硅的高压氧化

本文介绍了我们自行设计和制作的不锈钢高压室式的微处理机自动控制的高压氧化炉的外形、结构、参数和氧化膜的性质,并从氧化膜的厚度对时间的关系曲线讨论了高压氧化所遵循的规律.     

全硅光电子集成电路的研究进展

全硅光电子集成电路具有与硅集成电路工艺的兼容性。通过使用便宜的硅材料和先进的硅大规模集成电路制造工艺，能以很低的成本实现光电子信息传递和处理的单片集成。文章在介绍了最近几年多孔硅发光器件在电致发光效率、稳定性和频率响应方面取得重要成果的基础上，叙述了基于多孔硅发光器件的全硅光电子集成电路的进展情况。     

高压氧化技术在nMOS工艺中的应用

要减小ＶＬＳＩ器件中的结漂移，需要较低的工艺温度。本文概述了高压氧化技术在ＭＯＳ器件制造中的应用。     

硅模拟集成电路

本文综述了国内外模拟集成电路的发展动态，叙述了国内模拟集成电路与国外的主要差距，针对国内的具体情况，提出了发展我国模拟集成电路的观点对策。     

硅的等离子体深腐蚀

湿法化学腐蚀已被广泛地应用于敏感器件传感结构的微细加工中.近年来,在VLSI中等离子体干法腐蚀已成为获得细线条图形的可行技术.然而,干法腐蚀工艺无论是等离子体腐蚀或反应离子腐蚀,相对于湿法腐蚀来说都是比较慢的.在需要深腐蚀的应用中(如电子束光刻的对准符号刻蚀,电路隔离槽或敏感器件的微细结构腐蚀)当前都着力提高腐蚀速率.在传感器的开发中,主要问题之一是封装,为简化到处于测量环境的传感器的外部连接,希望通过传感器背面进行连接.在化学传感器中,背面连接最为有利.因为假如所有的引线都     

硅的高压氧化

本文简要地介绍了硅的高压氧化概况。着重叙述我们目前采用的一种高压水汽氧化方法及其一些实验结果。实验表明本方法对于制备厚膜二氧化硅(>2微米)是简易可行的。同时,介绍了一些用氮化硅掩蔽进行硅的局部氧化试验情况。     

用离子束辅助沉积对Si进行金属化

本文用ＩＢＡＤ－ＰＶＤ复合方法在单晶硅上制备了Ｃｒ／Ｎｉ复合金属化层，研究了沉积工艺条件及退火对薄膜的界面结合强度和电阻率的影响，获得了界面结合强度高、电阻率低、抗热震性能好的Ｃｒ／Ｎｉ复合金属化膜，界面结合强度可达３１ＭＰａ。     

GaAs IC能否达到硅VLSI的可靠性

硅VLSI技术和可靠性硅VLSI技术在过去的20年中有了很大的进步。VLSI的尺寸越来越小,而功能和复杂程度又越来越高。即使为了保持VLSI芯片可靠性的原有水平都必须提高元器件和互连的可靠性.例如,在1990年4Mbit的存储器上每个晶体管的可靠性至少必须相当于1970年4Kbit存储器的1000倍。而对互连的可靠性要求则更高.目前的硅VLSI技术是以CMOS FET(CMOS场效应晶体管)技术为基础的。现代先进的硅VLSI技术有四层互连。与MOSFET有关的两个主要失效模式是热载流子效应和与时间有关的介质击穿(TDDB)。一     

硅基光电器件研究进展

在信息处理和通信技术中,光电子器件起着越来越重要的作用,然而,因为硅是间接湿润地导体,度图把光电子器件集成在硅微电子集成电路上却遇到很大困难,为解决这一困难,人们发展了多种与同电子集成电路兼容的光电子器件制造技术,本文介绍最近几年这方面技术的发展状况。     

硅双极型高速工艺和与其相容的硅PIN探测器

文章描述硅双极高速工艺，和一种能与双极工艺相容的硅ＰＩＮ探测器的结构及设计，从而提出一套易于实现两者集成的相容工艺。研制的单片集成光接收机，其中硅ＰＩＮ探测器的光电响应为０．４３Ａ／Ｗ，整机的响应度为４．４×１０３Ｖ／Ｗ，工作频率２５０ＭＨｚ。