超声波对化学镀Ni—Cr—P非晶态薄膜的金刚石性能的影响

研究了超声波对化学镀Ｎｉ－Ｃｒ－Ｐ非昌态薄膜的金刚石性能的影响，结果表明，超声波可使金刚石非晶态薄膜更加均匀和致密，从而提高了抗压强度，氧化温度和晶化后的强度，随超声波频率的影响，金刚石性能有增加的趋势。     

超声波重复化学镀Cu—Ni合金对金刚石性能的影响

研究了金刚石表面超声波重复化学镀Ｃｕ－Ｎｉ合金工艺及其对金刚石性能的影响。结果表明：超声波重复化学镀是一种有效增加镀层厚度的化学镀覆新工艺。每次镀１ｈ，镀覆４次，金刚石增重１２０％，采用这些新工艺，金刚石的单颗粒抗压强度可提高近１倍，氧化可提高１００℃左在。     

基体负的低偏压对氟化非晶态碳膜结构及性能的影响

为了研究基体负的低偏压Vb对氟化非晶态碳膜的结构、纳米硬度和疏水性能的影响,采用等离子体浸没与离子注入装置,CF4和CH4作为气源,在不同的基体偏压下制备了一系列氟化非晶态碳膜.使用XPS、ATR-FTIR和Raman谱对其成份和结构进行了表征.薄膜硬度通过纳米压痕仪进行测量,采用躺滴法测量薄膜与双蒸水之间的接触角来评价其疏水性能.XPS和FTIR结果表明薄膜中存在C-CF、C-Fx基团.Raman谱结果表明:随着基体偏压的增加,薄膜从类聚合物状结构逐渐转变为类金刚石结构,薄膜的硬度逐渐增加.接触角测量结果表明:在低偏压范围内,单纯地依靠调节偏压并不能显著地提高薄膜的疏水性能.     

SiNx介质薄膜制备及其对GaN表面金刚石形核生长的影响

SiNx作为GaN和金刚石异质结构的中间层，不仅是下层GaN材料的保护层，也是上层金刚石的形核生长层，因此SiNx介质薄膜对于GaN表面合成高质量金刚石具有重要的意义。研究分别采用低压化学气相沉积（LPCVD）和磁控溅射（MS）方法在GaN-Si衬底上制备SiNx介质薄膜。利用扫描电镜、傅立叶红光光谱、X射线衍射、激光拉曼等技术对SiNx薄膜的表面形貌、晶体结构和表面官能团等进行分析。结果表明，采用LPCVD镀制的非晶态SiNx介质薄膜经籽晶播种、形核生长金刚石后，金刚石/SiNx/GaN界面完整致密；采用MS制备的SiNx介质薄膜呈晶态特征，对应的界面出现明显的刻蚀坑。沉积方式会影响SiNx薄膜的晶体结构和微观形貌，高致密度的非晶态结构有利于金刚石层快速形核生长，对于构建金刚石基GaN结构更为有利。     

镍－磷非晶镀层的表面研究

应用ＸＲＤ、ＡＥＳ和ＸＰＳ研究了晶态和非晶态Ｎｉ－Ｐ镀层的表面结构和体相结构。结果表明：Ｎｉ－Ｐ非晶态镀层的形成与电镀工艺条件有关，碱式碳酸镍的使用对非晶态的形成和镀层耐蚀性的提高起着重要作用。样品表面的磷以两种化学态存在，分别为Ｎｉ－Ｐ合金的磷和磷酸根的磷。为了形成非晶态镀层，Ｍｉ／Ｐ原子比应控制在３．３６以上。此外，Ｎｉ－Ｐ非晶态合金镀层的腐蚀实验还表明：非晶态合金镀层的耐蚀性能要比晶态镀层高得多。     

DC-PCVD法沉积的非晶态氮化硅的结构与性能研究

对用直流等离子体化学气相沉积（ＤＣ－ＰＣＶＤ）法得到的非晶态氮化硅薄膜结构与性能进行了研究。对氮化硅薄膜的表面显微硬度和剖面显微硬度进行了测试，并对非晶态氮化硅硬度高于晶态氮化硅硬度的原因进行了探讨     

C_(60)-甲苯衍生物/类金刚石复合膜的光电性能研究(英文)

