TFT液晶显示屏驱动方法的研究

详细分析了当前ＴＦＴ－ＬＣＤ驱动电路所使用的场反转、行反转和列／点反转驱动方法,说明了每种方法的优、缺点和应用的场合。     

低压驱动液晶显示器用的高稳定性液晶材料

液晶材料的稳定特性是用受热处理之后其电导率及电导率的变化量来表征的。用显微镜研究揭示了离子在导电性中起的作用和离子行为的重要性。就稳定性而论，导电性是每一种液晶材料稳定性的特征。研究证实，引入新概念和新材料使低电压下工作的液晶混合物的稳定性得到了改善。     

VGA TFT LCD的驱动电路设计

介绍了VGA TFT LCD驱动电路的设计思想、所使用的行反转驱动方法及其优点、数据驱动器的工作原理和灰度级实现方法以及扫描驱动器的工作原理。详细地分析和计算了公共电极驱动Vcom调节方法,并有效地解决了由于FTF寄生电容引起的电压跳变而导致的图像闪烁问题。     

基于液晶显示屏的低功耗驱动技术

为进一步降低液晶显示器的逻辑功耗,本文以11.6HD、14HD、14FHD为背景,分别从像素结构、驱动技术、驱动电路设计以及背光驱动技术等方面进行了深入研究。首先,研究了不同像素结构(dual Gate+normal像素结构和dual Gate+Z inversion像素结构)下多种像素驱动方法对功耗的影响。接着,研究了像素负载以及像素驱动信号(包括栅极驱动信号和源极驱动信号)对功耗的影响。最后,对比了不同的背光调光方法对功耗的影响。实验结果表明:像素结构、负载大小、驱动方法均对功耗有较大的影响。以14HD为例,点翻转比列翻转会有38.5%的功耗上升;Data load每上升10%,功耗约有8%的上升;VGH每提高1V,功耗上升1.35mW;采用mix-mode调光方式比传统的PWM调光在不同亮度百分比下功耗约降低2%~15%。因此通过对这些功能模块进行优化设计可以有效地降低液晶显示器逻辑功耗。     

三阶驱动原理在TFT LCD电测波形设计中的应用

将三阶驱动原理应用于TFT-LCD 电测波形的设计,并通过实验验证了其有效性.设计过程中,直接通过栅极电压上拉,将Cs产生的Feed Through电压用来补偿栅极电压关闭时使Cgd产生的Feed Through电压.这样无需通过修正Vcom电压来补偿(栅极电压关闭时产生的Feed Through电压),避免了获取Clc参数难的问题.     

一种新型a-IGZO TFT集成栅极驱动电路设计

在传统集成栅驱动电路中采用非晶InGaZnO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)后会造成信赖性的降低,经过分析确定原因为驱动TFT阈值电压漂移。本文提出了一种改进的集成栅驱动电路,通过对驱动TFT栅节点电压的稳定控制,获得了较大的驱动TFT阈值电压漂移冗余度(从原来的不到±-3V扩大到±-9V),克服了a-IGZO TFT阈值电压漂移所造成的电路失效,稳定了集成栅驱动电路并延长了液晶显示器面板的寿命。     

硅基液晶显示屏及其应用

介绍了硅基液晶显示屏的特点及其开发现状。尽管它在投影电视机方面已经获得了初步的应用。但其真正的发展机遇却在于手持电话机的需求。     

基于SOPC的TFT液晶显示屏驱动控制器

设计并实现了一种采用FPGA作为驱动器载体的通用可编程TFT-LCM,通过在FPGA器件中设置软核处理器(SOPC)连接上位机和液晶屏,利用SOPC接收上位机发送的液晶屏规格参数,并由SOPC中的自适应程序解算获得各输出引脚驱动时序和电平,实现对任意TFT液晶屏的驱动。通过应用实践表明,该通用可编程TFT-LCM避免了传统TFT-LCM只能适用于固定TFT液晶屏的缺点,可广泛应用在各种需要TFT显示屏的场合。     

TFT LCD的过压驱动技术探讨

过压驱动技术是提高液晶显示器响应速度的关键技术之一。文章分析了TN型TFT液晶显示的原理及影响响应时间的因素,探讨了过压驱动的原理和系统结构,对灰阶亮度上升和下降两种状态下的应用进行了说明。对液晶显示系统进行了实验分析以及响应时间的测量,结果表明通过过压驱动可以在很大程度上提高液晶显示器的响应时间,有效改善显示画面的动态模糊问题。在0℃的环境温度下,最大灰阶响应时间不超过80ms。     

一种确定多晶硅薄膜禁带中态密度的数值积分方法

本文提出了一种数值积分方法，通过这种方法结合热激发场效应电导法可以推导薄膜晶体管的多晶硅材料禁带中的态密度，根据这种方法。我们研究了氢等离子本处理对多 硅薄膜晶体管木材禁态密度的影响。     

