W波段超外差式辐射计射频前端的设计

针对毫米波辐射计接收前端探测灵敏度低、结构复杂、集成度低的问题,设计了一款用于W波段辐射计的射频前端组件.该组件工作于77～79 GHz频段,采用超外差一次变频接收体制,基于毫米波裸芯片及微带电路技术进行研制,组件集成了低噪声放大、本振源、下变频及中频放大等功能电路.在射频信号输入端,使用厚度为0.127 mm的石英基...     

X波段低变频损耗混频器设计

采用商用肖特基势垒二极管HSMS-2822,研制了低变频损耗、高隔离度X波段单平衡混频器。为实现所需要的混频带宽,本振信号和射频信号采用三分支定向耦合器耦合输入,仿真研究表明其能有效地改善工作频率带宽,提高本振端口与射频端口间的隔离度。通过设计合理的空闲频率回收电路,回收利用空闲频率能量,能有效地降低混频器变频损耗,提高本振信号、射频信号及空闲频率信号到中频端口的隔离度。在10.6GHz,测得最小变频损耗5.67dB;在10～11.5GHz,混频器变频损耗为6.4±0.7dB,变频损耗平坦度好,RF-IF隔离度优于27dB,LO-IF隔离度高于24dB,LO-RF隔离度优于14dB。     

2.4GHz 0.35μm CMOS Gilbert下变频器

利用0 35μm CMOS工艺实现了一种用于低中频接收机的Gilbert型下变频器.其中,混频器的输出级采用折叠级联输出,射频信号、本振信号和中频信号的频率分别为2 452GHz,2 45GHz和2MHz.测试表明:在3 3V电源电压条件下,整个混频器电路消耗的电流约为4mA,转换增益超过6dB,输入1dB压缩点约为-11dBm.     

一种2.4GHz 0.35μm CMOS Gilbert下变频器

利用0.35μm CMOS工艺实现了一种用于低中频接收机的Gilbert型下变频器.其中,混频器的输出级采用折叠级联输出,射频信号、本振信号和中频信号的频率分别为2.452GHz,2.45GHz和2MHz.测试表明:在3.3V电源电压条件下,整个混频器电路消耗的电流约为4mA,转换增益超过6dB,输入1dB压缩点约为-11dBm.     

一种基于GaAs肖特基二极管W波段混频器芯片设计

对基于GaAs肖特基二极管的W波段单平衡混频器进行了研究,包括肖特基二极管特性等效电路拟合、曲线测试、参数提取、模型建立。基于单平衡混频器隔离度和杂散抑制的机理,研究了W波段巴伦的设计。基于GaAspHEMT工艺,结合W波段电路设计方法,研发了一款射频频率覆盖90～98 GHz,中频频率覆盖1～9 GHz,本振频率覆盖86～98 GHz,本振功率为11 dBm的无源单平衡混频器。芯片通过探针台在片测试,在W波段内有较好的性能,其中变频损耗小于10 dB,本振射频隔离度在92～96 GHz内大于35 dB。     

一种中频相同的微波光子信道化接收机

提出一种基于相干光处理的微波信道化接收机,采 用 自由谱范围(FSR)不同的两套光频率梳(OFC,optical frequen cy combs)分别作为 光载波和光本振,使得各个信道的输出具有相同的中频。本文方法将微波信号调制到载波 OFC的每一个 频率分量上,并用法布里-珀罗(F-P)光滤波器对多个信道的调制光边带同时进行带通滤 波,然后与 本振OFC进行相干探测实现频率下转换。若载波OFC比本振OFC的FSR大于1个 信道带宽,并使 F-P滤波器的FSR与本振OFC相等,可得 到等带宽、等中频的微波信道,降低了后续电路的复杂度。对 两个相邻信道进行了实验,将9.74～9.86GHz和9.86～9.98GHz波段的信号分别下转换到两个带宽为120MHz 的中频信道,两个中频信道的中心频率仅相差4MHz分别为900MHz和 896MHz,表明本文方法能够实现等中频的信道输出。     

