γ射线发射率的测量

1982年中国计量科学院组织了国内~(152)EUγ射线发射率的测量比对。利用1979年国际比对的~(152)Eu标准源的γ射线发射率值刻度130 cm~3Ge(Li)探测器,然后测量~(22)Na等7个刻度源的九条γ射线发射率,以便和来自英国放化中心以及中国计量科学院用基准方法测量的结果相比较,反过来验证~(152)Eu标准源的可靠性。     

大气颗粒物滤材样品探测效率的模拟计算

在简要介绍全面禁止核试验条约(CTBT)组织临时技术秘书处(PTS)组织的2003年度大气颗粒物样品国际比对的基础上,对此次比对活动中使用的高纯锗探测器系统、样品几何形状和屏蔽情况进行了详细描述.采用蒙特卡罗程序模拟计算了高纯锗探测器测量滤材样品条件下的峰效率和总效率,模拟计算结果与PTS提供的参考值分别在3.5%和6.5%内符合,为准确定量分析样品中核素的含量奠定了基础.     

环境土壤就地γ能谱分析

本文介绍用Ge(Li)或HPGe探测器,就地测量和分析环境土壤放射性的基本方法。一、引言使用能谱分析技术,就地测量环境土壤放射性的基本方法是Beck等人建立和发展起来的。用这种方法,可以测定土壤中的天然放射性核素~(238)U、~(232)Th和~(40)K,核试验或核设施产生的放射性沉降物~(137)Cs和~(95)Zr—~(95)Nb等核素;也用来直接测定核动力堆的气体排放物,结合高气压电离室,监视动力堆环境。测定土壤中的钚/镅污染,就地Ge(Li)或HPGe系统比传统的FIDLER系统具有更高的灵敏度。     

4πβ（L,S）液体闪烁法直接测量放射性活度

本文系统总结了4πβ(L,S)液体闪烁法直接测量放射性活度的原理、结构、零几率测量及余后脉冲等问题。利用4πβ(L,S)直接测量了~(184)Cs,~(187)Cs,~(99)Mo—~(99)Tc,~(144)Ce—~(144)Pr,~(36)Cl,~(90)Sr—~(90)Y,~(92)P,~(14)C,~8H(正十六烷),氚水,~(109)Cd,~(133m)In,~(99m)Tc等核素的活度。并进行了大量的比对。     

131I和134Cs核的衰变研究

~(131)I是一个短寿命核素,它的半衰期仅有8.02 d,但是这个核素在医学等领域内有广泛的用途,在80—475 keV能区内有七条较强的γ射线可用来刻度Ge探测器的效率。~(134)Cs有较长的寿命(T(1/2)=745.2 d),它在475—1400 keV能区内发射十条较强的γ射线,它和~(131)I合用在80—1400 keV能区可作为标准源刻度Ge探测器效率。一些作者已研究过这两个核素。本工作的目的是精确测定相对γ线发射几率和对一些较强级联γ射线作符合计数修正。     

~(95)Zr,~(99)Mo和~(144)Ce衰变率的实验室之间的比对

我们不同单位的4个实验室,从应用上的要求出发,对~(95)Zr,~(99)Mo和~(144)Ce三个核素进行了多次比对测量,于1976年6月和1977年6月开过两次比对讨论会。现将比对情况简介如下。     

一种基于~(103)Rh(n,n′)~(103)Rh~m反应的快中子注量监测方法

给出了一种基于~(103)Rh(n,n′)~(103)Rh~m反应监测快中子注量的方法。根据干扰核素半衰期不同的特点,选取合适的冷却和测量时间,降低了~(103)Rh(n,n′)~(103)Rh~m活化率测量中干扰核素的影响。根据152Eu标定实验结果,利用遗传算法优化探测器尺寸,建立探测器蒙特卡罗算法模型。利用模型校正~(99)Mo-~(99)Tcm放射源实验效率,解决了探测器效率标定和射线自吸收问题。开展了快中子注量监测,实验结果与铁、硫、镍等快中子监测箔一致性较好,测量不确定度约为13.1%。     

