聚合物MEH-PPV橙红光OLED的研究

以聚合物聚[2-甲氧基-5-(2'-乙烯基-己氧基)聚对苯乙烯撑](MEH-PPV)为发光层,采用旋涂方法制备了两种不同结构的有机电致发光器件(OLED),分别为:ITO/MEH-PPV/Alq3/Mg:Ag和ITO/MEH-PPV/bathocuproine(BCP)/Alq3/Mg:Ag.对两种器件的电致发光谱、J-V曲线和L-V曲线等发光特性进行了分析研究.对比发现,采用BCP为空穴阻挡层的结构具有较大的发光亮度和较高的发光效率.根据能级理论对上述实验结果进行了初步的理论分析,并对器件性能差异的原因进行了解释.     

PTPD/Alq_3器件ETL厚度对发光和复合的影响

以新型的空穴传输材料三苯基二胺衍生物聚合(PTPD)制成了氧化铟锡(ITO)/PTPD/(Alq3)(8-羟基喹啉铝)/Mg:Ag异质结发光器件,考察了器件发光性能随Alq3电子传输层(ETL)厚度变化的规律,研究了聚合物/小分子异质结发光器件的电场对载流子复合区域的影响。基于能带理论和隧穿理论认为,这是由于器件上电场的重新分布和电场作用下载流子输运及隧穿势垒作用的综合结果。     

基于NPB的未掺杂高效蓝色有机电致发光器件

采用真空镀膜的方法制备了基于NPB的高效蓝色有机电致发光器件(OLED),其结构为:ITO/NPB/BCP /Alq3/Mg∶Ag和ITO/TPD/NPB/BCP / Alq3/Mg∶Ag,由于BCP对空穴的阻挡作用,器件的发光谱峰均位于441nm处,为NPB的EL特征光谱,实现了蓝色发光.在15V时,器件的最高亮度为2880和3000cd/m2,分别在2.5V和1.5V器件启亮之后,最大流明效率为4.00和5.63lm/W,CIE色坐标为(0.14, 0.08)和(0.15,0.11).     

具有微腔结构的有机顶发射电致发光器件的光谱分析

摘要: 制做了具有微腔结构的蓝色和白色有机顶发射电致发光器件。利用TBADN:3%DSAPh和Alq3:DCJTB/TBADN:TBPe/Alq3:C545材料为发光层,在玻璃基片上,依次制备薄膜：Ag为阳极反射层, CuPc作为空穴注入层,NPB作为空穴传输层,ITO为光程调节层; Al/Ag作为半透明阴极,电极的透射率在30%左右。通过改变ITO层的厚度,TBADN:3%DSAPh器件获得了深蓝色发光光谱,色坐标为(0.141, 0.049),半高宽为17nm发光光谱,实现了窄带发射,Alq3:DCJTB/TBADN:TBPe/Alq3:C545器件得到了不同颜色（红、蓝、绿）的发光光谱,实现了对光谱的调节作用。文章对微腔顶发射器件的发射强度和发光光谱半高宽的结果进行了分析。     

电致发光材料三芳胺聚合物的能带结构表征

采用循环伏安(CV)法结合紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱表征了4种新型电致发光材料三芳胺聚合物TPD(PTPD)的能带结构,并对引入的基团及分子结构对其能带结构的影响进行了探讨。结果表明,从聚合物TPD和小分子TPD的UV-VIS吸收光谱的最大吸收来看,聚合后TPD的能带结构没有太大的改变。从循环伏安图看出,材料的具有较好电化学稳定性。并制成了ITO(氧化铟锡)/PTPD/Alq3(8-羟基喹啉铝)/Mg:Ag异质结电致发光器件,与典型的ITO/TPD/Alq3/Mg:Ag器件进行了比较,研究发现其器件的稳定性有的明显提高。     