三毫米波亚谐波混频器研制

采用鳍线结构研制出三毫米波亚谐波混频器.混频的核心元件是反向并联的GaAs梁式引线肖特基势垒二极管对.根据亚谐波混频器对本振、射频和中频网络的要求,先用谐波平衡法分析出反向并联二极管对在本振信号单独激励下的大信号阻抗,由此设计出本振网络.然后模拟出该器件在大信号本振激励下的小信号射频输入阻抗,并由此设计出射频网络.中频网络采用微带线结构实现.该混频器工作在射频92～96GHz,中频8～12GHz,实测带内变频损耗小于19.1dB.     

Ka波段频率合成器设计

提出了一种Ka波段低杂散、捷变频频率合成器设计方案.该方案采用直接数字合成(DDS)+直接上变频的频率合成模式,DDS1产生360～600 MHz低杂散中频信号,DDS2产生波形信号.经过4次上变频、分段滤波、放大后,该方案实现了宽带、低杂散、捷变频频率合成器的设计,为系统提供本振信号、激励信号等.根据设计方案,制作了...     

一种2.4GHz 0.35μm CMOS Gilbert下变频器

利用0.35μm CMOS工艺实现了一种用于低中频接收机的Gilbert型下变频器．其中,混频器的输出级采用折叠级联输出,射频信号、本振信号和中频信号的频率分别为2.452GHz,2.45GHz和2MHz．测试表明：在3.3V电源电压条件下,整个混频器电路消耗的电流约为4mA,转换增益超过6dB,输入1dB压缩点约为－11dBm．     

读者信箱

问:双本振单输出C波段高频头,为何有5150和5750两个频率?答:不管是C波段卫星信号还是Ku波段卫星信号,在高频头上都要进行变频处理,变频后输出950～2150(MHz)范围的中频信号。一般C波段信号的下行频率为3.7～4.2GHz,如果只     

W 波段单平衡混频器的设计

本文设计并制作了一种微带形式W 波段单平衡混频器。该混频器采用微带环形电桥结构,射频和本振信号分别从环形电桥的隔离端口由标准波导BJ-900 输入,经对脊鳍线微带波导过渡输入到微带电路,中频信号通过跳线方式连接并通过一段高阻抗线引出到输出口。该电路使用两只DMK2790 肖特基二极管制作在介电常数为2.2,厚度为0.127mm 的RT/Duriod5880 基片上,在固定本振94.5GHz,射频90GHz 到98GHz 范围内,变频损耗小于14.5dB。     

基于LTCC技术的C频段星载接收机混频器

利用低温共烧陶瓷(LowTemperature Co-fired Ceramic,简称LTCC)技术,设计制作了一种可应用于C频段星载接收机的双平衡混频器。该混频器将射频和本振巴伦等无源器件集成在多层LTCC基板内,实现了电路的小型化、高集成度和高可靠性。测试表明,当射频输入为5.925～6.425GHz、本振频率为2.225GHz、中频输出频率为3.7～4.2GHz时,混频器的变频损耗≤9.3dB,P1dB为5.7dBm,本振到射频和本振到中频的隔离度分别为39.44dB和35.58dB。混频器的尺寸为40×22×1.92mm3。     

卫星电视接收技术小测试参考答案

一、填空题:(每空1分,共20分) 1、卫星电视信号频率分为C波段和Ku波段,其中C波段频率范围是3.4～4.2GHz,Ku波段频率范围是10.7～12.75GHz.     

