外刊题录

1.半导体中离子注入杂质结构的计算机模拟模型S.S.Commun.,Vol.47,No.4,P.259,1983,72.具有SiO_2图形的硅衬底上无定形硅膜的横向固相外延Appl.Phys.Lett.,Vol.43,No.11,P.1028,1983,123.新MRS型负性抗蚀剂组分的最佳化IEEE Trans.ED,Vol.30,No.12,P.1780,1983,124.环境气体对未掺杂LEC GaAs晶体的影响Jap.J.Appl.Phys.Pt.1,Vol.22,No.11,p.1652,1983,115.InP中磷析出与时间和温度的关系J.Vac.Sci.Technol.B,Vol.1,No.3,P.825,1983,7～9     

外刊题录

1.半绝缘GaAs中表面电导的机理Appl.Phys.Lett.,Vol.44,No.9,P.869,19842.GaAs MOCVD中一种新的硅掺杂源——乙硅烷Appl.Phys.Lett.,Vol.44,No.10,P.986,19843.用超掺杂结构开发新半导体材料(制作超高速器件)Vol.29,No.8,P.7,19844.乳胶掩模材料电子材料,Vol.23,No.8,P.42,19845.光致抗蚀剂材料电子材料,Vol.23,No.8,P.51,19846.GaAs MESFET跨导和衬底特性之间的相互关系IEEE Electron Dev.Lett.,Vol.5,No.6,     

外刊题录

1.砷化镓可透基区晶体管设计的改进IEEE Trans.ED,Vol.30,No.10,P.13481983,102.硅化物工艺对双极晶体管电流增益的影响IEEE Trans,ED,Vo.30.No,10,P.1406,1983,103.松下使用MBE成功地研制出新结构的GaAs FET(日)电子技术,Vol.25,No.12,P.13,1983,114.制作亚微米厚GaAs薄膜的一种新方法APPl.Phys.Lett.,Vol.43,No.5,P.488,1983,95.多晶硅中硼和磷的扩散特性Thin Solid Films,Vol.100,No.3,P.235,1983,2     

外刊题录

1.聚酰亚胺薄膜的热性能和腐蚀特性Jap. J. Appl. Phys. pt. l. Vol. 23, No. 3,P. 384, 19842.用过硫酸铵作光致抗蚀剂、去除剂和清洗氧化剂Semiconductor Int., Vol. 7, No. 4,P. 109, 19843.NF_3:一种新的干法腐蚀气体S. S. Technol., Vol. 27, No. 3, P. 172,1984.4.用三甲基镓Ga源MBE生长GaAsJ. Appl. Phys., Vol. 55, No. 8, P. 3163,1984     

外刊题录

1.等离子体化学处理对单晶硅热氧化时缺陷形成的影响ИAH HeopιaнMamep.,Vol.21,No.1,P.5,1985,12.用MOCVD法生长GaAs外延层的形态J.Cryst.Growth,Vol.69,No.1,p.23,1984,113.聚酰亚胺膜的热特性、物理特性和腐蚀特性J.Electrochem.Soc.,Vol.132,No.1,P.155,1985,14.用于VLSI的改进型磷硅玻璃     

外刊题录

1.多品膜中载流子输运的扩散模型S.S.Electron.,Vol.27,No.7,p.633,1984.72.在有少量水的情况下硅外延层生长时引入的硼J.Electrochem.Soc.,Vol.131No.8,P.1900,1984.83.利用新的直拉法生长无缺陷GaAs晶体电子技术[日],Vol.26,NO.14,P.40,1984.124.光外延法和分子层外延法生长砷化镓外延层的技术     

外刊题录

1.GaAs-GaAlAs异质结构中电子迁移率与温度的关系Appl.Phys.Lett.、Vol.45,No.2,P.294,1984.72.半导体器件失效分析—理论、方法和实践Microelectron.J.,Vol.15,No.1,P.5,1984.1-23.双极功率器件(晶体管)Microelectron.Reliab,Vol.24,No.2,P.313,19844.新型硅微波功率晶体管可靠性大大提高Microw.RF,Vol.27,No.7,P.71,1984.75.大功率半导体器件采用ⅡA型金钢石作散热器提高了输出功率Microw.RF,Vol.27,No.7,P.74,1984.7     

