梯度薄膜材料设计原则

针对梯度薄膜材料的特殊性,在平面应力近似基础上进行热弹性理论推导,结果表明,梯度薄膜材料的热应力极值由梯度薄膜材料本身的性质决定,组成分布系数只影响热力的分布和变化趋势。提出了梯度薄膜材料设计原则。     

全固态薄膜锂电池及薄膜电极材料研究进展

对全固态薄膜锂电池及其薄膜电极材料的研究进展进行了综述.分析了薄膜锂电池成为发展热点的客观原因;系统归纳了阴极薄膜、电解质薄膜和阳极薄膜材料及其制备技术研究进展;同时,对薄膜锂电池及其电极材料发展前景进行了展望.     

金刚石薄膜材料的研制进展

早期,在低压高温下,沉积金刚石膜主要依赖于通过化学气相沉积工艺使碳氢化物气体发生热分解。苏联科学家在这方面进行了开拓性的工作。在低压下形成的这种膜具有一系列的结构、形态、物理性质特征。它含有较大百分比的石墨碳及其它碳或碳-氢结构。在低压下,甚至形成金刚石薄膜的过渡物——类金刚石碳膜和类金刚石碳氢膜。早期的金刚石生长速率极小,约0.1μm/h,以致于它无多少实用价值。1982年,S.Ma-tsumoto采用热灯丝化学气相沉积法,1983年M.Kamo用微波等离子体化学气相沉积法制     

Bi-Te基薄膜热电材料的研究进展

热电材料是一种能够实现热能与电能直接转换的功能材料,由于无法有效降低块体热电材料的热导率,其性能研究进展缓慢.自上世纪90年代初Hicks等提出了低维化能够显著提高热电材料性能的理论后,薄膜热电材料开始受到广泛关注.低维化提高材料性能的原因主要是材料在低维化后能够产生量子限制效应,使得电子在被压缩维度的运动受到限制.首先,在费米能级附近,与Seebeck系数呈正相关的电子态密度会增大,导致低维热电材料的Seebeck系数相比块体材料显著增大.其次,与块体材料相比,薄膜材料存在更多能够散射声子的晶界,能有效降低晶格热导率.在这两种效应的共同作用下,材料的热电优值(ZT值)能够显著增大.低维热电材料的研究初期主要是通过数学模型和数值计算,从理论上证明量子效应会影响材料的Seebeck系数和电导率,且能实现二者的独立控制,从而提高材料的ZT值.后期的实验数据证明,通过合适的热处理工艺能够有效降低薄膜材料的缺陷,提高其综合性能.因此,热处理工艺的改进对性能的提升也非常重要.热电材料性能的提升离不开制备工艺的进步.为了获得低维化的热电材料,多种薄膜材料制备工艺被用于样品的制备,且不同的制备工艺各有优缺点.Bi-Te基合金不仅可用于低温发电还可用于低温制冷,是目前应用最广泛的低温热电材料,虽然其块体状态下的热电性能研究已趋于完善,但其薄膜状态下热电性能的理论研究还相差甚远,因此Bi-Te基低温薄膜热电材料成为研究热点.本文介绍了国内外采用不同制备工艺生长Bi-Te基热电薄膜材料的发展状况以及热电性能测试方法,提出了在目前发展薄膜热电材料时需要重点关注的方面,并对低维热电材料的发展方向进行了阐述.     

纳米薄膜材料的研究进展

纳米薄膜材料是一种新型材料，由于其特殊的结构特点，使其作为功能材料和结构材料都具有良好的发展前景。本文综述了近几年来国内外对纳米薄膜材料研究的最新进展，包括对该类材料的制备方法、微结构、电、磁、光特性以及力学性能的最新研究成果。     

薄膜SIMOX顶层单晶硅位错的研究

通过超声搅拌的增强化学腐蚀，结合普通的光学显微镜研究不同制备参数的形成的ＳＩＭＯＸ材料顶层单晶硅的位错缺陷，讨论了位错密度同ＳＩＭＯＸ制备工艺的关系。     

功能薄膜材料多晶硅的制备及光电特性研究

用等离子体化学气相沉积（ＰＣＶＤ）制备掺杂和本片的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜,用固相晶化法制备多晶硅薄膜。通过Ｘ射线衍射分析多晶硅的晶粒大小与ａ－Ｓｉ：Ｈ的沉积条件及退火条件的关系,测量了子多晶硅薄膜的室温暗电导率和光能隙,讨论了影响暗导导率和光能隙的因素。     

