IGBT闩锁现象的解析模拟

本文从ＩＧＢＴ发生闩锁的机理出发，推导出ＩＧＢＴ结构中两个寄生双极晶体管的共基极电流放大系数 及ＮＰＮ管基区横向电阻随电流密度变化的解析模型，并据此对条形和矩形元胞结构的ＩＧＢＴ器件编制了闩锁电流分析计算程序，取得了与国外报道相一致的结果。     

IGBT温度特性及其等效电路模拟

文章提出了一种基于子电路的IGBT模型，并对IGBT的温度特性进行模拟。用电压控制的可变电阻等效IGBT的宽基区调制电阻取得了很好的效果。用SPICE的LEVEL_8模型，确保模拟的精确性和收敛性。模拟结果表明，无论PT型还是NPT型IGBT，其温度系数均可正可负，纠正了一种普遍的观点称为PT型IGBT，其温度系数可正可负而NPT型IGBT，其温度系数只为正。模拟结果与实验对比符合较好。     

IGBT及其应用的发展概况

一、前言 1984年,美国B.T.Baliga等首先发表绝缘门极双极晶体管IGBT(Insulated GateBipolar Transistor)。由于IGBT兼备有MOSFET的高输入阻抗、快速性和双极达林顿晶体管(GTR)的高电流密度、低饱和电压的优点,所以深受电路设计者的欢迎。但是,最初由美国G.E开发的IGBT,它的下降时间长(数毫秒)导致开关速度慢,而且内有寄生PNPN晶闸管,该晶闸管在一定工作条件(特别是过流)下掣住,保持导通状态,使IGBT失去自关断能力,这些缺点在一定程度上妨碍了IGBT的推广应用。近两年来,经     

阳极短路垂直型IGBT的优化模型

提出了一种阳极短路垂直型ＩＧＢＴ的优化设计模型,阐述了导通压降、关断时间及闭锁电流之间的折衷关系。该模型为阳极短路ＩＧＢＴ的设计提供了一种有效的方法。     

三重扩散型IGBT的计算机模拟分析

本文根据目前国内半导体工艺水平的现状，提出了一种适合我国国情的制作ＩＧＢＴ的工艺方法─—三重扩散法，着重用器件模拟的方法，从理论上分析了三重扩散法在高压ＩＧＢＴ器件制作上的优势和切实可行性，并用实验的结果验证了其正确性．     

IGBT及其应用

IGBT(Insulated Gate Bipolav Transistors)是隔离栅极双极晶体管的缩写,它是新型电力电子器件的一个重要分支。IGBT于80年代初首先由东芝公司推出,80年代末、90年代初进入实用化,业内专家预测,2000年后IGBT将成为电力电子器件市场的主流产品。据WSTS预测,1998-2002年IGBT的年均增长率为20％,比同类分立器件的年均增长率高10％。IGBT实际上是一种高反压     

IGBT的原理,应用及驱动电路EXB841

介绍ＩＧＢＴ的原理及实际应用中须注意的问题，并且介绍了驱动电路ＥＸＢ８４１的使用方法。     

压装IGBT可靠性试验

本文提供了一类全新型无焊压装IGBTs的机械和电气可靠性的大量试验结果。实验内容包括：振动，冲击，热循环，也包括集电结和发射结和门的电疲劳使用期限。实验证明该类器件可用于可靠性要求高和寿命要求长的应用场合。     

IGBT的优化设计问题综述

本文从改进器件结构、提高器件性能的角度出发，对ＩＧＢＴ自产生以来的各种有代表性的优化设计进行了综述，其中重点介绍了抑制闭锁效应、降低正向压降和开关损耗、提高阻断电压和开关速度的一些技术，对几个关键参数之间的折衷问题也进行了一定程度的讨论。     

三重扩散IGBT的参数优化

采用三重扩散工艺制作ＩＧＢＴ是一种比较经济的方法。利用解析方法和二维模拟方法,优化了耐压为６００Ｖ三重扩散ＩＧＢＴ的部分参数,为实际利用三重扩散工艺制作耐压６００Ｖ的ＩＧＢＴ提供了参数依据。     

IGBT的传输特性分析

对绝缘栅双极晶体管中宽基区、低增益ｐｎｐ晶体管与普通高增益晶体管之间的差异进行了综合分析，表明，ＩＧＢＴ的工作特性必须采用双极传输理论来描述。     

IGBT功率开关模块的发展及应用

文章首先概述了ＩＧＢＴ功率开关模块的发展动态，其次总结和比较了第二、第三以及第四代ＩＧＢＴ功率开关模块的各项技术性能参数，最后着重强调了ＩＧＢＴ的使用及使用中的几个关键性问题。     

绝缘栅双极晶体管（IGBT）

绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）是近十多年来为适应电力电子技术发展而出现的新型器件。本文着重介绍它的结构、工作机理、静态特性、动态特性以及主要参数，为使用该类器件奠定基础，并对ＩＧＢＴ的应用作了介绍。     

大功率IGBT模块的集成技术

介绍了大功率IGBT模块的新概念，以及为实现小型化和高可靠系统时大功率应用的栅驱动技术。采用新型模块，可使体积和重量大约减小50％。使用通常的栅驱动方法驱动新型模块，也能简化设计并得到大功率电子系统。IGBT芯片的正面采用了沟槽栅结构，背面采用了电场截止层结构。未选择栅沟槽的FSIGBT芯片，其电流的不均衡率是10％或更小。采用通常的栅驱动单元有可能均衡与栅驱动单元并联的IGBT的开关波形。这些技术将使大容量的应用变得容易。     

日本IGBT门极驱动模块

IGBT绝缘门极双极晶体管的门极驱动电路很多,分立式驱动电路既实用又经济,但要求达到预期的性能尚较困难,尤其是由于IGBT内寄生晶体管和寄生电容的存在,门极驱动与损坏时脉宽的关系(+V_G损坏时脉宽变窄)等原因,驱动电路的设计考虑门极信号受主电流的影响,这种影响将使负载短路波形变差。而驱动模块具有良好的驱动性能。下面简单介绍东芝公司生产的与本公司IGBT配套使用的TF1205、TF1206驱动模块和富士开发的IGBT驱动模块,以供国内设计和生产IGBT驱动模块时参考使用。     

如何测试变频装置功率单元的IGBT

在控制面板(OP)的服务菜单下选P52=240激活IGBT的测试。通过选择1号变流单元(标准变频装置)或者1号或2号(变流单元并联变频装置)来显示障故。用K3和K4键来选择不同的IGBT的窗口。在菜单20下同时按K3和K4键可以删除显示的故障。更换整个IGBT模块(一个散热体上有两个IGBT)。     

IGBT的过流保护策略

本文研究了ＩＧＢＴ的过流保护策略,给出了一种新的过流保护设计思路。