真空电子技术

0462 2003020094新型压制钡钨阴极性能的研究/张红卫,白振纲,俞世吉,丁耀根(中国科学院电子学研究所)11真空电子技术.一2002,(3)一67一69研究了新型压制钡钨阴极的发射性能,并且分别用KYKY一2800扫描电子显微镜(5 EM)和美国BIR公司ACTIS工业CT微焦点系统来分析所研制的新型压制钡钨阴极的表面形貌和内部结构,并对比了传统的钡钨阴极,来说明简化覆膜浸渍钡钨阴极生产工艺的可行性.图5参1(冈,J)到了一组具有原子分辨率的F EM像.该像可能是从单壁碳纳米管束中突出的一根(16,0)锯齿型单壁碳纳米管开口端的发射形成的.理论计算了FEM图…     

6C18T电子管寿命稳定性研究

6C18T是钛陶瓷平板三极管,用于空间飞行器。其技术指标为7公分、工作比O.02时,脉冲输出功率P_o≥1200瓦。但该管的阴极有效面积仅有O.3平方厘米。因此为满足功率指标需要阴极支取电流密度j_(kn)=15A/cm~2～10A/cm~2。同时,还要求在动态寿命过程中,工作状态不变的条件下,200小时寿命后输出脉冲功率户P_0不小于960瓦。长期以来,由于阴极材料的影响,难以满足上述指标要求,为此我厂专门为寿命可靠性进行了研究。阴极结构和材料的选择该管阴极为间热式氧化物阴极,其结构如图l所示。该种阴极结构牢固、耐冲击、耐振动、阴极底金属(即阴极帽)采用O.2厚的镍钨钙材料。与其他材料相比(例如镁镍和镍钨镁)蒸发较小,脉冲放射较大,在850℃时可保证支取电流密度为15A/cm~2。在近几年试制生产6C18T的过程中,通过对材料的化学分析、对材料表面X能谱分析,     

钍钨阴极的碳化

钍钨阴极是一种最常见的薄膜阴极,它的实际应用已有四十多年了.其中最重要的改进是从初期的非碳化钍钨阴极,进展到采用碳化工艺制造成碳化钍钨阴极,结果大大改善了钍钨阴极发射的不稳定性和寿命短的缺点.与纯钨阴极相比较,碳化钍钨阴极在较低的工作温度下就有较高的发射.因此,在功率管与整流管领域中,已经广泛地得到应用.但特别由于真空技术的发展,减少了正离子对阴极薄膜的轰击破坏作用,再由于钍钨阴极的材料能加工成各种形状,使阴     

镍钨钙合金及其在电真空器件中的一些应用

一、前言镍钨钙合金(NW4-0.2)是用作高可靠、长寿命旁热式氧化物阴极的基金属材料;是制造某些高可靠超高频管及长寿命显象管的核心材料之一。 NW4-0.2合金是含有3～4％钨和0.1～0.2％钙的三元镍合金,用它作氧化物阴极的基金属时,合金中的钨和钙将与涂层发生如下     

一种高可靠长寿命阴极

正 空间技术的发展向电子器件提出了高可靠、长寿命的要求,这又使电子器件向阴极提出了同样的要求。在国外,解决的办法是,使用以锆镍或钨锆镍作基金属的氧化物阴极,再加上高水平的造管工艺等措施来保证电子器件的高可靠和长寿命。我们根据当前国内     

长寿命高真空电子管

国外最近制成一种高真空电子管.它的使用寿命长达二十多年,各个特性能始终保持不变.它的阴极是用一种新的金属合金材料制成,其成分是在镍中加入2%的钨和0.02%的镁,故能保持寿命长,特性不变.     

电子器件基础

0219596射频溅射 ZnO 薄膜的晶体结构和电学性质[刊]/黄静华//真空科学与技术学报.—2002,22(3).—186～188,192(L)0219597亮绿-聚氯乙烯膜涂层玻璃电极的研制及应用[刊]/刘峥//桂林工学院学报.—2002,22(2).—182～187(L)0219598钍——钨阴极材料碳化工艺研究[刊]/吴万祥//应用科技.—2002,29(5).—64～66(D)阐述了钍-钨(Th-W)阴极材料碳化处理的作用,对影响碳化质量的若干处理工艺进行了研究和改进,提高了碳化质量,从而给出提高钍-钨阴极性能的途径。参2     

外刊题录

1.SiO_2层中离子注入感生陷阱的俘获截面与电场的关系 Thin Solid Films.,Vol.99,No.4,P.331,1983.12.纯GaAs和掺杂GaAs中的空穴输运 J.AP-pl.,Phys.,Vol.54,No.8,P.4446,1983.83.掺磷多晶硅膜ac特性的说明:横过低势垒晶粒间界的传导 J.APPl.Phys.,Vol.54,No.8,P.4463,1983.84.氮化硅中的缺陷和杂质态 J.APPl.Phys.,Vol.54,No.8,P.4490,1983.85.具有亚微米分辨率和工艺稳定的自显影抗蚀剂 APPl.Phys.Lett.,Vol.43,No.1,P.74,1983.76.用于细条光刻的抗蚀剂 PIEEE.,Vol.71,No.5,P.570,1983.5     

一种复合钨海绵体钡钨阴极

通过分析影响钡钨阴极蒸发的各种因素,结合实际生产中的工艺要求,介绍了一种复合钨海绵体钡钨阴极制造工艺,能够有效降低钡钨阴极蒸发。     

六硼化镧与钡钨空心阴极的放电特性实验研究

空心阴极作为电推力器点火和羽流中和的核心部件,其内部气体放电特性对于阴极的工作性能起着决定性的作用.本文对基于不同发射体的钡钨空心阴极和六硼化镧阴极的放电特性进行了系统的实验研究,结果表明:随着阴极工作参数的不同,两种阴极的放电均表现为三种典型的放电模式;在相同的工作参数下,六硼化镧阴极可维持的放电电流较钡钨阴极的大,工作电流范围也更宽,但钡钨阴极工作时的放电电压更加稳定,应用于霍尔推力器时,有利于推力器工作效率的提高和稳定.     

