悬臂梁的受控源等效电路宏模型的建立及验证

针对能代表MEMS器件特征的悬臂梁结构,采用了SPICE中标准多项式受控源的形式建立悬臂梁的多模态小信号等效电路宏模型.在外力的作用下,用SPICE软件对此悬臂梁宏模型和外加电路进行了系统级的模拟,得到分布参数的力传感器的输出电压幅频特性曲线;最后采用COVENTORWARE软件进行了模型的各个模态的谐振频率和相关曲线的验证.     

悬臂梁的受控源等效电路宏模型的建立及验证

针对能代表MEMS器件特征的悬臂梁结构 ,采用了SPICE中标准多项式受控源的形式建立悬臂梁的多模态小信号等效电路宏模型。在外力的作用下 ,用SPICE软件对此悬臂梁宏模型和外加电路进行了系统级的模拟 ,得到分布参数的力传感器的输出电压幅频特性曲线 ;最后采用COVENTORWARE软件进行了模型的各个模态的谐振频率和相关曲线的验证。     

悬臂梁的受控源等效电路宏模型的建立及验证

针对能代表MEMS器件特征的悬臂梁结构，采用了SPICE中标准多项式受控源的形式建立悬臂梁的多模态小信号等效电路宏模型。在外力的作用下，用SPICE软件对此悬臂梁宏模型和外加电路进行了系统级的模拟，得到分布参数的力传感器的输出电压幅频特性曲线；最后采用COVENTORWARE软件进行了模型的各个模态的谐振频率和相关曲线的验证。     

理想静电传感器的大信号等效电路宏模型

从MEMS器件的机电耦合关系式出发，采用关系式各项与电路相对应的方法，研究了刚性平行极板纵向运动静电换能器的大信号等效电路的宏模型，其中利用了SPICE中的多项式受控源的形式来简化等效电路结构。对带有此刚性极板结构的集总参数的理想静电传感器进行系统级模拟，并对所建立的传感器大信号等效电路宏模型进行了分析及验证。     

MEMS微传感器件IP库的建立方法

为实现MEMS器件系统级的模拟,运用等效电路宏模型的方法建立相应的IP模型库单元。本文以悬臂梁结构的微传感器为例,描述了如何根据基本结构与数学方程建立等效电路宏模型,并采用COVENTORWARE软件进行了模型的各个模态的谐振频率和相关曲线的验证,最后通过我们自行开发的IP库单元建立接口软件对单元进行了封装与入库。     

梳状谐振器的大信号等效电路宏模型

研究了梳状谐振器在大信号作用下的机电特性方程.采用SPICE中的多项式受控源,给出了其F - I类比的大信号等效电路,同时根据所得到的等效电路宏模型运用SPICE软件进行了系统级的模拟,并采用两种方法进行了验证.     

梳状谐振器的大信号等效电路宏模型

研究了梳状谐振器在大信号作用下的机电特性方程.采用SPICE中的多项式受控源,给出了其F-I类比的大信号等效电路,同时根据所得到的等效电路宏模型运用SPICE软件进行了系统级的模拟,并采用两种方法进行了验证.     

多层梁机电耦合系统的等效电路宏模型

实现MEMS器件系统级模拟的关键是建立其宏模型。由单层梁构成的机电耦合系统的等效电路宏模型 ,已做过深入的研究 ,但实际的MEMS器件通常都是多层的 .本文提出了一种基于力 电压 (F V)类比的、适用于由多层梁构成的机电耦合系统的等效电路宏模型 ,该模型可进行小信号时域和频域分析 ,能为多层梁机电耦合系统的设计带来很大的方便。模拟结果表明 ,该模型具有较高的精度     

多层梁机电耦合系统的等效电路宏模型

实现MEMS器件系统级模拟的关键是建立其宏模型.由单层梁构成的机电耦合系统的等效电路宏模型, 已做过深入的研究,但实际的MEMS器件通常都是多层的.本文提出了一种基于力-电压(F-V)类比的、适用于由多层梁构成的机电耦合系统的等效电路宏模型,该模型可进行小信号时域和频域分析, 能为多层梁机电耦合系统的设计带来很大的方便.模拟结果表明,该模型具有较高的精度.     

