云母衬底掺钼二氧化钒薄膜热致相变性能研究

采用溶胶凝胶法在云母衬底上制备出掺杂Mo的VO2薄膜,并采用XRD、AFM、XPS、FTIR等检测手段,对掺杂薄膜的物相组成、微观形貌、相变温度进行分析.结果表明:在云母片表面制备出的掺杂的VO2薄膜呈(011)晶面取向生长,并且每增加1%的Mo掺杂量,其相变温度下降7.82℃,掺杂后降低了样品的滞回温宽,而且薄膜相变前后红外透过率的变化量仍保持较高.     

氢还原法制备低相变温度掺钨VO_2薄膜

在钒溶胶中掺入适量聚钨酸溶胶,采用浸渍提拉法在载玻片上涂膜,涂片薄膜在氢气氛围中、在400℃温度下还原3 h,制得掺钨VO2薄膜。金相显微镜观察到薄膜呈VO2的特征绿色;X荧光光谱分析得出薄膜中W、V的含量分别为3.212%和64.97%。电阻-温度曲线测试表明,VO2薄膜的相变温度为40.5℃,热滞回线宽度为ΔT=11℃,电阻突变量ΔS达到4.06个数量级。     

二氧化钒粉末制备工艺研究的现状和发展趋势

二氧化钒是一种热致变色材料，能够在70℃附近发生可逆半导体--金属相变，基于此特性，二氧化钒有广泛的用途。文章综述了国内外各种二氧化钒粉末制备工艺的主要技术，并在此基础上，指出了二氧化钒粉末制备工艺研究的发展趋势。     

溶胶—凝胶法制备透明无机—有机纳米复合硬质薄膜

利用旋覆法通过溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－ｇｅｌ）法在有机玻璃（ＰＭＭＡ）表面制备无机－有机硬质薄膜，产品具备致密、透明、耐擦伤等性能。纳米氧化物颗粒在体系中均匀分布，使硬度及耐擦伤性能较有机玻璃均有较大提高。     

ITO透明导电薄膜的溶胶凝胶法制备及结构表征

以五水硝酸铟和乙酰丙酮为原料,以无水氯化锡为掺杂剂,采用溶胶凝胶工艺,用提拉法在石英玻璃基体上制备了ITO透明导电薄膜。采用DTA—TG、XRD、SEM、四探针电阻率仪、紫外分光光度计等仪器对ITO透明导电薄膜的相转变过程、物相、表面结构、微区形貌和物理性能进行了测定和分析。结果表明:采用溶胶凝胶工艺在石英玻璃基体上制备ITO透明导电薄膜是完全可行的。ITO薄膜具有由多个粒子堆积而成的多孔微观结构,其晶体结构为立方锰铁矿结构,[111]为明显的择优取向,经过5次镀膜后其厚度在150nm以下,薄膜的方电阻为110Ω,其电阻率约为1.65×10-2Ω·cm。薄膜的透光率在90%以上。     

用溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜

用溶胶－凝胶法在单晶Si、PLT/Si、PT/Si以及经过质子交换后的LiNbO3基片上制备了锆钛酸铅（PZT）铁电薄膜，分析了界面扩散以及Pb含量对薄膜晶化的影响。在试验中，通过适当添加过量的Pb(CH3COO)2可以防止缺Pb焦绿石相的形成。     

制备新型陶瓷材料和薄膜的新方法—溶胶—凝胶法

溶胶-凝胶法是制取陶瓷和薄膜的新方法。采用此法制得的材料成份均匀,不但可以制取体材料,而且可以制取薄膜材料。此法的应用范围越来越广,可用来制取电子陶瓷材料及高温超导薄膜和纤维等。     

采用溶胶-凝胶方法制备Tl-2212超导薄膜

研究了采用溶胶-凝胶法在(001)取向的铝酸镧(LAO)单晶衬底上制备Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212)高温超导薄膜。该方法是以乙酸铊、乙酸钡、乙酸钙、乙酸铜为起始原料,其中,Tl,Cu的含量要略高于Tl-2212超导相中的比例,并以乳酸、α-甲基丙烯酸、二乙烯三胺、三乙烯四胺、甲酰胺、甲醇为络合剂及溶剂,制得粘度合适的溶胶。以旋转涂层方法制备凝胶膜,凝胶膜经过干燥、热分解及后退火等工艺处理后,可得到超导样品。X射线衍射(XRD)的θ-2θ和Φ扫描测试表明,该样品为纯c轴取向的Tl-2212高温超导薄膜,且ab面内织构;电子能谱分析(EDX)和扫描电子显微镜(SEM)测试表明,该薄膜的组分比为Tl∶Ba∶Ca∶Cu=2∶2∶1∶2,且具有平整致密的表面形貌;临界温度(Tc)测试表明,薄膜具有良好的超导特性,其Tc可达104.5 K。     

碱催化溶胶-凝胶二氧化硅薄膜的制备

采用溶胶-凝胶法，以正硅酸乙脂为原料，NaF、氨水溶液作为催化剂制备SiO2薄膜，研究了催化剂的种类、浓度、加入量及反应温度对正硅酸乙脂胶凝化过程中水解、聚合及胶凝时间的影响，观察比较了SiO2薄膜的表面形貌．(加入)催化剂和(提高)反应温度均可大大缩短胶凝时间，并可得到具有网状结构的SiO2薄膜。     