红外技术

708 用射频多阴极溅射Pb_xSn_(1-x)Te外延层 Pb_xSn_(1-x)Te epitaxial layers by rf multicathode sputtering,C.Corsi,J.Alfieri,et al.,Appl.Phys.Lett.,May 15 1974,Vol.24,№910,p.484～485. 在BaF_2、NaCl和(111)Ge基片上溅射的外延单晶Pb_xSn_(1-x)Te薄膜,其载流子浓度和迁移率值接近于块状单晶。     

新型三元混合基钡钨阴极的发射性能研究

研究了三元混合基底的制备及对钡钨阴极发射性能影响,结果表明所研究的W-Ir-Rh、W-Ir-Ru、W-Ir-Re三元混合基钡钨阴极的发射与传统的覆膜纯W基钡钨阴极的发射水平近于相当,但其制备工艺更简单,排气和激活时出气更少,能够加速管子的处理工艺.     

外刊题录

1.等离子体化学处理对单晶硅热氧化时缺陷形成的影响ИAH HeopιaнMamep.,Vol.21,No.1,P.5,1985,12.用MOCVD法生长GaAs外延层的形态J.Cryst.Growth,Vol.69,No.1,p.23,1984,113.聚酰亚胺膜的热特性、物理特性和腐蚀特性J.Electrochem.Soc.,Vol.132,No.1,P.155,1985,14.用于VLSI的改进型磷硅玻璃     

资料简介索引

一、气体激光器4001固定调节c。:波导激光器的运转特性 O手erating eharaetere:ties of往fixed alignment C02 waveg:,ite Iaser,Rev.Sei.Instrum.,1983,Vol. 54,No.9,pp.1135一1137. 本文介绍一种固是调节的简单co:波导激光器,给出了在各种气体混合物下的激光器的运转特性。在     

新型二元混合基钡钨阴极的发射性能研究

研究了二元混合基底的制备及对钡钨阴极发射性能影响,结果表明所研究的W-Ir（MMM）、W-Re（CMM）二元混合基钡钨阴极有比传统覆膜纯W基钡钨阴极更低的逸出功,具备更好的发射性能;从所研究的两种混合基钡钨阴极发射来看,覆膜阴极和未覆膜阴极发射效果没有明显差异。     

电信号特性测量与设备

Y98-61429-786 9908220虚拟阴极振荡的高功率微波(HPM)锁频技术的研究=The studies of HPM frequency-lock technique of VCO[会,英]/Zhang,Y.Z.& Liu,J.L.//1997 IEEE11th International Pulsed Power Conference,Vol.1.—786～790(AG)一种金属谐振腔被成功地应用于从虚拟阴极振荡(VCO)中锁定高功率微波(HPM)频率。计算出了电子束空间电荷和能量抽取隙对腔固有频率的影响。在理论分析和模拟测试的基础上,设计了一长度可调的     

一种大发射热阴极

很久以来,许多研究阴极的工作者都试图把稀土金属氧化物掺和在氧化钡中,制成稀土金属钡盐,作为钡钨阴极的发射物质,以改进一般铝酸盐钡钨阴极的性能。这些努力已取得一定的成效,特别是含氧化钪的钡钨阴极取得了更为引人注目的进展。但迄今为止,只见到有关这种阴极的发射性能的报道而尚未见到有关它的其他性能以及应用情况的报道。 几年来,我们也开展了含稀土元素的钡钨阴极特别是钪酸盐钡钨阴极的研究。最近,     

新型压制钡钨阴极性能的研究

研究了新型压制钡钨阴极的发射性能 ,并且分别用KYKY - 2 80 0扫描电子显微镜 (SEM)和美国BIR公司ACTIS工业CT微焦点系统来分析所研制的新型压制钡钨阴极的表面形貌和内部结构 ,并对比了传统的钡钨阴极 ,来说明简化覆膜浸渍钡钨阴极生产工艺的可行性。     

外刊题录

1.掺磷多晶硅膜中 1/f噪声的解释:品格散射的Hooge模型J.Appl.Phys,Vol.56,No.10,p.3022,1984.112.热生长SiO_2由固有氧化应力引起的致密作用J.Phys.D,Appl.Phys,Vol,17,No.11,p.2331,1984.113.半导体中杂质态的一种新研究法S.S.Commun,Vol.52,No.4,p.385,1984.104.带有欧姆接触的半导体中的双极热漂移ФТП,Vol.18,No.9,p.1507,1984.9     

钡钨阴极的性能与多孔钨结构的关系

本文对渍制钡钨阴极多孔钨结构与发射和蒸发性能的有关数据进行了分析研究。结果表明,对于多孔钨结构,钨粉的颗粒度和孔隙的孔径大小决定了小孔内表面的总面积和钡在钨表面上的扩散路程,钡输送通道的大小和长短。这些因素对钡钨阴极的性能和工作机理有密切关系,但仅用多孔钨孔隙度来表征阴极性能那是不够严格的。最后我们提出了对于不同用途的阴极应采用的多孔钨结构。