报导了 C_(60)－甲苯衍生物 /类金刚石复合膜的荧光光谱和光电导性能。与 C_(60)比较,室温下 观测到 C_(60)－甲苯衍生物峰值位于 460nm的光致发光现象。随掺杂剂碘的加入, C_(60)－甲苯衍生物 的荧光强度递减,但薄膜的光电导性能却增加一个数量级。实验结果还表明,类金刚石膜的复合 会使薄膜的光电导性能略微下降,但类金刚石膜可作为钝化膜使用。     

类金铡石薄膜内应力的测试

采用射频－直流等离子增强化学气相沉积法制备出类金刚石薄膜，用弯曲法测定薄膜的内应力。类金刚石薄膜中存在１－４．７ＧＰａ的压应力，沉积工艺对薄膜的内应力有很大影响，薄膜的内应力随极板负偏压的升高而降低，随Ｃ２Ｈ２气体一的增加而增大。     

极板负偏压对类金刚石薄膜性质的影响

用射频－直流辉光放电系统制备类金刚石薄膜，研究了极板负偏压（Ｖ）对类金刚薄膜性质的影响。结果表明，类金刚石薄膜的性质明显依赖于极板负偏压，在所研究的范围（－３００－９００Ｖ）内，随Ｖ绝对值的增加，薄膜的折射率，消光系数，生长速率，及硬度增加，电阻率下降，Ｖ的变化使膜中Ｈ一及ｓｐ＾３／ｓｐ＾２的比例发生变化，从而使膜的性质发生变化。     

镍－钨－磷非晶态合金的电沉积方法及耐蚀性能的研究

研究了Ｎｉ－Ｗ－Ｐ非晶态合金的电沉积方法，讨论了电解液组成、温度及ｐＨ值对镀层结构的影响。由Ｘ射线衍射实验测定了镀层结构和晶粒尺寸，分析了非晶态镀层的形成规律。用极化曲线分析并比较了电沉积Ｎｉ－Ｐ、Ｎｉ－Ｗ及Ｎｉ－Ｗ－Ｐ非晶态合金镀层的腐蚀行为。     

Properties of synthetic diamond and graphene nanoplatelet-filled epoxy thin film composites for electronic applications

Epoxy thin film composites filled with particulate nanofillers; synthetic diamond and graphene nanoplatelets were prepared and characterized based on tensile, thermal, and electrical properties. The influences of these two types of fillers, especially in terms of their loading, sizes and shapes, were discussed. It was found that the epoxy thin film composites incorporating synthetic diamond displayed optimum properties where the addition of synthetic diamond from 0 to 2 vol.% results in higher elastic modulus, tensile strength, elongation at break, thermal conductivity and storage modulus if compared to those of graphene nanoplatelets composites. Both thin film composites showed improvement in the glass transition temperature with increasing filler loadings. Results on the electrical conductivity of both systems showed that higher conductivity is observed in graphene nanoplatelets composites if compared to synthetic diamond composites.     

Electrochemical studies of nano-structured diamond thin-film electrodes grown by microwave plasma CVD

In this paper, we report the investigation of the electrochemical properties of nano-structured diamond thin-film electrodes on porous silicon (PSi) synthesized by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD). For the application, boron-doped and undoped diamond thin film has been performed and fabricated into an electrode device, and its microstructure, electrical and chemical properties have been studied. In order to enlarge the surface area of diamond electrodes, a negative bias was applied to the MPCVD process to deposit diamond thin film in a nano-structured form, so that its surface remained rough and nano-fine structured. Diamond thin films were analyzed by Raman spectroscopy and SEM. The morphology of boron-doped diamond thin films on PSi reveals nano-rods in the shape of diamond crystallites. Their electrochemical properties were evaluated by performing cyclic voltammetry (CV) measurement in inorganic K₄[Fe(CN)₆] in a K₂HPO₄ buffer solution. Boron-doped diamond thin film on PSi has demonstrated good electrochemical properties, with a larger redoxidation current of CV, due to its rough surface, which provides a more active electrochemical interface.     