LiF作为电子注入层对OLEDs器件性能的影响

制造了两种OLEDs器件,它们的结构分别为:ITO/NPB(50 nm)/Alq3(65 nm)/Mg:Ag(10:1)(100 nm)/Ag(50 nm)and ITO/NPB(50 nm)/Alq3(65 nm)/LiF(x)/Al(100 nm).结果发现,在同样电压下,与Mg:Ag/Ag电极相比,插入LiF层可以明显提高器件的电流.当LiF厚度为1 nm时,器件性能最好.以Mg:Ag/Ag合金作为电极时的器件的最大亮度为8 450 cd/m2,而插入LiF层的器件最大亮度可达到14 700 cd/m2.此外,器件的发光效率也得到了明显的提高,在7 V时达到了最大为3.117 cd/mA.同时,当LiF厚度大于1 nm或小于1 nm时,器件性能都将会下降.     

双发光层白光有机电致发光器件的研究

将DCJTB掺杂入Alq3中,作为黄光发光层,制作了一种基于新型蓝光材料PAA的白光有机电致发光器件(OLED).器件的结构为ITO/NPB/PAA/Alq3:DCJTB/Alq3/Mg:Ag,通过PAA层的蓝光与Alq3:DCJTB层的黄光混合实现了很好的白光发射.结果表明,器件在4.6V时启亮,在5.2V时达到最大...     

NPB蓝色有机电致发光器件的性能优化研究

基于结构为ITO/NPB/BCP/Alq3/Mg:Ag的NPB(N,N’-bis(1-naphthyl)-N,N’-diphenyl-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine)蓝色有机电致发光器件,利用Alq3的空穴阻挡能力及高的荧光效率优化了器件结构。具有不同厚度Alq3空穴阻挡层的器件性能测试结果表明,Alq3对器件发光亮度影响明显,选择适当的Alq3厚度可使得器件的发光亮度提高大约两倍。电致发光光谱测试结果表明,器件的发光基本来自NPB的蓝色发光,而Alq3扮演了辅助发光层的作用。     

空穴传输层厚度对有机发光二极管性能的影响

采用聚乙烯基咔唑(PVK)作为空穴传输层,8-羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层,制备了结构为ITO/PVK/Alq3/Mg∶Ag/Al的有机发光二极管(OLED),通过测试器件的电流-电压-发光亮度特性,研究了空穴传输层厚度对OLED器件性能的影响,优化了器件功能层的厚度匹配.实验结果表明,OLED的光电性能与空穴传输层的厚度密切相关,空穴传输层厚度为15nm时,OLED器件具有最低的启亮电压,最高的发光亮度和最大的发光效率.     

多层结构红色OLED器件的制备与光电性能研究

采用真空热蒸镀的方法,在高精度膜厚控制仪的监控下,实现了有机薄膜功能材料的精确蒸镀,其中发光层采用三种材料的共蒸,制备了一种多层结构红色有机电致发光(OLED)器件:ITO/CuPc/α-NPD/Alq3∶Rubrene(10%)∶DCJTB(1%)/Alq3/LiF/Al.从实验结果分析可知:随着驱动电压的变化,其EL光谱有蓝移的现象,发射峰从638nm变到632nm,同时色坐标值也发生相应的变化;器件的发光效率在驱动电压较低时(5V),达到最大值5.77cd/A,随着驱动电压的增加,发光效率呈缓慢降低的趋势.     

单层有机电致发光器件的电流 传导机制的数值拟合分析

采用真空蒸镀的方法制备了以八羟基喹啉铝(Alq₃)为功能层的单层同质结有机电致发光器件,器件结构为indium-tin-oxide(ITO)/tris-(8-hydroxylquinoline)-aluminum(Alq₃)(x nm)/Mg:Ag.通过改变有机功能层的厚度,采用陷阱电荷限制电流(TCLC)理论对器件电流的数值拟合方法具体地研究了不同薄膜厚度的有机半导体器件内部电流的传导机制,验证了实验结果和理论推导的一致性.结果表明,Alq₃层厚度较低的单层器件随外加电压增大,器件电流经历了从欧姆电导区、TCLC区到TCLC-空间电荷限制电流(SCLC)过渡区三个区域的变化;而对于Alq₃层厚度较高的单层器件,Alq₃层中的陷阱机构增多,导致电流－电压曲线的SCLC区域消失.     

