非金属材料表面激光诱导化学局域镀覆金属（铜,镍）的研究

利用５１４．５ｎｍＡｒ激光及１０７９．５ｎｍＮｄ：ＹＡＰ激光作诱导光源，有机玻璃、环氧树脂板在体，研究了激光功率、辐照时间、镀液组份、浓度对激光诱导化学局域镀覆金属铜、镍的影响规律，探讨了激光作用的物理机制。利用扫描电子显微及轮廓仪分析了镀斑形成过程、微观形貌、厚度分布。结果表明：与普通化学镀相比，激光诱导的镀速度要高２－３个数量级，镀怪表面平滑、颗粒大小均匀，规则、分布致密。镀斑的厚度在横 呈类     

陶瓷表面激光诱导局域化学镀覆金属镍的研究

利用１０７９．５ｎｍＮｄ：ＹＡＰ激光作诱导光源,普通陶瓷作为基体,研究了激光功率、辐照时间、镀液组份、浓度对激光诱导化学局域镀覆金属镍的影响规律,探讨了激光作用的物理机制。利用扫描电子显微镜及轮廓仪分析了镀斑形成过程、微观形貌、厚度分布。结果表明：与普通化学镀相比,激光诱导的镀覆速度要大约两个数量级,镀层表面平滑、颗粒大步均匀、规则、分布致密。镀斑的厚度在横向上呈类高斯分布。     

激光诱导普通玻璃表面局域液相化学沉积铜的研究

利用CO2激光（λ=10.6μm）作为诱导光源，普通玻璃作为衬底，研究了影响激光沉积质量和速率的因素，探讨了激光诱导液相化学沉积技术的反应机制，反应产物及其沉积模型等。采用光学显微镜对其沉积过程和沉积铜的微观形貌进行了观察。结果表明：激光诱导液相化学沉积技术能沉积出表面平整，颗粒大小均匀、规则，分布致密的铜镀层，且沉积速率比起普通化学镀也要高出几个数量级。     

激光诱导等离子体在金刚石表面沉积金属薄膜

介绍了一种利用脉冲准分子激光轰击钛(或镍)靶诱导出等离子体从而在金刚石颗粒表面沉积Ti，Ni等金属保护层的新方法。使用抗压强度测定仪测定并比较了金刚石颗粒表面镀敷金属层前后的抗压强度值，使用金相显微镜观察了金刚石镀膜前后的表面微观状态，并利用x射线衍射仪(XRD)测定了沉积在金刚石颗粒表面金属层的组份。结果表明，利用脉冲准分子激光在金刚石颗粒表面镀Ti后其抗压强度显著增加，而且由于脉冲准分子激光轰击金属靶材后诱导的等离子体能量较高，即使在非高温工作情况下也可在金刚石表面生成TiC膜，这大大提高了金属膜层与金刚石颗粒之间的结合紧密度，这种TiC膜层的形成对于延长金刚石锯片的使用寿命具有重大意义。     

环氧树脂表面激光诱导液相化学局域沉积镍的实验研究

利用1079.5 nm Nd∶YAP激光作诱导光源,环氧树脂板为基体,研究了激光功率、辐照时间对激光诱导化学局域沉积金属镍的形成过程、微观形貌、厚度分布影响规律,确定了最佳的激光工艺参数.实验所用的镀液主要成分为硫酸镍、氯化铵、次亚磷酸钠,镀液的厚度为15 mm;环氧树脂板经过清洗、活化处理后直接浸入镀液中;Nd∶YAP激光通过聚焦直接照射到基体表面上.实验结果表明:所沉积的金属镍斑的中心厚度和面积随着激光功率、辐照时间的增加而增大,如当功率P=1.1 W,辐照时间t=12 min时,中心厚度d0=45 μm.与普通化学镀相比,其沉积速度高出几十倍,电镜分析结果表明:镍斑表面光滑、颗粒分布均匀.随着激光功率的增大,如P=3.5 W时,沉积速度呈下降趋势;当功率P=4.5 W时,出现凹坑现象,而且镀层较疏松,与基体的结合力差,随着功率的提高,这种现象更加明显,甚至得不到完整的镀斑.因此,在溶液厚度为15 mm时,激光功率为1 W比较适宜.(OE5)     

激光诱导环氧树脂表面液相化学局域增强沉积镍的实验研究

利用1079.5nm Nd:YAP激光作诱导光源，环氧树脂作为基体，研究了激光功率、辐照时间对激光诱导化学局域镀覆全属镍的形成过程、微观形貌、厚度分布影响规律，确定了最佳的激光工艺参数。     

调Q脉冲YAG三波长激光诱导液相沉积Si基Ni-Pd-P纳米膜

使用脉冲三波长Nd：YAG激光实现了室温下半导体硅上化学沉积Ni-Pd-P纳米膜。SEM结果表明,激光诱导化学沉积Ni-Pd－P纳米膜具有良好的选择性。经STM测试发现,由于激光作用,镀层不仅沿表面生长,而且在厚度方向上也不断增厚。极化曲线测试表明,短时间激光诱导沉积的Ni-Pd-P纳米膜具有优异的析氢催化性能。     