液体闪烁符合法测量~(14)C核素活度

本文描写了液体闪烁符合的原理、测量装置,测量~(14)C核素活度的结果和比对情况。     

CTBT放射性核素实验室127Xe国际比对样品的实验测量研究

相较于全面禁止核试验条约关注的~(131)Xe~m、~(133)Xe~m、~(133)Xe和~(135)Xe 4种放射性氙同位素,~(127)Xe具有半衰期较长、样品纯度高、大气环境中本底低等特点,全面禁止核试验条约组织筹委会临时技术秘书处(Provisional Technical Secretariat,PTS)计划利用~(127)Xe进行国际监测系统(International Monitoring System,IMS)放射性核素台站的质量控制。为检验IMS国际放射性核素实验室对~(127)Xe的测量能力和水平,PTS组织开展了~(127)Xe样品的国际比对。描述了北京放射性核素实验室参加比对的样品测量流程和分析方法,将~(127)Xe样品定量转入测量源盒后,利用高纯锗(HPGe)γ谱仪系统测量了该比对样品的活度,测量结果为(53±10)Bq,与参考值偏差为4.3%。从比对结果看,北京放射性核素实验室测量结果准确可靠。     

应用~(71)Ge源测量铁膜厚度

【荷兰《核仪器与方法》1981年第188卷第1期第253页报道】已知用X射线荧光方法可以测量蒸发到基体物质上的薄膜厚度。人们通常使用~(?)Fe,~(109)Cd和~(241)Am等放射源作X射线源,而且一直使用~(109)Cd源测量铁膜厚度。但是,与铁的K结合能(7.1千电子伏)相比较,~(109)Cd辐射出的X射线的能量(22千电子伏)太高了。半衰期为11     

环境放射性样品的锗γ谱测量比对

本文报道中国计量科学研究院最近组织的一次环境放射性样品锗γ谱测量比对。21个比对实验室用锗γ谱仅测量了两个封装在凹形杯内的河泥样品中7种放射性核素的活度。比对取得比较满意的结果。掌握正确的测量分析方法和有可靠的刻度标准源是测量取得好的结果的重要原因。对比对测量中存在的问题进行了讨论。     

环境样品放射性测量的溯源性实践和经验

环境样品放射性测量的溯源性是测量质量保证的核心。本文叙述了与环境样品放射性测量溯源性有关的一些问题:简要介绍了溯源性的概念及其演变;总结了本实验室近几年来在环境样品放射性测量中的质量保证工作,涉及标准的传递、参考物质的制备、Ge(Li)谱仪对体源的效率的刻度、以及比对测量等溯源性实践活动。本文还讨论了溯源性的保持,并对今后工作提出了一些建议。     

荧光EXAFS研究镶嵌在SiO2中的Ge纳米晶的局域结构

用荧光扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)研究了磁控溅射法制备的镶嵌在SiO2中的Ge纳米晶的局域结构.结果表明,在Ge的摩尔分数为25%和60%的初始样品中,Ge原子主要是以非晶GeO2和Ge物相存在,其中在Ge的摩尔分数为25%的样品中,以GeO2物相为主.经1073 K退火后,样品中生成了Ge纳米晶.在Ge的摩尔分数为25%的样品中,Ge纳米晶只是来源于初始样品中的非晶Ge,而在Ge的摩尔分数为60%的样品中Ge纳米晶除了来源于初始样品中的非晶Ge外还来自于部分GeO2.进一步分析表明在Ge的摩尔分数为60%的样品中,有摩尔分数为20%的GeO2与来自衬底的Si发生还原反应生成Ge纳米晶.     