影响ADS面板闪烁漂移的因素研究

挠曲电效应(Flexoelectric Effect)是指液晶分子在外电场的作用下,由于展曲/弯曲形变而导致的液晶分子自极化,并表现出宏观电偶极矩的现象。ADS模式液晶显示面板在开机工作初,由于挠曲电效应从而产生闪烁漂移(Flicker Shift)的现象。本文从挠曲电效应的产生机理出发,结合试验结果,讨论了灰阶电压大小及灰阶电压对称性对闪烁漂移程度、速率的影响;当闪烁漂移达到稳定后,面板的实际公共电极电压(Vcom)偏移程度变化。结果发现,随着灰阶电压的升高,闪烁漂移程度会随着挠曲电效应的增强而加重,面板内Vcom电压偏移量也随之增加,而改变灰阶电压的对称性可在一定程度上增强或抵消自极化效应带来的Flicker漂移和Vcom电压偏移。利用该结果可一定程度上改善面板的显示特性。     

液晶TFT有源矩阵单元性能分析

本文详细分析液晶薄膜晶体管(TFT)有源矩阵单元性能.其中包括薄膜晶体管单元结构特性和液晶单元电容充放电物理过程。通过分析,推导出有用的计算公式。这些结果对实际工作具有指导作用。     

a—Si：H TFT自对准工艺的研究

实验研究了自对准结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的制备工艺，对其中关键的底部曝光和顶胶工艺进行了详细的研究和分析，对制备工艺和结构参数进行了合理的优化，成功地制备出自对准结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ。对影响自对准结构ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ特性的主要因素进行了详细的分析，提出了一种新颖的双有源层结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ，可以有效地改善ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的开态特性，其通断电流比ＩＯＮ／ＩＯＦＦ〉１０＾５。     

A Transparent Logic Circuit for RFID Tag in a‐IGZO TFT Technology

This paper proposes a transparent logic circuit for radio frequency identification (RFID) tags in amorphous indium‐gallium‐zinc‐oxide (a‐IGZO) thin‐film transistor (TFT) technology. The RFID logic circuit generates 16‐bit code programmed in read‐only memory. All circuits are implemented in a pseudo‐CMOS logic style using transparent a‐IGZO TFTs. The transmittance degradation due to the transparent RFID logic chip is 2.5% to 8% in a 300‐nm to 800‐nm wavelength. The RFID logic chip generates Manchester‐encoded 16‐bit data with a 3.2‐kHz clock frequency and consumes 170 μW at . It employs 222 transistors and occupies a chip area of 5.85 mm².     

High voltage amorphous silicon TFT for use in large area applications

Previous work in high voltage amorphous silicon (a-Si) TFTs (HVTFTs) using an n⁺ μC-Si ohmic contact layer demonstrated that the soft contact TFT (SCTFT) design was a requirement for high voltage operation. In this research, conventional and high voltage TFT designs including the SCTFT are presented using an n⁺ a-Si contact layer. TFT ON-current measurements and series resistance extractions show that the conventional TFT performs equally well, if not better, at low and high voltages in comparison to all of the HVTFTs fabricated. The results indicate that the conventional space-efficient TFT design with an n⁺ a-Si contact layer is realizable for high fill-factor, high voltage applications such as direct detection, large area X-ray imaging. Also, the process reliability and performance for both conventional and HVTFT arrays can be improved for large area applications by the inclusion of an additional a-SiN layer.     

驱动电子墨水电子纸的柔性TFT背板制造技术

基于电子墨水技术的电子纸是目前最有竞争力的类纸媒显示器。实现电子墨水电子纸的柔性是这项显示技术的关键之一。文章分析了当前电子墨水电子纸的主要研究方向,详细介绍了基于金属柔性基板的TFT制造技术、基于固定塑料基板的以激光释放塑基电子工艺(EPLaR)为代表的TFT制造技术、以激光退火表面释放技术(SUFTLA)为代表的TFT转移技术以及有机薄膜晶体管(OTFT)技术等4项柔性TFT背板的主要实现方法。对比了它们的材料选取,工艺特点和器件性能,分析了各项柔性TFT背板工艺的优缺点,提出了改进方向。     

基于表面势的非晶IGZO薄膜晶体管分析模型

报道了一种适于模拟n沟道非晶IGZO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的直流I-V特性的分析模型。该模型充分考虑了深能级类受主态对自由电子的捕获,并将表面势的概念引入a-IGZO TFT结构。在分析器件能带结构和载流子输运的基础上,参考Si基MOSFET中表面势模型的分析方法,利用半导体-绝缘体界面电荷的泊松方程表达,并结合能带-电压关系,导出了器件饱和区和非饱和区的I-V解析表达式。通过Matlab编程模拟了a-IGZOTFT的转移特征曲线和输出特征曲线,对文献中实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据均能很好地吻合。该模型结构简明,所包含的参数物理意义明确,有很强的实用性。