CVD金刚石薄膜的介电性能研究

对直流电弧等离子体ＣＶＤ制备的金刚石薄膜的介电性能进行了研究，结果表明，金刚石薄膜的介电性能主要取决于样品的多昌性质以及表面和晶界处的非金刚石相和杂质成分。     

微波等离子体刻蚀处理对金刚石薄膜涂层刀具附着力和切削性能的影响

用HFCVD法在硬质合金（YG6）刀具衬底上沉积金刚石薄膜,用氢微波等离子体刻蚀的方法对衬底进行表面预处理,研究了该预处理技术对WC硬质合金衬底表面成分的影响,进一步探讨了所沉积金刚石薄膜的表面形貌和附着力,并通过难加工材料实际切削试验。研究了所制备的金刚石薄膜涂层刀具的切削性能。试验结果表明,Ar-H2微波等离子体刻蚀脱碳处理是提高金刚石薄膜附着力和改善涂层刀具切削性能的有效预处理方法。     

光学薄膜及其发展现状

介绍了传统光学薄膜的原理,并对反光膜、增透膜、纳米光学薄膜等传统光学薄膜的研究现状及应用情况,以及几种新型光学薄膜如高强度激光器、金刚石及类金刚石膜、软X射线多层膜、光电通信用光学薄膜的研究现状及应用进行了详细分析;最后对光学薄膜的发展前景进行了展望。     

金刚石薄膜涂层硬质合金刀具的界面表征

采用SEM对金刚石薄膜涂层硬质合金刀具的金刚石薄膜表面、背面及金刚石薄膜剥落后的硬质合金刀片表面的典型形貌进行了观察,并采用TEM对金刚石薄膜／硬质合金刀片横截面的微观组织进行了研究,还采用FT—Raman光谱法对金刚石薄膜表面及金刚石薄膜剥落后的硬质合金刀片表面的微观结构进行了表征．结果表明：经适当的化学侵蚀脱钻和等离子体刻蚀脱碳预处理后,金刚石薄膜涂层硬质合金刀具的界面通常存在薄的（数十nm）石墨碳层;局部区域见到金刚石粒子直接生长在WC颗粒上,金刚石膜／基横截面的典型组织层次为：金刚石薄膜／薄的石墨碳层／细小的WC层／残留的脱碳层（η相＋W相）／原始的硬质合金基体．     

硅衬底上高增透金刚石膜的制备研究

采用甲烷和氢气作为工作气体,在热丝化学气相沉积(HFCVD)设备上采用五段式沉积法制备了金刚石薄膜,用扫描电子显微镜(SEM)、激光拉曼光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及傅立叶红外光谱仪研究了金刚石膜的结构和性质.结果表明,采用五段式沉积法可以得到晶粒大小达到纳米级的、表面粗糙度较小、金刚石纯度较高的金刚石膜,其最大增透率超过70%,能满足作为光学窗口增透膜的应用要求.     

表面镀钛对金刚石薄膜场发射特性的影响

利用等离子体化学气相（MWPCVD）沉积法在Si（100）面上沉积了金刚石薄膜,采用SEM、AFM、XRD、Raman、XPS等方法对薄膜的结构及表面形貌进行了分析。为提高薄膜的场发射性能,在金刚石表面溅射了金属Ti,对比金刚石薄膜、金刚石／金属Ti复合薄膜的场发射性能,结果表明,金刚石／金属Ti薄膜的发射电流密度更大,且随着电场的增加电流密度急剧增加,开启电场低,约为3V／μm,当电场为25V／μm时发射电流密度可达到1400mA／cm2,并在机理上进行了一些探索,对金刚石／金属复合结构薄膜的场发射性能研究有重要意义。     

化学气相沉积金刚石薄膜生长的原位反射率测量

报道了化学气相沉积金刚石薄膜生长的原位反射率测量,提出了监控金刚石薄膜生长的激光反射多光束干涉的数学模型。通过原位反射率的测量,精确监控了金刚石薄膜的生长厚度,成功地制备了红外增透增,这种方法的测量装置简单、紧凑而且可靠。     

P型和N型金刚石薄膜研究进展

金刚石薄膜有着高的热导率,高的介质击穿场强,高的载流子迁移率以及宽的禁带等优点,是非常理想的功能材料。掺杂使金刚石薄膜具有独特的电学和热学性能,使其在半导体领域具有广阔的应用前景,近年来成为国内外研究的热点之一。综述了金刚石薄膜P型掺杂和N型掺杂的研究现状,对金刚石薄膜N型掺杂研究中存在的问题进行了分析和探索,并对N型金刚石的前景进行了展望。