BESOI薄膜的缺陷分析和应力研究

用机械减薄和氧化剥层法获得表层硅厚度约０．４μｍ的ＢＥＳＯＩ薄膜。对这种薄膜用Ｓｅｃｃｏ腐蚀液腐蚀并分析了缺陷种类，计量了缺陷密度。用波长为０．５１４５μｍ的激光Ｒａｍａｎ谱测量了ＢＥＳＯＩ薄膜和界面附近的应力密度。结果表明，该薄膜的主要缺陷为氧化层错，密度约１．８×１０３／ｃｍ２，总的缺陷密度为２．６×１０３／ｃｍ２，张应力密度δ≤５×１０３Ｎ／ｃｍ２。     

电容式压力微传感器的研制

介绍了一种经特殊工艺处理的电容式压力微传感器,分析和论证了其结构设计、工作原理和测量电路。     

陶瓷质电容式压力传感器的研制

本试验采用增韬陶瓷试制成功了一种陶恣质的电容式压传感器，由于采用干式设计，及厚膜电路ＳＭＴ技术和ＰＦＭ信号传输技术，其外型尺寸、灵敏度、稳定性、抗干扰能力等均大幅度改善，特别是其耐腐蚀，易安装，因此具有极大的推广应用价值。     

声表面波压力传感器的研制

本文简单介绍了声表面波压力传感器的结构设计与原理;给出了试样的初步测试结果以及分析讨论;提出了进一步改进性能的措施。     

智能化压力传感器的研制

本文主要介绍智能化硅压力传感器的微机检测，运算处理和控制。由平面工艺制成的硅压阻传感器，当其把压力信号转换为电信号后，经模拟通道的予处理，再由微机对检测的信号进行压力零点及灵敏度的温度补偿以及对压力非线性特性进行了校正，最后对测量结果进行了标度变换显示。     

压力开关传感器

为了满足我国相关行业配套组件的迫切需要,研制了一种新型压力开关传感器.该传感器采用一体化结构设计,将小型压力传感器与机械式压力开关安装在同一压力腔内,共用同一个压力接口和信号接插件,能够同时提供阶跃量信号和连续量电信号.该压力开关传感器整机结构紧凑、精度、过载倍数和可靠性高,触点动作误差和温度系数小,整体性能均高于单一功能类的产品.     

压力开关传感器

为了满足我国相关行业配套组件的迫切需要,研制了一种新型压力开关传感器。该传感器采用一体化结构设计,将小型压力传感器与机械式压力开关安装在同一压力腔内,共用同一个压力接口和信号接插件,能够同时提供阶跃量信号和连续量电信号。该压力开关传感器整机结构紧凑、精度、过载倍数和可靠性高,触点动作误差和温度系数小,整体性能均高于单一功能类的产品。     

压力开关传感器

为了满足我国相关行业配套组件的迫切需要，研制了一种新型压力开关传感器。该传感器采用一体化结构设计，将小型压力传感器与机械式压力开关安装在同一压力腔内，共用同一个压力接口和信号接插件，能够同时提供阶跃量信号和连续量电信号。该压力开关传感器整机结构紧凑、精度、过载倍数和可靠性高，触点动作误差和温度系数小，整体性能均高于单一功能类的产品。     

陶瓷质电容式压力传感器的研制

本试验采用增韧陶瓷试制成功了一种陶瓷质的电容式压力传感器，由于采用干式设计（无填充液），及厚膜电路ＳＭＴ技术和ＰＦＭ信号传输技术，其外型尺寸、灵敏度、稳定性、抗干扰能力等均大幅度改善，特别是其耐腐蚀、易安装，因此具有极大的推广应用价值。     

Al栅BESOI／CMOS器件的辐照特性

在表层硅厚度约６μｍＢＥＳＯＩ材料上，制备了Ａｌ栅ＣＭＯＳ器件。实验样品消除了纵向寄生结构和困扰ＳＯＩ薄膜器件的背沟效应、边缘效应、Ｋｉｎｋ效应。样品未作抗辐照工艺加固，γ累积辐辐照剂量已达３×１０５ｒａｄ（Ｓｉ）。实验表明，该结构埋层ＳｉＯ２的存在对器件的辐照性能影响不明显。     

