正弦波与方波磁光调制的比较分析

基于正弦波磁光调制原理，同时利用利萨如图形方法，对正弦波磁光调制和方波磁光调制进行了计算机模拟．模拟结果表明，正弦波磁光调制具有磁光调制原理所描述的基本特性，并且其偏振角度检测准确度可达到0．001°；而方波磁光调制具有更好的应用特性，不存在波形失真问题，其氏取值不受小角度条件的限制，其偏振角度检测准确度可高于0．001°．对两种磁光调制进行的对比性实验研究，进一步支持了以上结论，表明方波磁光调制无论用于信号调制或用于偏振角度检测都具有独特的优势．另外，在实验中发现了两种磁光调制的限幅效应，并对其形成的原因进行了初步分析．     

采用数字合成技术的三相正弦波信号发生器

采用数字合成技术制作了三相正弦波信号发生器 ,其波形采用 3个加权电阻网络和高速CMOS开关数字合成 ,精确保证 3个正弦波之间的相位差为 12 0° ,产生的信号具有极好的幅值、稳定的频率、小失真和高达 3.3MHz的宽频率范围     

MV级近方波Marx发生器的设计

分析了Marx发生器与正弦振荡回路组合直接输出方波脉冲的近方波Marx发生器理论,并设计了一个该类型的方波发生器装置。其中,Marx发生器由16个充电电压为100 kV、容值为40 nF的电容器组成,采用正负充电的S型超前触发回路,正弦振荡回路由5个与Marx发生器同类型的电容器和1个0.5 H的电感组成。通过Spice模拟,在负载为100 时,输出脉冲电压为1.1 MV,脉宽约300 ns。提出了利用Marx发生器触发LC回路的方法,以解决Marx与LC回路的同步触发问题,使输出电压能够有效叠加。     

MV级近方波Marx发生器的设计

分析了Marx发生器与正弦振荡回路组合直接输出方波脉冲的近方波Marx发生器理论,并设计了一个该类型的方波发生器装置。其中,Marx发生器由16个充电电压为100 kV、容值为40 nF的电容器组成,采用正负充电的S型超前触发回路,正弦振荡回路由5个与Marx发生器同类型的电容器和1个0.5 H的电感组成。通过Spice模拟,在负载为100 时,输出脉冲电压为1.1 MV,脉宽约300 ns。提出了利用Marx发生器触发LC回路的方法,以解决Marx与LC回路的同步触发问题,使输出电压能够有效叠加。     

基于Marx和磁开关的方波脉冲电源的研制

设计了一种全固态高压重频方波脉冲发生器,主要由Marx发生器、脉冲形成线和磁开关构成。Marx发生器通过电感对脉冲形成线进行充电,将其充电至所需电压水平;当脉冲形成线充电至峰值电压时,磁开关饱和;脉冲形成线通过饱和的磁开关对匹配负载进行放电,在负载上形成一个高压方波脉冲。串入电感与磁开关相互匹配,不仅直接影响放电过程,同时也决定着磁开关需承受的伏秒数和负载上的预脉冲大小。介绍了Marx发生器和磁开关的设计,在单次和5 kHz重复频率下分别进行实验。在50 的匹配电阻负载上,获得电压幅值为12.5 kV、电流幅值为250 A、上升时间为46 ns、脉宽为220 ns的方波脉冲。对放电过程进行了PSPICE仿真模拟,仿真结果与实验结果匹配良好。     

基于CPLD的FSK调制解调电路及其测试

根据数字式FSK调制和解调的工作原理,对比分析了基于CPLD和单片机的2种电路实现方案.设计了基于CPLD的FSK调制解调模块,利用QuartusⅡ开发平台对CPLD进行编程,实现了FSK调制与解调功能,用IAR FOR AVR平台对单片机ATMEGA16进行编程,实现了位同步功能,同时与外部用SPI接口进行通信.搭建了实际的硬件电路,仿真与实验测试均验证了设计的正确性.     

基于CPLD的多路瞬态冲击信号存储测试系统设计

为了对水平碰撞、跌落等环境试验中的多路瞬态冲击信号进行测试,基于CPLD设计了多路瞬态冲击信号嵌入式存储测试系统。系统采用高速串行AD转换芯片作为数据采集的执行器件,实现了多路冲击信号的同步高速采集;利用铁电存储器对采集到的信号进行在线存储;设计了USB接口模块,实现了PC机与测试系统之间的通信,并在LABVIEW环境下设计了数据回读软件;经试验验证了测试系统的正确性和可靠性。     