PVK:NPB复合空穴传输层对有机电致发光器件的影响

采用poly(N-vinylearbazole)(PVK):N,N'-bis-(1-naphthyl)-N,N'-bipheny-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(NPB)掺杂体系作为复合空穴传输层,通过调节该体系的组分,制备了结构为indium-tin oxide(ITO)/PVK:NPB/8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)/Mg:Ag的双层有机电致发光器件(OLED),研究了具有不同掺杂质量比的OLED器件的电致发光特性,并对掺杂薄膜的表面形貌进行了表征.结果表明,将NPB掺杂到PVK中会提高空穴传输能力,改善器件的发光亮度和效率,并调节载流子复合区域的位置,光谱谱峰从509 nm移动到530 mm;但随着NPB质量比例提高,掺杂薄膜表面的平均粗糙度由3 nm上升为10 mm,电流密度和亮度先升高后降低.当PVK和NPB的掺杂质量比为l:3时,器件具有最优性能,发光亮度达到7852 cd/m2,功率效率为1.75 lm/W.     

Organic electroluminescent characteristics of PS:NPB composite hole transporting layer

Green organic light-emitting devices with a structure of indium-tin-oxide (ITO)/polystyrene (PS):N, N' -bis-(3-naphthyl)-N, N' -biphenyl-( 1,1' -biphenyl)-4,4' -diamine (NPB)/tris-(8-hydroxyquinoline)-aluminum (Alq3)/Mg:Ag were fabricated. A doping system consisting of small-molecular hole transporting material NPB and polymeric matrix PS was applied as a composite hole transporting layer (HTL), and the thin film preparation was simplified via spin-coating technique. By adjusting the component ratio of the doping system, several devices with different concentration proportion of PS:NPB are constructed. The electroluminescent characteristics of the devices were investigated and discussed. This study demonstrated that the difference of doping concentration of NPB has a remarkable impact on the optoelectronic performance of both HTL and the devices. Optimum device performance can be obtained by choosing a suitable concentration proportion of PS:NPB at 1:1. This study contributes to the construction of composite functional layers of organic light-emitting diode (OLED) devices and to the technical modification.     

BCP层对蓝光有机电致发光器件效率的影响

采用真空热沉积的方法,在常规的三层器件基础上,通过改变空穴阻挡层BCP的厚度,制备了具有结构为氧化铟锡(ITO)/N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenan throline(BCP)/Hydroxyquinoline aluminum(Alq3)/Mg:Ag的双异质结的有机电致发光器件.结果表明,当空穴阻挡层BCP的厚度从0.1 nm逐渐增加到4.0 nm时,器件的电致发光光谱实现了从绿色到蓝绿色再到蓝色发射的转变.同时,空穴阻挡层BCP起到了调节载流子复合区域和改变器件发光颜色的作用,并且通过详细的器件结构优化证明一定厚度的BCP层显著地提高了蓝光器件的效率,达到了7.3 lm/W.     

高亮度微腔有机电致发光器件

为了实现有机电致发光器件(OLED)发射光谱的窄化和高亮度,真空热蒸镀具有不同微腔结构的OLED(MOLED):玻璃衬底/分布式布拉格反射器(DBR)(1～4对的SiO2/Ta2O5层)/ITO/空穴传输层(HTL,α-NPD)/发光层(EML,Alq3:Rubrene或Alq3:Coumarin6)/电子传输层(ERL,Alq3)LiF/Mg/Ag,其中沉积DBR结构采用电子束沉积法。实验表明:该MOLED的发射光谱半波长宽度(FWHM)随DBR层数的增加而减小至最小值10nm;并且在2层DBR时,掺杂Rubrene器件得到更大的电流效率,约20cd/A,最大亮度为2.6×105cd/m2。研究发现,蓝光MOLED能够对自发光产生吸收现象,降低了出光效率。     

