扩散硅压力传感器工艺过程的FMECA分析

通过将扩散硅压力传感器的每一道工序作为“部件或元件”，构成“工艺”的可靠性框图，进行ＦＭＥＣＡ分析；指出了各个工艺所产生的失效模式、失效原因、失效效应和改进措施。     

扩散硅压力传感器性能优化研究

本文论述了实现扩散硅压力传感器性能优化的一些技术措施、设计原理和工艺技术.采用矩形双岛硅膜结构等新型微机械结构可提高灵敏度和精度并实现过压保护;通过改善工艺并进行表面钝化、改进封装工艺与结构等可改善稳定性;用恒压源及三极管补偿法和等效电阻最佳耦合法可对其灵敏度、零位温度系数进行补偿;采用各向异性腐蚀工艺技术可实现集成化生产.     

影响扩散硅压力传感器稳定性的因素及解决方法

本文分析了影响扩散硅压力顺稳定性产产生的原理,并依据半导体理论,在工艺上采取了相应的措施。在大改善的传感器的稳定性,使我们生产的传感器稳定性达到国外同类产品的先进水平。     

扩散硅压力传感器温度效应综合修正方法

本文给出了一种利用微型机对扩散硅压阻式压力传感器的温度误差进行综合处理方法,对智能压力变送器的研究有一定的实用价值。     

扩散硅压力传感器的综合补偿及其应用

针对扩散硅压力传感器所存在的温度漂移和非线性等问题，分析并建立了对其实现综合补偿的方程式，并利用单片机予以实现，最终使数字压力计的精度达到０．０５级。     

扩散硅压力传感器及其温度补偿

讨论了扩散硅压力传感器及其温度补偿问题，给出了压力传感器模拟补偿和基于微处理器迸行数字补偿的一般方法。数字补偿方法可将压力传感器的精度提高到 0．05％～01％ FS。     

扩散硅压电转换气动位移传感器特性分析

研究了利用压力位移气动传感方法和扩散硅压力传感器所组成的系统,通过理论和实验方法对系统的特性、误差进行了分析,对系统的非线性进行修正后,可实现测量范围达100μm,测量精度为±lμm的要求.     

一种扩散硅压力传感器温度补偿方法 —漂移电流源外补偿法

扩散硅压力传感器温度补偿问题一向被人们关注。常用的补偿法有:在力敏电阻桥中串、并联电阻~([1])或单元补偿网络~([2])、有源温度补偿网络~[3])、恒压供电三极管外补偿法~([4])及可调温度系数的电压源补偿法~([5])等等。文献~([3～5])中的补偿法是利用温敏元件来改变供桥电压的温度特性,达到对传感器温度性能的补偿,是有源补偿法,其实质是利用供桥激     

扩散硅压力传感器的高精度误差补偿算法

扩散硅压力传感器的传输特性受温度影响较大,必须采用某种手段将传感器的输入压力与温度进行解耦,从而实现对压力传感器输出的有效补偿,进而得到准确可靠的压力测量值.文中分析了一般扩散硅压力传感器的误差组成,针对误差提出了一个简单而又高精度的补偿模型,建立了有效算式,最后通过实例验证了算法的正确性,其精度可达到0.1％FS以下.     

扩散硅压力传感器应力计算建模

本文依据弹性力学厚板原理建立扩散硅压力传感器的应力计算模型,根据电桥原理得到应力与其输出电压之间的关系.计算结果与标定值比较,吻合良好.     

扩散硅数字化压力变送器补偿技术

详细介绍了扩散硅压力变送器的特点和现状,提出了对扩散硅压力变送器的数字补偿方案和补偿算法及实际测试结果。该技术提高了产品的整体性能,很好的解决了变送器零点温漂和灵敏度温漂的问题,并通过批量化的生产证实这种技术的正确性。     

一种扩散硅压力式密度静态测量系统

全面实现轻化工过程的自动控制,溶液的密度（或浓度）等成分的测量是一个关键问题。通过多个扩散硅压力式传感器,结合单片机系统,实现了溶液密度的静态测量,并取得了较好的实验测量效果。     

硅压力传感器版图的计算机辅助设计

介绍利用ＡｕｔｏＬｉｓｐ语言编程实现硅压力传感器版图自动生成的ＣＡＤ系统，并给出Ｃ型压阻式压力传感器版图的设计实例。     

微加工硅压力传感器

一、引言 压力是反映物质状态的重要参数之一：常用的压力传感器型式有电容式、电感式、压电式、应变式、振频     

簧片式硅压力传感器的研制

介绍了采用簧片式硅弹性膜芯片研制成功的压力敏感元件和传感器，利用这种硅芯片已制得灵敏度和量程范围各不相同的性能优良的压力传感器。     

用于压力传感器的硅熔融焊接

木文介绍了两种硅压阻式压力传感器的新颍的制造工艺。文中讲述的芯片证明了一种重要的、新的硅-硅焊接工艺,即硅熔焊接(SFB)。利用这一工艺,单晶硅片能够以接近理想的界面被可靠地焊接起来,而不必利用过渡层。用SFB工艺制造的压力传感器比用常规工艺制造的传感器性能有很大的改善。SFB工艺还可以用于许多其它的微机械加工的结构件。     

扩散硅压力传感器长期稳定性提升试验方法研究

扩散硅压力传感器结构简单、集成度高、批量制造兼容性强,是目前MEMS领域研究最多的传感器类型,该类传感器面向航空航天等高端应用的最大技术瓶颈是封装后的传感器长期稳定性,因此相关长期稳定性提升技术已成为学术界和产业界广泛关注的共性关键技术。采用控制变量法和正交试验法,对比评价了疲劳脉动、冷热循环和振动时效三种常用长期稳定性提升技术对扩散硅压力传感器的作用效果。对比试验结果表明,三种技术均可改善扩散硅压力传感器的长期稳定性,且存在较优的环境应力参数组合,使传感器稳定性较试验前提升90%以上。本文的研究成果对各类硅压力传感器的长期稳定性提升具有较好的借鉴意义。     

硅压力传感器振动可靠性试验与评估分析

以硅压力传感器为研究对象,文中在对该压力传感器失效模式和失效机理调研的基础上,建立了压力传感器在振动应力作用下的失效物理方程,进行了以振动应力为加速因子的恒定应力加速寿命试验;结果表明,在振动应力作用下,传感器的失效物理方程为逆幂律模型;经对试验数据进行统计分析,求得了传感器在振动应力作用下的可靠性参数估计值及加速寿命方程lnη=-6.46034-4.73856lnS;通过对传感器进行可靠性评估,得出了传感器的平均寿命和可靠寿命分别为53246小时和23248小时。     

扩散硅压力传感元件的可靠性问题探讨

本文探讨了工业用扩散硅压力传感元件可靠性的问题,介绍了其应用环境特点、失效模式以及引起失效的种种因素,并从设计和工艺角度出发,给出了防止失效的办法及保证可靠性的措施。