用于PET衰减校正的~(68)Ge线源的制备

以硅胶为载体,采用吸附法制备了一种用于PET衰减校正的68Ge线源,并对制备的68Ge线源进行了质量检验。结果表明,硅胶对68Ge的吸附率高、吸附均匀性好,68Ge线源密封良好,无泄露、无表面污染、活度分布均匀,各项物理参数均达到国外同类产品水平。     

热中子辐照GaAs损伤研究

在热中子与快中子成份比大于７０的条件下，用６．５×１０１６ｃｍ－２和６．５×１０１８ｃｍ－２剂量水平辐照纯净ＧａＡｓ样品，研究由于嬗变产生的杂质和损伤。所得结果表明：热中子对Ｇａ、Ａｓ发生俘获核反应，其最终稳定产物Ｇｅ作为两性杂质元素被导入；复杂的移位缺陷形成及其热行为是影响辐照后ＧａＡｓ电学性质变化的重要因素。     

Swift-heavy-ion-induced shaping of spherical Ge nanoparticles into disks and rods

The work reports on experimental features and theoretical studies of swift-heavy-ion-induced shaping of Ge nanospheres into disks. A stack of alternating Ge and SiO₂ layers was sputtered on an oxidized Si wafer. The Ge layer thicknesses varied from 2.5 to 7.5 nm. Thermal treatment above the melting temperature of Ge transformed each Ge layer into a layer of Ge nanospheres. With growing Ge layer thickness the mean diameter increases from 8 to 37 nm. Irradiation with low fluences (～10¹⁴ cm^?2) of 38 MeV I⁷⁺ shaped medium-sized Ge nanospheres into disks, whereas smaller ones became rod-like and larger ones remained unchanged. At higher fluences, the larger Ge nanospheres shrink due to Ge loss and shape into disks too. A new model is presented and atomistic Monte-Carlo simulations are shown which describe the shaping evolution and the size thresholds for shaping quantitatively. The volume change of Ge upon melting has been identified as driving force.     

Ge nano-layer fabricated by high-fluence low-energy ion implantation

A Ge nano-layer embedded in the surface layer of an amorphous SiO₂ film was fabricated by high-fluence low-energy ion implantation. The component, phase, nano-structure and luminescence properties of the nano-layer were studied by means of Rutherford backscattering, glancing incident X-ray diffraction, laser Raman scattering, transmission electron microscopy and photoluminescence. The relation between nano-particle characteristics and ion fluence was also studied. The results indicate that nano-crystalline Ge and nano-amorphous Ge particles coexist in the nano-layer and the ratio of nano-crystalline Ge to nano-particle Ge increases with increasing ion fluence. The intensity of photoluminescence from the nano-layer increases with increasing ion fluence also. Prepared with certain ion fluences, high-density nano-layers composed of uniform-sized nano-particles can be observed.     

Ge(Li)探测器测定14MeV中子引起~(238)U裂变中稀土核素的裂变产额

在核化学研究中,对稀土核素生成截面的资料是非常感兴趣的。因为在各种能量的轻粒子引起重核的裂变,或者在重离子引起的核反应中,稀土核素都构成了核反应产物中相当大的一部分。此外,处于大的核形变区的稀土核远离任何满核子壳层,因此测量稀土核的反应截面能够获得不受壳效应影响的核反应信息。     

Amorphous Ge bipolar blocking contacts on Ge detectors

The authors report on the performance of high-purity Ge radiation detectors with amorphous Ge (a-Ge) contacts fabricated using RF sputtering techniques. Electrical contacts formed using sputtered a-Ge films on high-purity Ge crystals, both n- and p-type, were found to exhibit good blocking behavior with low leakage currents, with the contact biased under either voltage polarity. The a-Ge contacts have thin dead layers associated with them, and can be used in place of lithium-diffused, ion-implanted, or Schottky barrier contacts on Ge radiation detectors. The use of such contacts allows fabrication of multi-electrode detectors by means of simple processing steps