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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
本文用扫描隧道显微镜(STM)在天气中研究了Cu-27.2wt.%Zn-4.7wt.%Al合金中的贝氏体的精细结构,并与透射电镜(TEM)及扫描电镜(SEM)下的形态进行了比较,发现Cu-Zn-Al合金中贝氏体是由亚片条或亚单元组成,亚单元由超亚单元构成,进而为贝氏体相变机制的再认识提供了重要的实验基础,并在此基础上提出Cu-Zn-Al合金中贝氏体的形成模型。  相似文献   

2.
从Cu-Zn-Al合金相变产物的形貌与亚结构的特征着手分析了贝氏体相变的阶段性。测定了贝氏体相变阶段的体转变激活能并讨论了贝氏体相变的性质。  相似文献   

3.
从Cu-Zn-Al合金相变产物的形貌与亚结构的特征着手分析了贝氏体相变的阶段性。测定了贝氏体相变阶段的体转变激活能并讨论了贝氏体相变的性质。  相似文献   

4.
TEM研究表明,低碳(0.01-0.03wt.%C)Fe-(15.25)Cr-(4,5)Al合金经1200℃固溶处理后再于475-540℃时效时,碳化物迅速在晶界、位错等昌体缺陷处析出,晶界碳化物近于连续,晶界两侧形成析出带,析出相的衍谱与Cr23C6和Cr7C3基本吻合,在含0.4wt.%Y的FeCrAl合金中,含2相的衍射谱与六方α-Fe17Y2相的谱吻合,该相俘获碳原子的作用使合金在时效时不  相似文献   

5.
王丽丽 《半导体技术》1999,24(5):36-37,42
概述了改善的Au-Sn合金镀液,可以稳定地形成组成为80wt%Au,20wt%Sn的Au-Sn合金镀层,适用于具有抗蚀剂图形的半导体等电子零件上形成Au-Zn合金微细焊料图形。  相似文献   

6.
利用透射镜研究了Cu-Zn-Al合金贝氏体α1相在相变过程中的精细结构变化,发现贝氏体的生长经历三个阶段:初生态、中间态和退化态。初生贝氏体内不含层错亚结构,α1依台阶机制长大到一定程度后,内部出现层错;随转变进一步进行,α1内的层错结构逐渐消失,发生“过退火”,最终向平衡相转变。  相似文献   

7.
SiCw/Al-Li复合材料中界面无析出带的TEM观察董尚利,崔约贤,茅建富,来忠红,杨德庄(哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨150001)本文采用透射电镜选区电子衍射技术和暗场技术,研究了压铸法制备的15Vol%SiCw/Al-2.18wt...  相似文献   

8.
利用高分辨电镜考察了Cu-Zn-Al合金中不同生长时间的贝氏体及贝氏体/母相界面的精细结构;分析、讨论了贝氏体的有序性、贝氏体/母相界面点阵的共格性及贝氏体前沿母相中的微应变衬度。试验结果支持贝氏体相变的切变机制。  相似文献   

9.
激光快速凝固条件下Al- 5.6wt% Mn合金的组织选择规律研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用 5kW CO_2激光器对 Al-5.6wt%Mn合金进行表面重熔实验,并对熔池的形貌和微观组织进行了分析研究。实验结果表明;重熔区组织较基体组织大大细化,随着生长速度的增大,重熔区组织由Al6_Mn枝晶向α(Al)+Al_6Mn共晶、α(Al)胞/枝晶及完全无偏析固溶体转变。熔池中存在的对流和激光扫描过程中工作台运动的不稳定造成了熔池表面波纹状组织和熔池中三维条带状组织的出现。  相似文献   

10.
在焊点与铜基之间形成的Cu-Sn合金成分对表面安装器件的疲劳寿命起着关键性的作用。本文着重研究了93.5Sn3.5Ag(简写为Sn-Ag)焊料与Cu基界面间形成的合金层,通过电子扫描显微镜(SEM),X衍射(XDA)及能谱X射线(EDX)等分析发现,在Sn-Ag与Cu基界面上存在Cu6Sn5及Cu3Sn两种合金成分,且随着热处理时间增加,Cu6Sn5合金层增厚,并在该处容易出现裂纹而导致焊点强度减弱,从而使焊点产生疲劳失效。  相似文献   