建立统计宏模型的新方法

本文介绍一个新的建立统计宏模型的系统，它采用新的方法，得到简化的二次多项式，这种形式便于优化处理，适用于容差设计。     

F-I类比方法及MEMS梁的等效电路宏模型

建立了一种基于力-电流( F- I)类比、适用于梁结构机电耦合系统小信号时域及频域分析的等效电路宏模型,与已有的基于力-电压( F- V)类比的等效电路宏模型相比,基于F- I类比的等效电路宏模型的电网络与原来的机械网络具有相同的拓扑结构,因此,基于F- I类比的等效电路宏模型能为复杂机电系统等效电路宏模型的建立带来很大的方便.模拟结果表明该模型具有较高的精度.     

高压LDMOS I—V特性宏模型的建立

目前LDMOS已经广泛应用于功率集成电路和微波集成电路中,建立LDMOS的SPICE等效电路变得很重要。以往的模型都是将LDMOS分为线性区和饱和区两段来分析,公式复杂而且计算量大。因此在数值模拟的基础上提出了全导通区域的伏安特性方程,建立了LDMOSI-V特性的宏模型。该模型的特点是参数少,易于提取,得到的SPICE等效电路简单,仿真容易收敛。     

高压MOSFET直流特性宏模型的建立与参数优化

分析了SPICE BSIM3模型对高压双扩散漏MOSFET(HV double diffuse drain MOSFET)模拟过程中产牛的较大偏差,有针对性地提出一种由nMOSFET,MESFET,二极管等常规SPICE器件组成的高压晶体管宏模型.该宏模型结构简单、使用方便,能准确描述HVMOS的I-V特性.为了提高该模型的尺寸可缩放性(scalability),将MESFET阈值电压对体电压的敏感因子K1进行优化,提取了不同沟道尺寸(W/L)下K1取值的半经验公式,使该宏模型能够适用于不同尺寸的晶体管,大大提高了它的实用价值.该尺寸可缩放宏模型(scalable macromodel)能应用于基于SPICE模型的各种通用EDA软件.     

F-I类比方法及MEMS梁的等效电路宏模型

建立了一种基于力-电流(F-I)类比、适用于梁结构机电耦合系统小信号时域及频域分析的等效电路宏模型,与已有的基于力-电压(F-V)类比的等效电路宏模型相比,基于F-I类比的等效电路宏模型的电网络与原来的机械网络具有相同的拓扑结构,因此,基于F-I类比的等效电路宏模型能为复杂机电系统等效电路宏模型的建立带来很大的方便.模拟结果表明该模型具有较高的精度.     

SPICE程序的双曲正切功能扩展及其在电路建模中的应用

从建立彩电ＣＡＤ系统出发，叙述了在ＳＰＩＣＥ程序中增加双曲正切函数受控源功能的过程，介绍了双曲正切受控源在集成电路宏模型中的应用。     

VDMOS等效电路的SPICE模型

分析了VDMOS器件中存在的各种寄生效应以及这些寄生效应对器件性能的影响,在此基础上建立了VDMOS等效电路的SPICE模型.通过MEDICI数值分析软件,模拟VDMOS在不同偏置条件下的电压、电流、电容特性,从而提取出VDMOS等效电路模型参数.并用SPICE软件对等效电路仿真,进行了直流分析和瞬态分析,得到等效电路的电学特性曲线图.仿真的结果与MEDICI器件模拟工具模拟结果相互比较,具有较好的一致性.     

含受控源网络戴维宁等效电路的一种求解方法

提出了含受控源网络戴维宁等效电路的一种求解方法。该法尤其适用于受控源控制量为端口变量或可将受控源控制量方便转移为端口变量的含受控源网络的戴维宁等效电路的计算。