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在生长用于焦平面阵列的高质量（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ薄膜方面，液相外延（ＬＰＥ）是优选用的技术，在生产环境中成功执行这一流程需要研究先进的传感器和流程控制技术，这样可以提高产量，降低成本，本文将评论得克萨斯仪器公司的智能处理焦平面列阵计划所取得的进展，（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相外延薄膜是在（１１１）Ｂ取向的（Ｃｄ，Ｚｎ）Ｔｅ衬底上生长的，衬底放在盛有大量（４５００ｇ）碲镉汞溶液的垂直浸渍反应器中，在一个生长 相似文献
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用ＸＰＳ进行镉的表面化学研究刘朝旺（昆明物理研究所昆明６５０２２３）制作本征Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ单晶，需要使用高纯源材料Ｈｇ，Ｃｄ，Ｔｃ和高纯生长管，还要避免各个工艺中的污染，如避免源材料表面氧化等。根据经验，氧化物在拉晶过程中很容易与石英管... 相似文献
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采用含水硫化的方法对ｐ型ＨｇＣｄＴｅ材料进行了表面钝化。ＸＰＳ分析结果表明，Ｈｇ０．７３４Ｃｄ０．２６６Ｔｅ表面形成了ＣｄＳ薄膜，膜层里含有少量的Ｔｅ和Ｈｇ不含氧。 相似文献
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测量了３个ＨｇＣｄＴｅ光导器件和一块液相外延生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料的磁阻．用两种载流子模型的约化电导张量（ＲＣＴ）过程对实验数据进行了分析，拟合结果与实验值符合得很好． 相似文献
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采用宽频带导纳测试系统研究了Ｈｇ０．６６Ｃｄ０．３４Ｔｅ－ＣｄＴｅ异质结构和Ａｌ－半绝缘ＣｄＴｅ－Ｈｇ０．６６Ｃｄ０．３４Ｔｅ结构样品的变频导纳特性，分析了不同结构样吕的测试结果，表明：异质结ＨｇＣｄＴｅ表面空穴积累，ＣｄＴｅ表面空穴耗尽，界面处的势垒使载流子局限于ＨｇＣｄＴｅ体内，样品的光伏响应光谱在２９７０ｃｍ＾－１和３６５０ｃｍ＾－１处各有一个响应峰，前者对应于界面ＨｇＣｄＴｅ的本征光伏效庆 相似文献
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在用移动加热器法（ＴＨＭ）生长的碲镉汞（Ｈｇ＿（０．８）Ｃｄ＿（０．２）Ｔｅ）晶体中，发现在最后凝固部分的载流子浓度明显增加，可以认为载流子与汞空位等同。观测的纵向空位浓度分布可以用一个顾及到沿晶体长度不同部分的热随时间变化过程和依赖于Ｈｇ空位扩散系数的浓度模型作定量描述。 相似文献
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Ｈｇ系高温超导体的电子显微镜研究邵贝玲，王晓华，刘安生，宿延京，曹国辉，赵忠贤（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）（北京科技大学，中科院物理所国家超导中心）具有高临界转变温度的Ｈｇ系列高温超导体ＨｇＢａ＿２Ｃａ＿（ｎ－１）Ｃｕ＿ｎＯ＿（２ｎ＋２... 相似文献
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本文改进和设计了新型可移动式加热电阻炉和反应器，避免了二乙基碲（ＤＥＴｅ）与二甲基镉（ＤＭＣｄ）的直接反应，减了预沉积，在Ｔｅ／Ｃｄ比的控制更为准确的条件下重复稳定地获得了ｘ＝０．２响应波长为１０．６μｍ的Ｈｇ１－ｘＧｄｘＴｅ材料，其中有关组份Ｘ值的实验结果首次证明与Ｋｉｓｋｅｒ的热力学模型基本相符。 相似文献
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国内首次报道用热壁外延（ＨＷＥ）技术在（１００）ＧａＡｓ衬底上生长出Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ（１１１）薄膜。结果表明，薄膜在１５～２０μｍ厚时Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽在１００弧秒以下，其位错腐蚀坑密度等于甚至小于１０￣３ｃｍ￣（－２）薄膜组分、层厚均匀，表面光亮如镜，质量达到国际先进水平，优于国内Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ块晶，是外延生长ＨｇＣｄＴｅ的理想替代式衬底。文章强调了生长前ＧａＡｓ衬底，多晶源预处理的重要性。 相似文献
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加速旋转坩涡技术已用于Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ的ＴＨＭ生长，以在较高速率下生长单晶。扩大界面前的对流搅拌区获得的这种较高的生长速率，可用于解释简单的组分过冷理论的某些结果。研究了几种不同的、可满足简单流体力学和几何学判据的加速坩蜗旋转技术（ＡＣＲＴ）周期。在冶金学均匀性及结构完整性这两方面对生长的晶体作了研究，结果表明，把生长速率从１．５ｍｍ／ｄ提高到８．５ｍｍ／ｄ时，其性能并无衰变。 相似文献
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