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金属陶瓷相界面的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
阐述了研究金属陶瓷相界面的意义,并着重论述了界面结构理论、相界面行为、相界面组织结构及研究相界面的实验技术。最后,提出了提高金属陶瓷强度,韧性和性能稳定性的新的研究方向。 相似文献
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基于视障人士信息产品界面的交互设计研究 总被引:2,自引:0,他引:2
目的分析视障人士使用的信息产品界面。方法以视障人士使用信息界面产品的问题入手,分析视障人士使用信息界面产品过程中的生理特征、心理特征、交互行为特征。结果得出了视障人士界面设计的3个设计原则:多通道用户界面的综合运用、视觉界面的重新整合、界面操作的一致性。结论盲人信息产品需要体现盲人的心理特征、生理特征以及行为交互特征,只有运用这些特征才能进行用户界面设计、与永和界面设计整合,只有这样才能运用这些特征进行用户界面整合设计。 相似文献
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采用光学金相显微镜和透射电子显微镜,研究了经过1040℃,310^4S^-1,826%等温锻造的6i-33Al-3Cr-0.5Mo合金在α+β两相区加热时,发生的显微组织转变。发现,当热变形是在α2/γ层片状晶团内的γ相板条上形成与层片方面平行的变形享晶时,即发生γ相板条窄化现象,这种晶财则表现出高的显微组织结构的热稳定性。 相似文献
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液-固界面与电化显微学(石砚编译)美国、欧洲和日本的一些科学家正在用扫描探针显微技术(SPM)和X射线技术研究液体与固体接触界面的微观结构。液一固界面的电化学作用是影响催化、电镀、腐蚀过程和电池反应过程的关键因素。液一固界面研究开辟了电化学的一个新领... 相似文献
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利用俄歇电子能谱研究了Cr/SiO2薄膜在热处理过程中的界面扩散反应机理、界面反应动力学过程及界面反应产物。研究结果表明,Cr/SiO2体系的界面还原反应主要是Cr与SiO2的反应,其还原反应产物是CrSix和Cr2O3物种。界面还原反应的速度与反应时间的平方根成正比,其界面还原反应过程受Cr向SiO2层的扩散过程所控制,界面还原反应的表观活化能为72.5kJ/mol(约0.75eV)。 相似文献
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本文用扫描电镜,X射线衍射仪,X射线能谱和化学分析对丹江口大坝混凝土中水泥石集料界面结构进行了观察分析,提出了将该界面分为平行界面的三层界面结构模型并进行了讨论,推了钙矾石晶体与C-S-H晶体未相互穿插生长,同时,指出了界面区仍有大量中,初期C-S-H晶体存在。 相似文献
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采用移动边界条件下扩散问题的处理方法,综合界面反应和扩散两个过程对界面硅化物形成的影响,建立起Ti/Si(100)界面扩散反应动力学理论模型,并拟合快速热退火处理后试样界面Auger深度分析谱,得到Ti,Si在相应界质中扩散系数和表现反应活化能。研究结果表明,Ti/Si体系界面TiSi2生成经历了一个由反应动力学控制到扩散控制的过渡。Si从其晶格中解离并扩散到Ti/TiSi2界面是制约扩散过程的关键因素。 相似文献
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采用聚乙烯固相接枝马来酸酐共聚物(PE-g-MAH)做粉末涂层,考察了接枝率、交联度以及碳钢的不同表面处理方式对极性化聚乙烯涂层性能的影响;研究了在PE-g-MAH中加入双官能团环氧化合物(EP)的方法作用和效果,并以粘度突变和差热分析(DSC)法探讨了环氧化合物及其潜伏性固化剂、促进剂对涂层/碳钢界面性能的影响。结果表明,PE-g-MAH与碳钢粘接力比PE大,PE-g-MAH中接枝率越高,粘接强度越大,但受到交联度的限制;在PE-g-MAH中加入EP并辅以适量的潜伏性固化剂和促进剂,可形成PE接枝环氧共聚物(PE-g-EP),显著提高了涂层/碳钢的界面粘接力;适当的磷化处理可进一步提高涂层/碳钢的界面性能。 相似文献
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界面是复合材料内部连接不同两相的桥梁,极大地影响着复合材料的热学、电学、力学等各项性能.作为复合材料领域中的一个新的分支,导热复合材料近年来因电子电器的高速发展的需求而受到越来越多的关注.然而,研究发现,即使采用了高填料填充方案,复合材料的导热系数也很难达到导热填料的百分之几,其中界面热阻是影响复合材料导热系数提升的关... 相似文献
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Ti(C,N)基金属陶瓷中碳化物的界面行为 总被引:8,自引:0,他引:8
讨论了Ti(C,N)基金属陶瓷中碳化物的组织结构、界面行为,以及微量元素和工艺因素对碳化物界面行为的影响,并结合所从事科研的进展,提出了Ti(C,N)基金属陶瓷相界面层微晶结构形成的必要条件:①碳化物相的微晶化;②冷却过程中的成分过冷。从而在微晶化过渡层形成理论及控制方法的指导下,使金属陶瓷的韧性得到提高,性能稳定性得到改善。 相似文献
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利用俄歇电子能谱研究了Cr/SiO2薄膜在热处理过程中的界面扩散反应机理、界面反应动力学过程及界面反庆产物。研究结果表明,Cr/SiO2体系的界面还原反应主要是Cr与Si2的反应,其还原反应产物是CrSi和Cr2O2物种。界面还原反 速度与反应时间的平方根成正比,其界面还原反应过程受Cr向Si2层的扩散过程所控制,界面还原反应的表观活化能力为72.5kJ/mol(约0.75eV)。 相似文献
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