11.
利用2kWCO2激光器对不同合Si量的AI-Si合金进行了搭接扫描熔凝处理,通过SEM和TEM对激光熔凝处理后Al-Si合金的组织结构进行了观察,通过测定在不同介质条件下的阳极极化曲线,讨论了激光熔凝处理对AI-si合金耐蚀性的影响。结果表明,激光处理可改善Al-Si合金在10%H2SO4和10%HNO3溶液中的耐蚀性,而对Al-Si合金在10%HCl和5%NaCl溶液中的耐蚀性没有明显的促进作用。  相似文献   

12.
利用透射镜研究了Cu-Zn-Al合金贝氏体a_1相在相变过程中的精细结构变化,发现贝氏体的生长经历三个阶段:初生态、中间态和退化态。初生贝氏体内不含层错亚结构,a_1依台阶机制长大到一定程度后,内部出现层错;随转变进一步进行,a_1内的层错结构逐渐消失,发生“过退火”,最终向平衡相转变。  相似文献   

13.
本文主要介绍1um双阱双层金属布线硅栅CMOS专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术,对多种材料如LPCVD、Si3N4、PECVESi3N4、热SiO2、PEVEDSiO2、PSG、BPSG、多晶硅和Al-Si(1.0%)-Cu(0.5%)合金等进行高选择比的,各向异性刻蚀的工艺条件及其结果。获得上述各种材料刻蚀后临界尺寸(CD)总损失<0.08um的优良结果。此外还分析讨论了被选择的刻蚀  相似文献   

14.
本文考察了Cu-Zn-Al合金的预贝氏体相变与贝氏体形核。内耗实验表明预贝氏体相变的主要过程为溶质原子扩散、偏聚;能谱分析揭示预贝氏体相变时存在溶质偏聚引起的溶质原子贫化区与富化区;原位观察证实贝氏体于溶质原子贫化区切变形核。  相似文献   

15.
利用MOCVD技术和光电子器件工艺成功地制备了P-i-n结构的P-ZnSe-(Zn0.65Cd0.35Se-ZnSeMQW)-n-ZnSe自电光效应器件(SEED)。在这种自由光效应器件中,在反向偏置电压下实现了由量子限制斯塔克效应(QuantumConfinedStarkEffect)引起的电光调制。  相似文献   

16.
利用场离子显微镜-原子探针(FIM-AP)以及分析电镜(TEM)研究甩带Cu88Co12颗粒合金的微结构。FIM的研究结果表明,原始状态下甩带Cu88Co12合金中观察不到Co的析出,可以看到明显的环结构,这说明甩带样品已很好地晶化。用AP进行纳米范...  相似文献   

17.
试样薄化导致的Cu—Al贝氏体/马氏体组织变化   总被引:1,自引:1,他引:0  
加热到1173K的Cu-25at.%Al合金块状试样经723K60S等温淬火后其组织由片状的“羽毛状贝氏体(9R结构)和β1'马氏体(18R结构)组成。当试样被离子束轰去进一步薄化后,在足够薄的区域内生成了许多2H结构的簿片马氏体。初步分析认为该薄片马氏体形成的原因是由于贝氏体生成时在试样内留下了高的应力场,当试样薄化到一临界厚度以下时,试样区的三维约束条件松弛使试样内的应力场触发了簿片马氏体的生  相似文献   

18.
纯铜渗铝层的电子探针研究马永庆于志伟(大连海事大学金属材料研究所,大连116026)本文用JXA-733电子探针研究了纯Cu渗Al层的Al浓度分布和相组成,为制备Cu-Al2O3复合材料的研究提供前期工作。实验用纯Cu(99.9%)试样尺寸为20×1...  相似文献   

19.
在研究一般MIM(Al-Al2O3-Au)结的基础上,为了克服Al的不稳定性和改善结的性能,我们采用半导体材料Si代替Al,研制成功MIS(Au-SiO2-Si)隧道结,观察到了稳定的发光现象.介绍了MIS结的基本结构和工艺流程,分析了结中SPP的各个模式,讨论了结的发光光谱,阐明了MIS结的发光机理.  相似文献   

20.
Eu ̄(3+)-N ̄1-(对-异硫氰基苄基)-DTTA标记抗CEAMcAbC_(17)赵启仁,张福华,刘洁,林汉,李美佳,庄湘莲,陈艾,胡壁(中国医学科学院放射医学研究所,天津,300192)TRIFMA中,制备比活性高、免疫活性高的Eu3+标记抗体...  相似文献   

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