激光诱导银纳米颗粒薄膜和微结构

利用可见激光诱导化学沉积方法在玻璃基底上制备纳米银薄膜和微结构。玻璃样品池中装满柠檬酸钠和硝酸银的混合透明溶液,当一束可见连续激光正入射样品池一段时间后,在辐照区域的玻璃内壁上便可以形成一层光亮的银膜。银膜沉积的速度受到激光功率密度、激光波长、辐照时间以及混合溶液的浓度等条件的影响。利用X射线衍射、原子力显微镜和拉曼光谱仪等手段对制备的薄膜的成分、表面形貌和拉曼活性等性质进行了表征和分析。利用此方法制备的银膜具有良好的表面增强拉曼散射活性。同时,利用双光束干涉的方法在玻璃基底上诱导出不同周期的银纳米颗粒光栅。     

激光增强电镀铜

1.激光增强电镀属于液相激光化学沉积,它也是一种可以不用掩模而直接制作微细金属原图的新技术。美国IBM公司及其他一些研究部门从七十年代末开始在这一方向进行了一系列研究。近年来我们对激光增强电镀的机理和规律作了实验探讨,观察到电镀的激光增强效应,实验得到的激光电镀速率为0.1～1μm/s量级,比无激光照射时的常规电镀速率高600～1200倍。利用这一新技术我们得到了直径(宽度)为数十微米的铜镀点和镀线。     

激光诱导化学沉积三维加工技术

本文提出了激光诱导化学液相沉积快速成型技术(LCLD＆RP)。CO_2激光经扩束,聚焦到浸入化学镀液(室温)中的衬底上,使得衬底局域升温,并发生化学反应沉积出固体物质。通过激光束逐点层扫描并沉积出所想要的三维形状实体。并就激光化学液相沉积快速成型技术的可行性进行了讨论。     

激光等离子体化学气相沉积掺氢非晶硅薄膜——一种新的LCVD方法

采用一种新方法,用脉冲CO_2激光器获得了掺氢非晶硅薄膜。描述了我们的实验。给出了生长速率与有关实验参数的关系和合适的工作条件;测量和分析了这种薄膜的某些性质。     

CO2激光诱导液相局域沉积技术的探讨

通过多次尝试 ,发现He Ne激光器不适合用于激光诱导液相沉积技术。而对于输出波长在中红外波段的CO2 激光器 ,运用常规的方法 ,也不易实现金属在试片正面的液相局域沉积。介绍了一种新方法 ,并运用CO2 激光从水溶液中在环氧树脂基体的正面局域诱导沉积出了金属铜线 ,同时简要探讨了影响其沉积速率的几种因素。     

OLD诊断SiH_4的LPCVD动力学过程

用光声激光偏转(OLD)测量了强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4-H_2系统产生等离子体淀积(LPCVD)硅薄膜过程中的激波效应,证明激光击穿SiH_4诱发的激波效应是LPCVD中基本的气体动力学过程,并讨论了激波对膜生长的影响。     

激光法制备纳米氮化硅及其光谱特性研究

介绍了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工艺原理,通过增加正交紫外光束激励NH3分解,提高气相中n(N)/n(Si)比,从而减少产物中游离硅的浓度,制备出粒径7～15 nm的无团聚、理想化学剂量(n(N)/n(Si)=1.314)的非晶纳米氮化硅粉体.采用透射电子显微镜观察粉体形貌,并指出表面效应和量子尺寸效应导致粉体红外吸收光谱和拉曼光谱的"蓝移"和"宽化"现象.采用双光束激励的光诱导化学气相沉积法是制备高纯度纳米氮化硅粉体的理想方法.     

激光在纳米粉体制备中的应用

分析了激光诱导化学气相沉积法和激光烧蚀法制备纳米粉体技术的特点、原理及其装置,阐述了激光法纳米粉体制备的影响因素,综述了激光技术在纳米粉体制备中的应用研究现状,展望了该项技术的发展前景。     

CO2激光诱导局域化学镀铜的研究

利用CO2激光诱导液相沉积技术,首次从水溶液中在环氧树脂基体的正面局域沉积出了金属铜线。并运用扫描电子显微镜、电子探针等仪器,观察到了激光照射后基体上催化沉积活性中心的存在,分析了所沉积的铜线的微观形貌。     

CO2激光化学气相沉积a-Si:H薄膜

用输出功率为50W的CW CO2激光照射纯硅烷(SiH4)气体得到了a-Si:H薄膜。沉积速率达到200/min。用电子衍射方法测定了所沉积的薄膜是非晶态的。测量了薄膜的光电导率和暗电导率,其比值达104量级。用紫外可见光谱分析了薄膜的光学性质,计算出光能隙为1.44～2.0eV。得到了沉积速率、光电导率、暗电导率、光学能隙随基片温度变化的关系曲线。阐述了CO2激光化学气相沉积a-Si:H薄膜的机理。     

对平板耦合半导体激光器的探索

To obtain a high-power and efficient single-mode laser, a new laser called the slab coupled optical waveguide laser （SCOWL） has been developed. We have simulated its structure and grown the chip with this structure by low-pressure metal organic chemical vapor deposition. We have also produced the broad-area SCOWL and compared it with the traditional structure laser in terms of some performances. This work lays the foundation for further research of ridged lasers with the same structure.     

InGaAsP/InP double heterostructure lasers grown by atmospheric-pressure MOCVD

Room-temperature operation of InGaAsP-InP double-heterostructure lasers grown by atmospheric pressure metalorganic chemical vapour deposition is reported. Optically pumped laser operation at 1.36 ?m and 1.45 ?m has been achieved and broad-area injection lasers operating at 1.37 ?m with threshold current densities as low as 3.6 kA/cm2 have been demonstrated.