覆盖层对顶发射白光微型OLED性能的影响研究

采用两种覆盖层CPL（Capping layer）材料Alq3和ZnSe制备了顶发射白光有机电致发光器件TE-OLEDs（Top emitting white organic light-emitting diodes）,器件结构为ITO/NPB: LiQ (5%) (10 nm) /TCTA(20nm)/FIrpic+3.5%Ir(ppy)3+0.5%Ir(MDQ)2(acac)(25nm)/TPBI(10nm)/LiF(5nm)/Mg: Ag(10%) (12 nm)/CPL。实验结果表明,Alq3和ZnSe作为CPL可以增强TE-OLED器件的出光和调制光谱特性,并且ZnSe作为覆盖层制备的TE-OLED器件色坐标（CIEX,CIEY）随亮度变化更平稳,表现出良好的色稳定性。进一步,通过改变ZnSe厚度来优化器件,当ZnSe为45 nm时,器件获得了最佳的亮度和电流效率,分别为1461 cd/cm2和7.38 cd/A,色坐标为（0.30,0.33）。     

Effect of different processing methods for the hole transporting layer on the performance of double layer organic light-emitting devices

The hole transporting layer （HTL） of organic light-emitting device （OLED） was processed by vacuum deposition and spin coating method, respectively, where N,N＇-biphenyl-N, N＇-bis（3-methylphenyl）- 1, l＇-biphenyl-4,4＇ -diamine （TPD） and poly （vinylcarbazole） （PVK） acted as the hole-transport materials. Tris-（8-hydroxyquinoline）- aluminum （Alq3） was utilized as both the light-emitting layer and the electron transporting layer. The basic structure of the device cell was： indium-tin-oxide （1TO）/PVK ： TPD/Alq3/Mg：Ag. The electroluminescent （EL） characteristics of devices were characterized. The results showed that the peak of EL spectra was located at 530 nm, which conformed to the characterizing spectrum of Alq3. Compared with using vacuum deposition method, the green emission with a maximum luminance up to 26135 cd/m2 could be achieved at a drive voltage of 15 V by selecting proper solvent using spin-coating technique, and its maximum lumi nance efficiency was 2.56 lm/W at a drive voltage of 5.5 V.     

Structure optimization of organic light-emitting devices

A triple layer organic light-emitting diode (OLED) with two heterostructure of indium-tin oxide (ITO)/N,N’-diphenyl-N, N’-bis(1-naphthyl) (1,1’-biphenyl)-4,4’-diamine (NPB)/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP)/ 8-Hydrox- yquinoline aluminum (Alq3)/Mg:Ag has been fabricated by using the vacuum deposition method. The influence of different film thickness of BCP layer on the performance of the OLEDs has been investigated. The results show that when the thickness of the BCP layer film gradually r...     

Effect of BCP ultrathin layer on the performance of organic light-emitting devices

Based on conventional double layer device, triple layer organic light-emitting diodes （OLEDs） with two heterostructures of indium-tin oxide （ITO）/N,N＇-diphenyl-N,N＇-bis（1-naphthyl）（1,1 ＇-biphenyl）-4,4＇-diamine（NPB）/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl- 1,10-phenanthroline （BCP）/8-Hydroxyquinoline aluminum （Alq3）/Mg：Ag USing vacuum deposition method have been fabricated. The influence of different film thickness of BCP layer on the performance of OLEDs has been investigated. The results showed that when the thickness of the BCP layer film gradually varied from 0.1 nm to 4.0 nm, the electroluminescence （EL） spectra of the OLEDs shifted from green to greenish-blue to blue, and the BCP layer acted as the recombination region of charge carriers related to EL spectrum, enhancing the brightness and power efficiency. The power efficiency of OLEDs reached as high as 7.3 lm/W.