纳米SiC—Si3N4复合超细粉末的研制

用热化学气相反应法制备了纳米级ＳｉＣ－Ｓｉ３Ｎ４复合超细粉末，讨论了工艺参数对复合超细粉末颗粒度、组成、结构等的影响，并制备出颗粒呈球形、颗粒尺寸均匀、分散性好、最小颗粒尺寸为８９Ａ的纳米级ＳｉＣ－Ｓｉ３Ｎ４复合超细粉末。     

激光驱动气相反应制备纳米级SiC超细粉末

利用CWCO_2激光加热SiH_4和C_2H_4的混合气体,使之发生气相化学反应,从而得到纳米级的SiC超细粉,产率达97％。分析表明产物的纯度为含SiC95.38wt％,杂质主要是氧,其含量为1.32wt％,另外还存在总含量为300mg/mL的Ca、Mg等杂质。由XRD和TEM等的分析表明,产物的颗粒近似于球形,不团聚,粒径分布范围为10nm～25nm,而平均粒径为15nm,并且其结晶性状呈现非晶态结构。     

激光诱导化学气相沉积制备SiC Si3n4超细粉末

利用CWCO_2激光来加热SiH_4和C_2H_4、SiH_4和NH_3的混和气体,使SiH_4和C_2H_4、SiH_4和NH_3发生化学反应,从而得到SiC、Si_3N_4超细粉末.本文所制备的SiC、Si_3N_4超细粉末平均粒径分别为15nm、17nm,并具有颗粒大小均匀、呈球状、分散性较好、纯度高等优点.X射线衍射分析表明SiC、Si_3N_4超细粉末呈非晶态结构.     

SiC和Si3N4纳米陶瓷粉体备技术

纳米材料科学是近年来兴起的新的科学领域，纳米粉体的制备则是纳米材料研究的主要方面。本文比较详细地介绍了制备碳化物、氮化物纳米陶瓷粉体的四种主要工艺：热化学气相反应法、激光诱导化学气相沉积法、等离子气相合成法和溶胶－凝胶法。对于目前碳化物、氮化物纳米陶瓷粉体的制备工艺和目前水平作了一个总体概括。     

纳米SiC－Si_3N_4复合超细粉末的研制

用热化学气相反应法制备了纳米级Ｓｉｃ－Ｓｉ＿３Ｎ＿４复合超细粉末，讨论了工艺参数对复合超细粉末颗粒度、组成、结构等的影响，并制备出颗粒呈球形、颗粒尺寸均匀、分散性好、最小颗粒尺寸为８９Ａ的纳米级ＳｉＣ－Ｓｉ＿３Ｎ＿４复合超细粉末。     

Si3N4粉末在空气中的氧化反应方式

本文以ＳｉＮ４粉末作为研究对象，首次采用化学分析的方法发现在Ｓｉ３Ｎ４的氧化过程中有ＮＯ气体生成，打破了传统的Ｓｉ３Ｎ４氧化生成的气态产物只有Ｎ２的看法。采用Ｈ２ＳＯ４＋ＨＮＯ３的混合液作为ＮＯ的吸收液，以ＫＭｎＯ４作为氧化剂，用氧化－－还原滴定法对ＮＯ进行检测。并利用ＸＲＤ和ＸＰＳ分析了Ｓｉ３Ｎ４粉末表面氧化层的组成。根据实验结果和热力学分析，探讨了Ｓｉ３Ｎ４粉末在空气中的氧化反应方式。     

Si3N4／Si3N4陶瓷连接的研究进展

连接技术是Ｓｉ３Ｎ４陶瓷实用过程中必须解决的难题之一。本文综述了Ｓｉ３Ｎ４／Ｓｉ３Ｎ４陶瓷连接的研究现状以及不同连接工艺对连接强度的影响。     

高频等离子体合成Si_3N_4超细粉料

本文研究了用高频等离子体合成Si_3N_4超细粉料.进行了合成系统的设计、参数选择,发展了利用“磁泵”效应把反应气体送入弧区和用氢气调整高频机——等离子体负载匹配的方法,分析了反应过程,作了数值计算,并制取了Si_3N_4超细粉料.     

