氨化Ga2O3/Nb薄膜制备GaN纳米线

采用射频磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/ Nb薄膜,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)详细分析了GaN纳米线的结构和形貌.结果表明:采用此方法得到的GaN纳米线为六方纤锌矿结构,其纳米线的直径大约在50～100nm之间,纳米线的长约几个微米.室温下以325nm波长的光激发样品表面,只显示出一个位于364.4nm的很强的紫外发光峰.最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.     

化学气相沉积法制备GaN纳米线和纳米棒

采用浸渍法在未抛光的硅衬底上涂抹一层NiCl2薄膜,通过化学气相沉积法(CVD)制备出高质量的GaN纳米线和纳米棒.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的分析结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米线的直径在50～200nm之间,纳米棒的直径在200～800nm之间.     

氨化Si基Ga2O3/V薄膜制备GaN纳米线

为了制备高质量的GaN纳米结构,采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/V薄膜,然后在流动的氨气中进行氨化反应,成功制备出GaN纳米线.采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行分析.研究结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN纳米线,且900℃时制备的纳米线质量最好,直径在60nm左右,长度达到十几微米.     

氨化Si基Ga2O3/Co薄膜制备GaN纳米线

采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Co薄膜,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的分析结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米线的尺寸在 50～200nm之间.     

氨化Si基Ga2O3/Ti制备GaN纳米线

采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Ti薄膜,然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米棒的尺寸在50～150nm之间.     

氨化Ga_2O_3/Pd/Sapphire薄膜制备GaN纳米线

利用金属元素钯作催化剂,采用磁控溅射后氨化法,成功的在Sapphire衬底上制备出GaN纳米线。X射线衍射和X射线光电子能谱研究显示合成的纳米线具有六方纤锌矿GaN结构。通过扫描电子显微镜,透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出GaN纳米线为单晶结构,其纳米线的直径约为10～60nm,长度达几十个微米。室温下以325nm波长的光激发样品表面,发现GaN带边发光峰有较弱的蓝移。最后简单讨论了GaN纳米线的生长机制。     

金属离子(Ni2+和Cd2+)掺杂的竹节型钛酸钠纳米线的制备与表征

以钛酸丁酯为钛源,在强碱条件下用水热法分别制备了Ni2+和Cd2+离子掺杂的竹节型钛酸钠纳米线,并用X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)、选区电子衍射仪(SAED)以及X射线能谱仪(EDS)进行了相应表征.实验结果表明:生成的钛酸钠纳米线具有特殊的竹节型异质结构,直径分布在50～100nm.     

溅射后退火簇状GaN纳米棒的生长及其镁的作用

采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Mg薄膜,然后在1000℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米棒.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米棒的形貌,纳米棒的直径在200～600nm之间.我们对镁层的作用进行了简单探讨.     

Lu_2O_3纳米线阵列的超声辅助溶胶–凝胶模板法制备与表征

采用超声辅助的溶胶–凝胶阳极氧化铝(AAO)模板法制备Lu_2O_3纳米线阵列。通过X射线衍射谱(XRD)、能量色散X射线谱(EDX)、扫描以及透射电镜(SEM及TEM)对纳米线阵列的晶体结构和形貌进行表征。结果显示:Lu_2O_3纳米线阵列的晶相呈纯立方相Lu_2O_3多晶结构;纳米线形貌完整、取向一致、粗细均匀,直径约200 nm。与简单浸泡法相比,采用的超声辅助技术可有效提高Lu_2O_3在AAO孔道内的填充度,填充度接近100%。该方法具有工艺简单、成本低廉、填充度高、重复性好等特点,不仅可实现大面积Lu_2O_3纳米线阵列的制备,而且还可推广到其他材料的纳米线阵列制备。     

配合物热分解制备氮化镓纳米线及其生长机理研究

报道了利用VLS生长机制,在NH3气氛中,由配合物GaCl3·NH3在高温下热分解反应成功制备了GaN纳米线,利用X射线衍射(XRD)、高分辨电镜(HRTEM)、X射线能谱(EDS)等分析手段对产物进行了表征,并对氮化镓纳米线的VLS生长机理进行了探讨。