一种多晶硅高温压力传感器

制作压力传感器时，在二氧化硅层上淀积多晶硅膜，既可利用优良的机械特性，又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性，由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明，这类传感器具有灵敏度好，精度高等特点，电路工作范围为０－２５０℃，且具有良好的温度稳定性。     

场发射压力传感器力敏感膜的形变特性分析

利用有限元法计算分析了以阴极尖锥阵裂体作为力敏感膜的形变特性,给出了用表达式计算尖锥阵列体形变的修正值,为后继工作提供了可以选择的技术途径。     

压力传感器的研究现状与发展趋势

论述压力传感器的研究现状和发展趋势，列举出大量数据及有关参数，为从事压力传感器研究的科技工作者提供了一些参考。     

光纡压力传感器探头的设计

介绍了一种光纤压力传感器探头的设计和计算。利用平膜片实现压力与位移的转换,其位移由光纤传感器检测出来。探头中两光纤呈θ角度放置,能使系统的灵敏度达到41.6mV/MPa。传感器探头的最大承压为3mPa。     

压力传感器封装中的波纹膜片结构研究

针对压力传感器隔离式封装中的波纹膜片这一关键部件,采用有限元分析的方法研究了波纹膜片的厚度、波纹深度和波纹数目分别对最大压力约0.1 MPa下的压力传感器输出信号的影响,优化了波纹膜片结构的参数选择。通过对封装了不同波纹膜片的样品的测试与比较表明,较小的膜厚与波纹深度、较多的波纹数目有助于提高压力传感器的性能,从而验证了波纹膜片结构优化的正确性。     

MOS触发器型集成压力传感器

触发器型压力传感器具有灵敏度高，压力测量线性范围可调和能输出数字量等特点，论述了这类新型传感器的工作原理和特性，并重点分析了噪声对传感器特性的影响。为了改善传感器的特性，实验采用三角波调控电压，可以有效地调节传感器的测量灵敏度度和线性范围。     

CMOS／SIMOX和CMOS／BESOI的γ射线辐照特性比较

用薄膜ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）、厚膜ＢＥＳＯＩ（ｆｆｅｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）和体硅材料制备了ＣＭＯＳ倒相器电路，并用６０Ｃｏγ射线进行了总剂量辐照试验。在不同偏置条件下，经不同剂量辐照后，分别测量了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线，分析了引起ＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移的两种因素（辐照诱生氧化层电荷和新生界面态电荷）。对ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ，由于寄生背沟ＭＯＳ结构的影响，经辐照后背沟漏电很快增大，经３００Ｇｙ（Ｓｉ）辐照后器件已失效。而厚膜ＢＥＳＯＩ器件由于顶层硅膜较厚，基本上没有背沟效应，其辐照特性优于体硅器件。最后讨论了提高薄膜ＳＩＭＯＸ器件抗辐照性能的几种措施。     

模数转换器在压力传感器温度补偿中的作用

介绍一种用模数转换器（ADC）进行温度补偿的压力测量电路,对模数转换器（ADC）在温度补偿中的原理和作用进行了论述和分析。该测量电路的特点是通过模数转换消除了温度误差,提高了温度补偿精度。     

Surface Micromachined Pressure Sensor with Internal Substrate Vacuum Cavity

A surface micromachined piezoresistive pressure sensor with a novel internal substrate vacuum cavity was developed. The proposed internal substrate vacuum cavity is formed by selectively etching the silicon substrate under the sensing diaphragm. For the proposed cavity, a new fabrication process including a cavity side‐wall formation, dry isotropic cavity etching, and cavity vacuum sealing was developed that is fully CMOS‐compatible, low in cost, and reliable. The sensitivity of the fabricated pressure sensors is 2.80 mV/V/bar and 3.46 mV/V/bar for a rectangular and circular diaphragm, respectively, and the linearity is and for these two diaphragms. The temperature coefficient of the resistances of the polysilicon piezoresistor is to per degree of Celsius according to the sensor design. The temperature coefficient of the offset voltage at 1 atm is 0.0019 mV and 0.0051 mV per degree of Celsius for a rectangular and circular diaphragm, respectively. The measurement results demonstrate the feasibility of the proposed pressure sensor as a highly sensitive circuit‐integrated pressure sensor.