SiC/Si_3N_4陶瓷前驱体的合成

通过在六甲基环三硅氮烷中加入部分甲基氢二氯硅烷的氨解产物 (CH3 HSiNH )x ,经氢化钾催化制备了聚硅氮烷 ;用热重分析法研究了其裂解性能 ,考察了反应原料比例、溶剂对陶瓷产率的影响 ;结果表明 :溶剂和原料比例不仅影响聚硅氮烷的性能 ,且对陶瓷产率有重要影响。以四氢呋喃做溶剂可得到较高的陶瓷产率。     

氮化硅及其微粉的制备

对氮化硅的性能、应用及氮化硅微粉的制备技术等作了较详细的论述。     

碳热还原法合成Si3N4的研究

研究了碳热还原法合成Ｓ３Ｎ４粉末中原料配比、Ｎ２流量，反应压力、反应莳晶种等因素对氮化的影响，获得了较佳的工艺参数，研制出氮含量大于３７％，平均粒径小于１．５μｍ的α－Ｓｉ３Ｎ４粉末。     

利用铁尾矿合成Si3N4粉

在热力学分析的基础上,以铁尾矿为主要原料,采用碳热还原氮化法合成了Si3N4粉. 研究了合成温度和N2流量对反应过程的影响,利用X射线衍射法、扫描电镜等检测了产物的组成及显微结构. 结果表明,随着合成温度的升高,产物中Si3N4相增多,1450℃时Si3N4相最多,且晶粒多呈等轴柱状或短棒状,此温度是最佳的合成温度. N2流量增加有利于还原氮化反应进行,600 mL/min较适宜. 合成过程中SiO气体的挥发导致试样质量损失较大.     

Synthesis of Si_3N_4 Powder Using Sawdust as Carbon Source

Si_3N_4 powder was synthesized by carbothermal reduction nitridation reaction using sawdust as carbon source and introducing SiO_2 by silica sol immersion.Effects of Si O2 content of silica sol,molding pressure,reaction temperature,reaction duration,and N_2 flow rate on phase compositions and microstructure of resultants were studied. The results show that using7. 5 mass% SiO_2 containing silica sol immersed sawdust as raw materials,the prepared Si3N4 powder is featured with high α-Si_3N_4 content,few impurities,etc. in the conditions of 1 450 ℃ of reaction temperature,9h of reaction duration,400 m L·min- 1of N_2 flow rate and 10 MPa of molding pressure.     

Si3N4结合SiC窑具的研究和开发

有关反应烧结Si_3N_4结合SiC方面的资料和报导甚多,但总体观之,都是从某一方面加以论述,且目前大生产较为成功的仅限于钢炉衬砖。本文通过对Si_3N_4结合SiC窑具的研究和分析及大量的文献索引,较为系统的报导了反应烧结Si_3N_4结合SiC窑具的成型、烧结过程及其缺陷,并分析了其抗氧化性能及抗热震性能。     

Si3N4/Fe,Si3N4/Fe3Al界面的固相反应

用扫描电子显微镜、电子能谱仪、X射线衍射等研究了在Ar气氛中,经1150℃,10h等温热处理后,Si3N4/Fe,Si3N4/Fe3Al平而偶界面固相反应区的形貌、成分分布、显微结构及相组成.结果表明:Si3N4/Fe界面固相反应形成约120μn厚的反应区,Fe含量从Si3N4侧到Fe侧逐渐增加,反应区中的Si成分约为5%(原子分数),反应区主要由Fe(Si)固溶体构成,其中均匀地分御着细小的孔洞:Si3NdFe3Al界面固相反应形成约3μm厚的反应区,反应区具有比Fe3Al高得多的Al含量,反应区由FeAl,Fc(Al,Si)固溶体及三元化合物AlgFeSi3构成.Si3NdFe3Al具有比Si3N4/Fe高得多的 界面化学相容性.     

高频等离子体化学气相淀积制备氮化硅超细粒子

利用高频等离子本化学气相淀积方法以四氯化硅及氨为原料，合成了粒度小、粒径分布均匀、氮含量为３６．３％的无定形氮化硅粉末，研究了放置环境，合成及热处理环境，进料位置，ＮＨ３与ＳｉＣｌ４配比等不同的工艺条件对产物氮化硅氮含量的影响。推究了高温下四氯化硅与氨反应合成氮化硅的过程机理。