热氧化法制备SnO2纳米晶的HREM研究

二氧化锡半导体材料,因其高电导率、在可见光区的高透明度、以及较好的热稳定性和化学稳定性,使其具有广泛的用途.它可以用作太阳能电池、光电感应器件等,而最重要的应用就是用作气敏传感器的原材料[1].在气相沉积法制备的SnO2薄膜中,混合相(SnO-SnO2)比SnO2单相表现出更好的气敏性[2].     

表面修饰纳米MoS2微粒的TEM和HREM研究

表面修饰纳米ＭｏＳ２微粒的ＴＥＭ和ＨＲＥＭ研究徐洮ａ张治军ｂ赵家政ａ薛群基ａ（ａ．中科院兰州化物所固体润滑开放室，兰州７３００００））（ｂ．河南大学化学系，开封４７５００１）纳米材料以其“体积效应”和“表面效应”显著而区别于一般颗粒及传统的块体材料，...     

GaN材料系列的研究进展

ＧａＮ及其合金作为第三代半导体材料具有一系列优异的物理和化学性质，在光电子器件，高温大功率电子器件及高频微波器件应用方面具有广阔的前景，已成为当前高科技领域的研究重点，论述了这种材料的研究历史与发展现状，物理与化学性质，薄膜的生长方法及在光学电子和微电子器件应用于方面的研究进展。     

GaN的MOCVD生长

ＧａＮ是重要的蓝光半导体材料．我们以ＴＭＧａ和ＮＨ３为源在（０１１２）α－Ａｌ２Ｏ３衬底上成功的用ＭＯＣＶＤ方法生长了ＧａＮ外延层，研究了ＧａＮ的表面形貌与结晶学、电学和光学特性．ＧａＮ（２１１０）面的双晶回摆曲线衍射峰的最小半高宽已达１６＇．并观测到ＧａＮ所发出的紫外和可见光波段的阴极荧光．     

超细粒子铜基甲醇触媒的HREM研究

超细粒子(纳米级)无论在材料科学或催化剂新材料等方面近十余年来有很大进展。本文用JEOL-2000EX高分辨电镜研究铜基甲醇触媒的微观结构,并与它们的催化性能相关联,取得了很有意义的结果。催化剂用溶胶-凝胶法制备的CuO/ZnO/Al_2O_3和用冷冻干燥法制备的相同组分但相对原子比不同的催化     

GaN材料的特性与应用

本介绍了GaN材料的特性、生长及应用，并展望了其应用前景。     

GaN基薄膜材料的器件的最新进展

综述了ＧａＮ基薄膜材料研制与器件开发的新进展，着重阐明其技术突破与商品化应用前景。     

硅基GaN外延层微结构的HREM研究

由于ＧａＮ薄膜在光电子学方面具有潜在的巨大应用前景，目前国际上对其进行了广泛的研究，但这些应用的实现有赖于生长出高质量的ＧａＮ单晶薄膜，以便有目的地掺杂ｎ－型和ｐ－型。迄今为止，ＧａＮ生长的极大部分工作为异质外延于蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上，而将...     

GaN——第三代半导体的曙光

自从蓝色ＧａＮ／ＧａＩｎＮＬＥＤｓ研制成功之后,氮化物逐渐成为化合物半导体领域中一颗耀眼的新星．简要介绍了ＧａＮ的基本特性．探讨了材料的生长技术,包括衬底的选择和外延方法．最后给出了ＧａＮ基器件,如ＬＥＤｓ、ＬＤｓ、ＦＥＴｓ和探测器等的发展现状,同时描绘了氮化物器件的应用领域和未来的发展前景．     

半导体陶瓷中孪晶的HREM和TEM研究

Oppolpzer曾用TEM这观察到BaTiO_3半导体陶瓷的孪晶,认为它会伴生异常晶粒长大。但是有关孪晶和孪晶界的结构细节以及形成机制尚不清楚。本文用高分辩电镜(HREM)和透射电镜(TEM)进一步研究了它们的孪晶,得到如下四点结果。1.BaTiO_3的大部分孪晶均为{111)孪晶,其晶界为共格倾斜(70°)孪晶界。图1是[110]方向孪晶的晶格像,图中用粗黑线示意镜面对称的(001)晶格(3.9A),与之垂直的为(110)晶格(2.8A),它相应于左右(指标化示意)上角的衍射结     