输入方波信号的过阻尼谐振子的随机共振

计算了在输入方波信号情况下过阻尼谐振子的输出功率谱和信噪比,详细讨论了相应的随机共振现象,并与输入余弦信号情况进行对比.研究发现:它们均出现随机共振现象,且均存在共振和抑制并存的现象.但这一并存现象,在两模型中分别出现于不同的共振曲线. 关键词： 过阻尼谐振子 随机共振 方波信号     

基于Marx和磁开关的方波脉冲电源的研制北大核心CSCD

设计了一种全固态高压重频方波脉冲发生器,主要由Marx发生器、脉冲形成线和磁开关构成。Marx发生器通过电感对脉冲形成线进行充电,将其充电至所需电压水平;当脉冲形成线充电至峰值电压时,磁开关饱和;脉冲形成线通过饱和的磁开关对匹配负载进行放电,在负载上形成一个高压方波脉冲。串入电感与磁开关相互匹配,不仅直接影响放电过程,同时也决定着磁开关需承受的伏秒数和负载上的预脉冲大小。介绍了Marx发生器和磁开关的设计,在单次和5kHz重复频率下分别进行实验。在50Ω的匹配电阻负载上,获得电压幅值为12.5kV、电流幅值为250A、上升时间为46ns、脉宽为220ns的方波脉冲。对放电过程进行了PSPICE仿真模拟,仿真结果与实验结果匹配良好。     

基于参数非共振激励混沌抑制原理的微弱方波信号检测

利用自治混沌系统的参数非共振激励混沌抑制原理实现强噪声背景下微弱方波信号的检测. 将频率远大于系统特征频率的方波信号作为内置激励信号，经平均法处理后，得到受控系统与原系统之间的参数等效关系，并由此确定使系统由混沌状态突变为周期状态的检测参数临界值. 数值仿真结果表明此系统可以达到极低的信噪比工作下限. 相比于利用参数共振微扰混沌抑制原理实现微弱信号检测的有关方法，此方案可根据严格的理论分析得到更准确的检测参数估计值，有利于在相关领域推广应用. 关键词： 自治混沌系统 参数激励 方波信号 检测     

方波信号的傅里叶分解实验

选择通用设备，建立了一个简易的周期信号傅里叶分析系统，通过其测试了方波信号各谐波成份的频率和幅度值，验证了方波信号的傅氏展开关系．     

基于CPLD的面阵CCD驱动时序发生器设计及其硬件实现

在分析FTT1010-M型面阵CCD图像传感器驱动时序关系的基础上，设计了可调曝光时间的面阵CCD驱动时序发生器及其硬件电路．选用CPLD器件作为硬件设计平台，使用VHDL语言对驱动时序发生器进行了硬件描述．采用QuartusⅡ对所设计的驱动时序发生器进行了功能仿真，并针对ALTERA公司的EPM7160SLC84—10进行了RTL级仿真及配置．硬件实验结果表明，所设计的驱动时序发生器不仅可以满足面阵CCD图像传感器的驱动要求，而且还能够调节其曝光时间．     

与方波合成有关的李萨如图形的实验与理论研究

通过方波与方波、正弦波与方波合成的图形来研究李萨如图形,利用傅里叶级数理论把方波展开为正弦和余弦形式的傅里叶级数,然后利用Matlab软件来合成2列相互垂直的方波与正弦波以及2列方波的李萨如图形,并与实验上观察到的现象进行比较,并分析了两者之间的差异.     

基于OTRA的正弦波振荡器的设计

基于OTRA,MOS非平衡电阻(MRC)及电容,给出了OTRA-MOSFET-C无损积分器及有损积分器,该积分器能减小寄生电容的影响,由此构造了理想正交正弦振荡器,最后给出了OTRA实用正交振荡器,该振荡器不仅能同时得到2个相位互差90°的正弦波,而且容易起振,振荡频率、输出幅度可电控调谐,且互不影响,输出频率稳定.     

