静电在LCD制造过程中的危害及防护

通过介绍静电对电子产品的危害形式及特点,提出了静电防护的基本原则及方法,详细介绍了LCD制造过程中静电防护的要求及注意事项,并以LCD高精度偏光片贴片机为例,分析了LCD制造设备上的静电防护设计,实践证明,这些都是行之有效的方法.     

激光器危害的控制和防护标准研究

本文重点介绍军用激光器危害的控制和防护国军标(GJB470)的研制方法和结果,阐述了制订标准的科学依据,对标准内容及特点作简要说明。     

浅析雷电对通信设施的危害及防护

本文分析叙述了关于感应雷和直击雷对各种通信设施带来的危害,必须采取防护措施,避免对通信设施和人员造成危害。重点介绍了通信设施雷击防护的要求和具体做法。     

通信机房静电的危害和防护

本文在简单分析通信机房特点、静电对电子通信产品、设备危害的基础上,重点探讨了静电防护的原则和措施.结合通信机房设备、设施的特点,分析了防护措施的科学性.     

合理有效地预防和控制ESD危害

正静电就如我们周围的细菌一样,由于原子分子存在,任何物质只要有接触和分离,甚至不接触,通过感应都会产生静电。只要静电电位不相等,静电放电(ESD)就会发生。现代电子元器件的密度越来越大,速度越来越快,其抗静电的能力越来越弱。那么如何防护静电与控制ESD的发生呢?只要合理有效地控制人体静电放电、设备静电放电,控制元件操作附近的静电电压/电场就能控制绝大部分生产过程中的静电放电。     

浅谈电子制造过程中的静电及静电防护

静电释放(ESD)就是一定数量的电荷从一个物体(例如人体)传送到另外一个物体(例如芯片)的过程。这个过程能导致在极短的时间内有一个非常高的电流通过芯片,35%以上的芯片损坏都可以归咎于此。因此,在电子制造行业里保护芯片免受静电释放的损害是非常重要的。实际上,很多公司在各种不同电子应用中都遇到了如何应对急速增长的静电防护需求的问题。针对ESD机制和防护做了一个较全面的介绍,包括ESD原理,电流产生,危害,防静电工艺要求等。     

IC制造动态

苏州和舰筹建12英寸芯片生产线苏州和舰总裁徐建华在ICChina2006公开表示,苏州和舰已开始规划12英寸芯片厂,如果一切顺利,最快2008年就能投入运营。徐建华透露,公司将会有新的融资计划,而2005年可能计划到新加坡上市。徐建华说,公司8英寸工厂产能早已开足,通过投资扩产明年上半年可达每月6万片,但仍难应付市场需求。由于现在投资8英寸厂效益不会很高,因此兴建12英寸厂已提上规划。不过业内人士分析,就目前来说,苏州和舰要建12英寸厂,需要过资金和技术两大关。一座12英寸厂要15亿￣20亿美元,苏州和舰目前资金绝难支撑。而12英寸技术,苏州和…     

浅谈电子制造过程中的静电及静电防护

静电释放(ESD)就是一定数量的电荷从一个物体(例如人体)传送到另外一个物体(例如芯片)的过程。这个过程能导致在极短的时间内有一个非常高的电流通过芯片,35%以上的芯片损坏都可以归咎于此。因此,在电子制造行业里保护芯片免受静电释放的损害是非常重要的。实际上,很多公司在各种不同电子应用中都遇到了如何应对急速增长的静电防护需求的问题。文章针对ESD机制和防护做了一个较全面的介绍,包括ESD原理、电流产生、危害、防静电工艺要求等。     

激光作业危害评价

本文报道了三种激光作业的危害评价方法和结果,并提出需要采取的防护措施。     

浅谈电子制造过程中的静电及静电防护

静电释放(ESD)就是一定数量的电荷从一个物体(例如人体)传送到另外一个物体(例如芯片)的过程。这个过程能导致在极短的时间内有一个非常高的电流通过芯片,35%以上的芯片损坏都可以归咎于此。因此,在电子制造行业里保护芯片免受静电释放的损害是非常重要的。实际上,很多公司在各种不同电子应用中都遇到了如何应对急速增长的静电防护需求的问题。通过针对ESD机制和防护做了一个较全面的介绍,包括ESD原理,电流产生,危害,防静电工艺要求等。     

集成电路生产中废气的污染及治理

介绍集成电路生产中产生各种废气的种类,废气中有害物质浓度及其危害性,并依据工程实践,评述了各类有害废气的各种处理方法。     

IC制造工艺与光刻对准特性关系的研究

针对光刻对准特性,从单项工艺和工艺集成的角度,分析了影响光刻对准的各个主要因素,包括对准标记、工艺层、隔离技术等,提出了一些改善光刻对准效果的方法。     

MES系统及其在半导体制造中的应用

本文叙述了MES 系统的定义,半导体制造前工序中的MES 系统的特点,各组成模块的功能,系统的软硬件要求等。并指出了其在半导体制造中的应用。     

应用于集成电路制造的电镀金工艺控制

介绍了集成电路制造中的电镀金应用、电镀金工艺流程、电镀金原理、电镀药水、电镀设备类型、电镀金工艺参数的控制以及金镀层的性能表现。     

加速发展我国IC专用设备的一点建议

对加速发展我国IC专用设备提出建议 ,即提高认识、引进样机、先易后难、寻找突破和联合多方。     

IC厂房洁净系统方案介绍及比较

微电子工业迅猛发展,本文以一个典型的IC厂房为实例,介绍几种洁净设计方式,并从投资、施工、运行等方面进行分析比较。     

基于电子标签的气瓶安全管理系统

中国是世界化学气体的生产大国。防止装载气体用的劣质气瓶流入市场是保证生命安全的重要措施。本文叙述了上海市如何建立全市400万个气瓶的安全保障系统。     

集成电路制造工艺状态的表达与跟踪监控

文章提出了对PCM参数进行正交化而建立起一套广义参数,再以广义参数为基础构建工艺状态空间的技术。在工艺状态空间中,作为工艺结果的测试值集的数据分布为多维椭球体;该椭球体随生产的进行而呈现出连续性的形变,因此,跟踪这种形变,就实现了对工艺状态的监控。提出了将特定批次工艺状态与参照态进行状态比较的相似度指标计算公式,在多维空间中实现了整体性的统计工艺控制(SPC)。进一步地,由于状态空间中各坐标基矢的特定指向与工艺失效因素一一对应,对失效工艺的诊断与纠正也变得易于进行。     

数字逻辑电路的竞争与险象分析

对于数字逻辑电路，由于外界多个输入信号的同时改变，以及自身电路的传输延迟，因而普遍存在竞争现象。本文全面分析组合逻辑电路和时序逻辑电路中竞争出现的条件，对于会导致险象的临界竞争，针对不同的逻辑电路类型分别指出消除险象的具体措施。所得结论对数字逻辑电路分析和设计具有一定指导作用。     

基于虚拟制造技术的集成电路工艺设计优化

采用虚拟制造技术对0.8μm双阱LPLV CMOS工艺进行优化，确定了主要的工艺参数。在此基础上，对全工艺过程进行仿真，得到虚拟制造器件和软件测试数据，所得结果与实测数据吻合得很好。