabricated using an electron/exciton blocker. The device structure is ITO/2T-NATA（25 nm）/NPBX（25-dnm）/CBP：5%Ir（ppy）3：0.5%Rubrene（8 nm）/NPBX（dnm）/ DPVBi（30 nm）/TPBi（20 nm）/Alq（10nm）/LiF（1nm）/A1, in which N,N ＇ -bis- （1-naphthyl）- N,N ＇ -dipheny1-1, 1 ＇ - biphenyl-4,4 i -diamine （NPBX） functions as a hole transport layer and electron/exciton blocker, 4,4,N,N ＇ dicarbazolebiphenyl （CBP） is host, 4,4＇ -bis（2,2 -diphenyl vinyl）-1,1 ＇ -biphenyl （DPVBi） is blue fluorescent dye, 5,6,11, 12,-tetraphenylnaphthacene （rubrene） is fluorescent dye, factris （2-phenylpyridine） iridium （Ir（ppy）3） is phosphorescent sensitizer and tris（8-hydroxyquinoline） aluminum （Alq3） is an electron transport layer. The WOLEDs have obtained white light emission by adjusting the thickness of NPBX, when the concentration of Ir（ppy）3 is 5-wt% and rubrene is 0.5-wt%, respectively, the thickness of the doped emissive layer is 8 nm, the WOLEDs show a maximum luminous efficiency is 11.2 cd/ A with d of 10 nm at 7 V and a maximum luminance of 28170 cd/m^2 at 17 V, the CIE coordinates is （0.37.0.42）, which is in white region.     

有机／聚合物双异质结发光二极管

报道了用有机／聚合物薄膜材料制备的双异质结发光二极管。器件结构为：玻璃衬底／ＩＴＯ／ＰＶＫ／ＡｌｑＰＢＤ／Ａｌｑ３／Ａｌ电极。在这种结构器件中，电子和空穴分别从Ａｌ负电极和ＩＴＯ正电极中注入，产在ＰＢＤ及ＰＶＫ中传输注入到Ａｌｑ３发光层中。器件在正向偏压为４Ｖ时有绿色光输出；在正向偏压为１０Ｖ，最大亮度可达３０００ｃｄ／ｍ＾２以上。经光谱测试，电致发光峰值波长为５２３ｎｍ。     

微腔结构顶发射有机白光器件

结合微腔效应,通过调节不同发光层的厚度制作了顶发射有机白光器件.器件结构为Si/Ag/Ag2O/m-MTDATA/NPB/DPVBi/DCJTB:Alq3/Alq3/LiF/Al/Ag,其中DPVBi,DCJTB与Alq3的掺杂层分别作为蓝光和红光发光层,在选定490 nm的谐振波长时,通过调节DPVBi和掺杂层的厚度来实现对器件发光色度的调节.当DPVBi厚度为1 nm,电压为9 V时,器件的色坐标为(0.33,0.34),非常接近白光等能点.此项工作为利用微腔效应制作高效率高亮度顶发射白光器件奠定了基础.