基于MSP430F169和CPLD的综合报警平台设计

介绍了基于MSP430F169 混合数字信号处理器和EPM1270T144C5N 复杂可编程逻辑器件(CPLD) 而设计的综合报警平台系统。MSP430F169 混合信号处理器具有超低功耗、处理能力强、系统工作稳定等优点。EPM1270T144C5N 是一种具有144 只管脚的复杂可编程逻辑数字器件,可以实现同时对多个不同的设备报警信息采集与处理。该综合报警平台对HIRFL-CSR 上运行的各个分散的监测报警系统所产生的报警信息进行综合收集处理与报警,主要是先根据现有已上传到监测报警系统服务器中的原始数据进行条件判断,服务器根据判断结果发送相应的指令,MSP430 利用UART功能和网络协议转换器配合接收;然后MSP430把接收到的指令数据解析后送到CPLD 数据端口,由CPLD 控制连接的报警器,实现报警功能;也可利用CPLD 多管脚的优势,控制其他的现场设备。MSP430F169 内部的12 位ADC和DAC 模块可实现对现场设备的模拟信号的给定和回读。系统客户端的软件采用Microsoft Visual C++ 6.0 设计。该综合报警平台具有结构简单、响应速度快、稳定性好等优点,可实现单板对多种不同设备的控制与监测。A system of a comprehensive alarming platform based on MSP430F169 (a mixed signal microcontroller) and EPM1270T144C5N(a complex programmable logic device -CPLD) has been introduced in this paper. The system has the advantages of ultra-low power consumption, powerful processing ability and operating stably by using the MSP430F169. Meanwhile the EPM1270T144C5N is one of the complex programmable logic device which has 144 pins, and it was controlled by MSP430 to output or input the digital signals. The control system is charge for responding the alarming information from the scattered monitoring system which has running on the HIRFL-CSR. The duty of this system is to receive the commands which have been analyzed by server. The12-bit ADC and DAC module in the MSP430F169 can also read back the voltage of device or set the voltage to the specific device. The system’s client software is designed in the Microsoft Visual C++ 6.0 environment. The system has the advantage of a simple structure, fast response, good stability, and is able to monitor different running systems and devices in real time on one board.     

基于CPLD和单片机的多光谱数字相机下位机设计

介绍一种基于单片机和CPLD结合的多光谱CCD相机下位机系统的设计实现.利用CPLD扩展多光谱相机下位机的输出控制端口.分别用图形输入法和VHDL硬件编程语言作为CPLD的输入方式,使之成为一个多用途I/O端口扩展芯片,既简化了电路设计,减小了电路尺寸,降低了电路功耗,又便于修改配置,非常适合于多光谱遥感相机下位机系统应用.     

正弦波沟槽对湍流边界层相干结构影响的TR-PIV实验研究

利用高时间分辨率粒子图像测速(time-resolved particle image velocimetry, TR-PIV)技术,在不同雷诺数下对光滑壁面和二维顺流向、三维正弦波(two/three dimensional, 2D/3D)沟槽壁面湍流边界层流场进行了实验测量,从不同沟槽对湍流边界层相干结构影响的角度分析了其减阻的机理.对比不同壁面的各阶统计量结果发现:沟槽降低了壁面摩擦阻力,存在减阻效果,正弦波沟槽的减阻率增大.运用相关函数、λ_(ci)检测准则等方法提取了不同壁面湍流边界层发卡涡和低速条带等典型相干结构的空间拓扑形态,结果表明:两种沟槽壁面的相干结构在流向和法向上的空间尺度均有不同程度的减小,且相干结构与主流之间的倾角趋于更小,流体在法向上的运动及结构的抬升受到明显抑制,发卡涡诱导喷射和扫掠的能力降低,从而影响了湍流中能量与动量的输运过程及湍流的自维持机制,且相比于2D沟槽, 3D正弦波沟槽作用效果更为明显.在同一雷诺数下,随着距离壁面法向位置的增加,不同壁面湍流边界层低速条带的展向间距都变宽;但同一法向位置处2D/3D沟槽壁面湍流边界层低速条带的间距与光滑壁面的相比更宽,沟槽的存在有效抑制了低速条带在展向上的运动,使得低速条带更稳定.     

基于CPLD的胃窥镜图像控制系统

介绍了一种顺序制胃窥镜的实时图像控制系统,并给出了具体的方案和实现方法。该系统采用锁相的方式,产生高稳定的像素时钟;使用大容量的视频RAM缓存图像,通过对写入的控制,实现图像的编辑;采用ADV7120与AD722相结合,完成视频的编码输出;所有的控制信号由一片EPM7128来实现。整个系统采用高密度的集成器件,体积小巧,结构紧凑,性能良好。     

正电子湮没时间信号模拟发生器——观测脉冲复合、反复合及全复合过程的实验电路

介绍研制的一种模拟正电子湮没事件起始和终止信号的信号发生器,可用于正电子湮没寿命谱仪的调整及相关内容的近代物理实验教学。     

方波驱动法测定Alq3的电子迁移率

在非正弦波(方波)的驱动下,观察到了OLED中Alq₃的电致发光现象。在高段方波驱动下,Alq₃中的电子向阳极移动;在低段方波驱动下,Alq₃中的电子向阴极移动。当方波的周期是电子穿过Alq₃中所用时间的2倍时,Alq₃中的电致发光现象完全消失。由此,可以计算出Alq₃中的电子迁移率,得到的结果和文献的报道值相吻合。对Alq₃中电子迁移率和厚度的关系进行了研究,从而提出了一种简单易行的计算有机材料的电子迁移率的方法。