用无机盐制备非载体Al2O3薄膜的溶胶—凝胶法研究

结晶三氯化铝经溶解，水解，胶溶制备了Ｂｏｅｈｍｉｔｅ溶胶，然后在石英玻璃上制备出表面光滑，平整，颗粒大小均匀的γ－ＡｌＯ３薄膜。ＤＴＡ分析表明，Ｂｏｅｈｍｉｔｅ凝胶膜２５８．７℃开始失水而转化为γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜。     

正交实验法研究Sol-Gel纳米二氧化钛微粒制备工艺

以钛酸丁酯为前驱物、无水乙醇作溶剂、盐酸作负催化剂、冰醋酸作为抑止剂，采用溶胶-凝胶法制备了纳米TiO2微粒。通过正交实验分析研究了溶剂量、加水量、凝胶温度、搅拌速度、抑止剂含量等条件对二氧化钛溶胶-凝胶形成过程、凝胶时间的影响，得出了制备稳定溶胶、良好凝胶的凝胶时间。以及适宜的工艺条件。     

石煤钒矿提钒新工艺研究

硫酸化焙烧-水浸提取石煤钒矿中钒的工艺是可行的,且工艺的适应性强、简单,易于产业化,是一种新的提钒技术。石煤钒矿硫酸化焙烧合适工艺技术为硫酸配入量35％、焙烧温度300℃和焙烧时间0．5h,钒的浸出率〉92％。     

含钒矿石提取钒的绿色工艺研究

以钒矿石为原料,加入自制添加剂A,经焙烧、一段水浸、二段过氧化氢浸出提取钒。结果表明,该钒矿样混入8％添加剂A于810℃焙烧4h、常温下水浸8h后再用1％过氧化氢浸24h,钒浸出率达70％以上。该方法得到较高浸出率的同时也大大减少了对环境的污染,应用前景广阔。     

皂化P204优化钒萃取工艺研究

采用皂化P204有机相优化高酸多杂质含钒石煤浸出液萃取工艺。在萃原液pH=1.4、相比1∶2、有机相皂化率80%、搅拌时间8 min的条件下,钒单级萃取率可达92.31%,较未皂化有机相提高17.16个百分点。未皂化有机相逆流萃取平衡级数为6级,皂化后缩短至4级,铁离子的萃取率由11.49%降低至6.46%。对皂化后P204提高钒萃取率的原因进行了阐述。     

钛白粉无机表面处理工艺及影响因素简述

论述了钛白粉无机表面处理的过程工艺,重点讨论了二氧化钛浆料分散状态、pH值、中和沉淀动力学因素、熟化时间等对无机包膜质量的影响,外延了无机表面处理与产品质量影响关系。     

制备W－Ni－Cu钨合金的热解还原法工艺探讨

用硝酸镍、氯化铜与乙酸镍、乙酸铜的溶液分别与钨粉混合，干燥，经热解还原法制备的Ｗ－Ｎｉ－Ｃｕ钨合金，其技术指标均可满足使用要求。文章分析、讨论了这两种工艺特性及存在的问题。采用硝酸镍、氯化铜代镍、铜所制备的钨合金，在热解还原过程中产生大量有毒气体、严重的污染环境。乙酸镍、乙酸铜代镍和铜制备的钨合金，在热解还原过程中较好地解决了对环境及产品的污染问题，并保持了热解还原工艺的特性。     

水基凝胶注YSZ固体电解质薄膜干燥过程研究

用水基凝胶注法制备出YSZ固体电解质薄膜，研究了温度、湿度和坯体厚度对干燥过程的影响规律。结果表明温度和湿度对干燥失重速率的影响比坯体厚度的影响大，温度越高，湿度越小，坯体厚度越小，YSZ薄膜失重速率越大。同时利用物理机制对干燥过程进行了解释，验证了YSZ薄膜的干燥过程分为明显的三个阶段，而且第一阶段干燥速率明显高于第二、第三阶段的干燥速率，第三阶段干燥速率受外界条件影响相对较小。对于厚度为O．1mm的YSZ薄膜，选择40℃和RH=60％的干燥工艺，效果最佳。     

钛白粉无机包膜优化研究

表面处理是金红石钛白粉生产的关键工序,本文研究了不同工艺条件对TiO2包膜效果的影响,以包膜后的分散性、亮度、Tcs等应用性能的变化为依据确定相应的工艺参数。     

Luminescent Thin Film of Doped Terbium Complex Obtained by Sol-Gel Method

The transparent luminescent thin films of doped terbium complex were obtained by sol-gel method. The result indicates that rare earth carboxylates with poor solubility can be homogeneously doped into sol matrix in situ. The fluorescence spectra show that the thin film material emits the characteristic narrow band emission of Tb3 under the UV excitation.     

二氧化锰电解工序研究

电解二氧化锰作为电池工业中非常重要的原料之一,其生产过程简单分为化合(制液)、净化(除杂)、电解、后处理(再加工)4个部分。在电解工序当中,锰在此工段以二氧化锰的形式电沉积在阳极板上并在剥离后送至后处理进一步加工。而电解作为整个电解二氧化锰的核心工序,其过程工艺对最终产品质量有很大的影响。主要介绍了电解工艺原理、电解生产时的参数控制以及简单作业流程。