0.18μm CMOS X波段接收机射频前端设计

本文给出了一个采用TSMC 0.18 m CMOS工艺应用于X波段SAR(合成孔径雷达)的单片接收机射频前端的设计。接收机前端由低噪声放大器和混频器组成,低噪声放大器工作在9 GHz~11GHz,混频器将10GHz的射频信号转换到2GHz中频,本振信号由片外提供。在X波段频率下,尽管CMOS 0.18μm工艺特征频率比较低,工作仍然实现了低噪声系数,提高了集成度。测试结果表明,本设计在300MHz的带宽上实现了20dB的转换增益,噪声系数达到2.7Db,输入1dB压缩点达到-19.2dBm,在1.8V的电源电压下前端消耗26.6mA电流,芯片面积为1.3×0.97mm2。     

一款集成驱动放大器的低变频损耗混频器设计

采用0.5μm GaAs工艺设计并制造了一款单片集成驱动放大器的低变频损耗混频器.电路主要包括混频部分、巴伦和驱动放大器3个模块.混频器的射频(RF)、本振(LO)频率为4～7 GHz,中频(IF)带宽为DC～2.5 GHz,芯片变频损耗小于7 dB,本振到射频隔离度大于35 dB,本振到中频隔离度大于27 dB.1 dB压缩点输入功率大于11 dBm,输入三阶交调点大于20 dBm.该混频器单片集成一款驱动放大器,解决了无源混频器要求大本振功率的问题,变频功能由串联二极管环实现,巴伦采用螺旋式结构,在实现超低变频损耗和良好隔离度的同时,保持了较小的芯片面积.整体芯片面积为1.1 mm×1.2 mm.     

基于微带线的W波段二次分谐波混频器设计

采用微带混合集成电路技术设计了一款W波段二次分谐波混频器.通过分析二级管封装结构引入的寄生参量,提出了一种减小二级管并联寄生电容的方法.为了避免在W波段使用传统分谐波混频器中普遍使用的过孔接地及侧边平行耦合微带线带通滤波器,提出了一种改进型分谐波混频器结构.测试结果表明混频器在本振频率为45 GHz,中频频率为2.4 GHz时单边带变频损耗最小,最小值为8 dB.射频频率在90 ～ 100 GHz测试频率范围内,变频损耗的测量值小于10.5 dB.     

雷达本振源的宽带合成与高精度控制

提出了一种L波段宽带高精度自适应雷达本振频率合成和控制技术，这种技术通过对中频进行精确测频，控制由DDS＋PLL＿混频构成的宽带频率合成器的本振输出频率，实现对射频信号的搜索、跟踪，从而保证接收的中频为精确的固定中频。它搜索跟踪速度快、范围大、分辨率高、精度高、稳定可靠，同时满足了本振信号大带宽、低相噪、高纯频谱和自适应的要求。     

4～8GHz GaAs HBT单片双平衡混频器

介绍了一种基于 GaAs HBT 的双平衡混频器.该混频器将射频、本振有源Balun集成其中,在RF和LO输入端分别采用不同的LC网络实现宽带的阻抗匹配.跨导级和开关单元之间采用交流耦合,并通过带宽扩展技术实现频带内的增益平坦.测量结果显示,该混频器匹配良好,射频端口S11在3～10 GHz频带内小于-10 dB.在固定中频200 MHz 情况下测试,在4～8 GHz射频频带内,平均增益10 dB,波动小于1 dB,中频输出端口对射频信号的隔离度优于25 dB,对本振信号的隔离度优于28 dB;本振-射频端口隔离度优于32 dB.在3.3 V直流电压下测得的功耗为66 mW.     

高线性度组件简化了直接转换接收器的设计

直接转换无线电接收器可获取一个频率范围为800MHz～3GHz的高频输入信号,并利用一个混频器/解调器将该信号转换至基带,而无须经过一个中频(IF)级.     

小硕器材屋

双星高频头★一面天线接收146°E和138°E两颗卫星,内含DiSEqC1.0切换开关★输入频率:10.7￣12.75GHz★输出频率:950￣1450MHz★本振频率:9.75/10.6GHz★噪声系数:0.7dB嘉顿Ku波段GKF6100高频头★Ku波段单本振、双极化、单输出,DTH专用高频头,适用个体接收。★输入频率:12.25-1