外刊题录

1.掺磷多晶硅膜中 1/f噪声的解释:品格散射的Hooge模型J.Appl.Phys,Vol.56,No.10,p.3022,1984.112.热生长SiO_2由固有氧化应力引起的致密作用J.Phys.D,Appl.Phys,Vol,17,No.11,p.2331,1984.113.半导体中杂质态的一种新研究法S.S.Commun,Vol.52,No.4,p.385,1984.104.带有欧姆接触的半导体中的双极热漂移ФТП,Vol.18,No.9,p.1507,1984.9     

外刊题录

1.GaAs材料技术的现状和将来展望Semiconductor World,Vol3.No.4,p.108,19842.短垂直沟道N~+-N~--N~+GaAs MES-FET的数值分析IEEE Electron DeV.Lett.,Vol.5,No.2,p.43,19843.具有负微分电阻的场效应晶体管(AlGaAs/GaAs异质结构)IEEE Electron Dev.Lett,Vol.5,No.2,p.5 7,19844.高耐压(850V)高速功率晶体管NEC技报,Vol.36,No.8,p.177,1983     

红外器件与材料专题题录介绍(二)

一、红外器件研究1 .Monolithie optieally immersed HgCdTe IR deteetor,Infrarcd Phys.Vol.294,No.2一4, May 1989,P.251 单块光学沉没蹄福汞红外探测器2.High temPerature 10.6户m HgZnTc Photo一 deteetors,Infrared Phys.Vol.129,No.2一4, May 1989,P.267 高温10.6产m磅锌汞光电探测器3 .System implementation of a serial array of SPRITE infrared deteetors,Infrared Phys. Vol.129,No.5,July 1989,P.907 扫积型红外探测器中联阵列的系统实现法4 .Long wavelength infrared deteetors bascd on strained InAs一Ga…     

红外技术

器件 071 离子注入Cd_λHg_(1-x)Te红外光伏探测器 Infrared photovoltaic detectors from ionimplanted Cd_λHg_(1-x)Te,J.Marine,Appl.Phys.Lett.,15 Oct.1973,Vol.23,No.8,pp.450-452. 已用Al离子注入技术产生n-型区制成了Cd_xHg_(1-λ)Ten-p结光伏探测器。用这种料材制成的注入式二极管,组分x=0.18,相应的禁带宽为0.1电子伏,灵敏面积为200×250微米的元件在77°K     

激光损伤

001滋光摸结构对石英损伤的影晌 V G.Draggoo et al,Effeets of laser modestructure on damage in Quartz,IEEE J.Of Qu-ant.Eleetron.,Vol.QE一8,Feb.1972.Portl,pp.54一57. 002增退膜的激光感应损伤 R .R.Austin et al.,Laser indueed damage ofantirefleetion eoatings,Appl.Opties,Vol.12,Ma-reh 1972,pp.695一59了。 003滋光辐射对透明介质的破坏程度 1 .A Fersman et al.,Stages of surfaee fraetu-re of a transparent dieleetrie during laser irra-diation,KVANTOVAIA ELEKTRONIKA,No.3,1971sPP.61一66. 00…     

国外资料索引

一、红外技术红外器件 158碲镉汞中的异常霍尔效应 Anomalous Hall Effect in Hg_(1-x)Cd_x Te, Osamu Ohtsuki, Ryuichi Ueda, Japan J. Appl. Phys., Sept. 1971, Vol. 10, No. 9, pp. 1288-89. 本文报导了对在一定温度范围内的异常霍尔效应的研究情况。叙述了在9～400°K温度范围内对退火单晶Hg_(1-x)Cd_x Te(0.17相似文献   

红外技术

708 用射频多阴极溅射Pb_xSn_(1-x)Te外延层 Pb_xSn_(1-x)Te epitaxial layers by rf multicathode sputtering,C.Corsi,J.Alfieri,et al.,Appl.Phys.Lett.,May 15 1974,Vol.24,№910,p.484～485. 在BaF_2、NaCl和(111)Ge基片上溅射的外延单晶Pb_xSn_(1-x)Te薄膜,其载流子浓度和迁移率值接近于块状单晶。     