纳米固体材料结构特征

纳米固体材料是由粒度为几个至十几个纳米的粒子,在保持清洁表面的条件下经高压(一般为5GPa)压制成型的固体材料。这种材料首先由西德Gleiter研制成功。在纳米材料中由于晶界组分占相当高的比例,例如晶粒直径为5nm时,     

氮化镓GaN为新时代开启一线曙光

随着设计变得越来越复杂,工程师不断寻找更新的半导体材料。氮化镓(Ga N)材料自从多年前开始被IEEE国际微波研讨会等重要会议视为一大趋势后,近年来已经逐渐稳定立足于RF/微波应用。     

羟基磷灰石-钛界面的HREM观察

在生物医学上，羟基磷灰石［Ｃａ１０（ＰＯ４）６（ＯＨ）２］具有卓越的生物相容性，特别是在骨和牙齿的植入上是一种重要的陶瓷材料。其组成接近自然骨的组成，能与自然骨形成良好的结合。但是陶瓷的脆性和力学性能差的特点又限制了它的深入应用［１，２］。金属钛及其...     

纳米半导体材料及其纳米器件研究进展

简单介绍纳米半导体材料的定义、性质及其在未来信息技术中的地位,分别讨论半导体纳米结构的制备方法与评价技术;对近年来纳米半导体材料和基于它的固态量子器件研制所取得的进展、存在的问题和发展的趋势作扼要的综述,最后,结合国情和我国在该领域的研究现状,提出发展我国纳米半导体材料的战略设想。     

纳米半导体材料及其纳米器件研究进展

(接上期第21页)4.2.2量子点激光器 应变自组装量子点材料与量子点激光器的研制已成为近年来国际研究热点.应用这种技术已制备出量子点激光器,波长覆盖了近红外和红光波段.1992年Ueno等人报道了单层InGaAs/A1GaAs量子点结构,实现了室温激射,阈值电流密度(Jth)为950A/cm2;1994年俄德联合小组首先研制成功InAs/GaAs量子点材料;1996年Alferov等人研制成功有源区为三层结构 (垂直耦合)的量子点激光器,Jth为680A/cm2;同年Ledentsov等人[24]又报道了10层垂直耦合InGaAs/GaAs量子点结构激光器,室温Jth为90A/cm2;1997年Ustinov等人又报道了Jth低达60A/cm2的量子点激光器,其结果已接近当前最好的量子阱激光器的性能1996年量子点激光器室温连续输出功率达1W,阈值电流密度为290A/cm2,1998年达1.5W;1999年InAlAs/InAs量子点激光器283K温度下最大连续输出功率(双面)高达3.5W.     

一维GaN纳米材料生长方法

介绍了国际上近年来合成一维GaN纳米材料的研究情况,分析了模板限制生长法、基于VLS机制的催化反应生长法、氧化辅助生长法和两步模式生长法合成GaN纳米线的工艺特点,展望了GaN纳米线研究重点和方向。     

硅基GaN外延层的光致发光谱

报道了在硅基上用简便的真空反应法制备出 Ｇａ Ｎ 外延层,并对其发光特性进行了研究。发现衬底晶向、生长温度和退火均会对 Ｇａ Ｎ 外延层的发光特性产生影响。 Ｓｉ（１１１） 衬底比 Ｓｉ（１００） 衬底更有利于 Ｇａ Ｎ 外延层的单色发光。退火使 Ｇａ Ｎ 外延层的发光强度降低。在１ ０５０ ℃下生长的 Ｇａ Ｎ 外延层的发光强度高于其他温度下生长的 Ｇａ Ｎ 外延层的发光强度     

MOCVD生长中利用Al双原子层控制和转变 GaN的极性

讨论了采用MOCVD在Al2O3衬底上生长GaN过程中的极性问题,在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一Al层来改变外延层的极性,并用CICISS来测量这一级性,最后给出了一种模型来解释这一极性的转变。