透明导电薄膜材料的研发态势

简述了透明导电薄膜材料的研究现状与发展趋势，特别是对目前研究比较活跃的透明导电氧化物(TCO)及金属基复合多层透明导电膜的研究动态，材料设计原理及其应用进行了重点介绍，并就透明导电薄膜材料目前存在的问题及发展方向进行了分析讨论。     

激光化学气相沉积薄膜材料技术的研究进展

前言现代材料科学的重大成就之一就是薄膜材料的迅速发展。可以说所有先进技术的发展都与薄膜材料的应用有关,特别是功能薄膜材料。大规模集成电路、大型计算机及电子光学、电子学的大部分关键装置都得益于薄膜材料的使用。而且,随着现代科学技术的发展,各种各样的功能薄膜或特殊薄膜的应用越来越广泛。因而人们对薄膜材料的制备技术给予了高度重视,各国不借投入大量人力和物力对制备薄膜材料的技术进行开发和研究。     

场致电子发射薄膜材料研究评述

场致电子发射(场发射)薄膜材料由于在场发射平板显示器、电子源等诸多高性能真空微电子器件上具有广阔的应用前景,引起了人们广泛的关注与研究兴趣.综述了场发射薄膜材料的理论与实验研究进展,并评述了场致电子发射薄膜材料研究的瓶颈问题及未来发展方向与趋势.     

集成电子薄膜材料研究进展

首先分析了当前我国电子信息产业的现状,特别是电子材料与元器件行业的状况,结合国际上电子信息技术的发展趋势,阐述了研究集成电子材料的重要意义.文章结合作者的工作主要介绍了介电/GaN集成电子薄膜生长控制与性能研究情况,采用TiO2(诱导层)/MgO(阻挡层)组合缓冲层的方法控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,保护GaN基半导体材料的性能,降低介电/GaN集成薄膜界面态密度,建立界面可控的相容性生长方法.通过集成结构的设计与加工,研制出介电增强型GaN HEMT器件、高耐压GaN功率器件原型以及一体化集成的微波电容、变容管、压控振荡器、混频器等新型元器件.     

金刚石薄膜材料的应用与合成技术

本文对金刚石薄膜的性能、应用，金刚石薄膜的合成方法以及薄膜样品的表征等作了较详细的介绍。并根据金刚石薄膜研究的现状提出应进一步探讨的几个问题。     

薄膜超材料减振特性研究

根据薄膜超材料共振耗能机理,设计并制备了薄膜减振超材料样品。利用振动测试系统对薄膜超材料减振特性进行了试验研究。结果表明,1.3 mm厚的薄层材料可实现对控制对象9 dB的减振效果,所设计的超材料结构厚度小,减振效果佳。     

多层薄膜气敏材料研究概况

总结了国内外近年来多层落膜气敏材料的研究状况，对研究结果进行了综合分析和比较，总结了一些多层薄膜的制备方法及气敏性能的优缺点，并对多层薄膜材料性能比单层薄膜有明显改善的原因做了初步探讨。在此基础上提出了多层薄膜敏材料研究方向的看法。     

透明塑料用耐磨薄膜材料的研究进展

透明又耐磨的薄膜涂层是改善透明塑料表面抗划伤性耐磨性有效方法。本文综述了透明耐磨薄膜的种类和制备方法，从成膜材料、溶剂、增强材料、固化及测试方法总结了有机-无机杂化材料用作耐磨薄膜涂层的研究进展。     

热收缩薄膜材料--提高商品档次减少包装损失

据有关专家预测,卷筒标签、收缩膜卷筒标签、收缩套标签和收缩条开始进入了爆炸式增长阶段. 2000年,全美收缩薄膜的销售量大约为3600万磅,但是,跟亚洲和欧洲相比,这个数字是微不足道的,据统计,亚洲和欧洲收缩薄膜的销售量至少是美国的两倍,达到了7200万磅以上.但是,美国人正越来越青睐和重视收缩薄膜这也是一个不争的事实,专家认为,收缩薄膜市场正在以每年20%的速度快速增长.