文献简介索引

一、激光器件2001单块Nd:vAG纤维激光器 Monolithie Nd:YAG fiber laser,J.L.Nightinga一 工e,Opties Lett.,1986,Vol.11,No7,pp.437一439 一种具有抛光镀膜端面的单晶Nd:YAG光纤起着单决波导激光振荡器的作用。直径为47卜m、长度为7。;的光纤振荡器的工作,其阂值功率为3.7ow、斜率为10.5%。〔义〕 2002室温下Y辐照v3八一50,:晶体的色心研究 Investigation of eolour eentresiny一irradiated Y3A15O一:erystals at room temperature,A F Ra- !、ov,Phys.Stat.501.(a),1986,Vol.96,No.2, I〕P .K169一K173. 本文作者用二种生长…     

光导碲镉汞专题文献索引

概述 001 光电导一百年 Photocondaetivity-A centennial,F.Stokmann,Phys.Status Solidi(a),1973,Vol.15,No.2,pp.381-390. 002 现代红外探测器 Modern infrared drectors,E.H.Putley,Phys.Technl 1973,Vol.4,no.3,pp.202-22.     

资料简介索引

红外技术 1001 Pb_(1-x)Sn_xTe(0≤x≤0.25)光伏探测器的少数载流子寿命和电阻面积乘积 Photovoltaic detectors Pb_(1-x)Sn_xTe(0≤x≤0.25) minority carrier lifetimes resistance-area product, M. Grudzien, Infrared Phys., 1081, Vol. 21, No. 1, pp. 1-8. 计算了Pb_(1-x)Sn_xTe中辐射复合和俄歇复合时的少数载流子寿命。计算是在77、200和300K温度下进行的,组分范围为0≤x≤0.30。在附录中比较了在100K温度下的实验结果和理论计算。探讨了在77K时     

国外电声技术资料索引

磁记录 1.目前磁记录的情况(英) Pre,ent situation of magnetie reeording loth international television symPosium session,P.l一5. 1977一6 2.数字音频技术的评论(英) A review of digital audio士eehnigUes J.A.E. 5 .Vol.26.No.1一2.P.56一62.1978,1招. 3.高性能数字录音机(英) H矛沙一砂rfo二anee digital aodio reeorder J. Audio Eng.Soe.(USA).Vol.2‘.No.7一5.p.560. 1978,7一8. 4.TS925/TS945两种新的高质量高保真度立体声磁带录音机(德) TSo25/TSo45 two new high quali士y hi一fi stereo tape reeorders Grundig…     

博士论文选题举例

1.J.A.Roumeliotis,”Propagation and scattering of electromagnetic wavein eccentric cylindrical and spherical conductor-dielectric configurations“,Ph.D.Thesis。Department of Electrical Engineering,National Technical Univer-sity of Athens,Greece,1979(in Greek).(Journal of The Franklin Institute,Vol.312,No.1,July 1981,p.58).2.W.B.Dolson,”Free electron laser theory,”Ph.D.dissertation,StanfordUniv.,Stanford,CA.,1977.     

文献索引

(共八十二篇)仁1〕直波微波相位爵(英文) H .A.Dropkm IRE工n七er.Conv.Ree.,Pt.1,pP.143~147, 1058.〔2]精确的微波相移测量(英文) M .Magid IRE Trans.onl,Vo!.17,No.3一4, pp.321一331,1958. 泽文见“电子学泽丛”第从期,第49~57页。〔3]甚高须和超高缓振幅及相位的测量方法 (英文) G .D.Mozlteath,D.J Wllythe,K.W.T. Hughes PIEE,Vol.107,Pt.B,No.32,pP.150一154, 1960〔4〕超高镇速精波或脉冲波精密相位酚(英 文) R .T.Stevens E legtz、onies,Vol,33,No.10,pP.54一57, 1960.t6」微波频率相对相移的测量(英文) C .…