Zn/Sn热共蒸发制备ZnO/Zn2SnO4/SnO2同轴纳米电缆

为了研制优质气敏传感器的ZnO系气敏元件,以Zn粉和Sn粉为原料,通过热共蒸发法,在900℃的氧气气氛中,制备了直径为80～150nm的三层同轴ZnO/Zn2SnO4/SnO2核壳结构的纳米电缆.利用扫描电子显微镜（SEM）、X射线能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）和透射电子显微镜（TEM）试验对纳米电缆的形貌、组成成分以及微观结构进行了表征.测得该三层同轴ZnO/Zn2SnO4/SnO2核壳结构的纳米电缆的芯核为SnO2,中间层为Zn2SnO4化合物,外壳层为ZnO,且有铅笔状、三角金字塔状和四棱锥状三种不同纳米形貌.     

溶剂热法合成Sb2Te3纳米粉体

采用溶剂热法在DMF(N,N-二甲基甲酰胺)中合成出Sb2Te3,研究反应温度、反应时间对Sb2Te3粉体合成的影响,采用X射线衍射,扫描电镜和透射电镜对Sb2Te3粉体进行了表征,分析了Sb2Te3晶体的生长机理. 结果表明:Sb2Te3粉体的形貌和尺寸随合成温度、时间的改变而变化,在180 ℃下反应24 h,合成出结晶度很好、尺寸在300-600 nm的六角形片晶.     

SnO2及SnO2／Fe2O3复合微米材料的合成及表征

本文首先以SnCl2·2H2O为主要原料,无水乙醇为溶剂,利用溶剂热法于180℃反应24h得到了SnO2微球;再以所制备的SnO2微球为前驱体,FeCl3·6H2O为主要原料,通过水热法得到SnO2／Fe2O3复合材料．利用X射线粉末衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对所得产物进行了表征．结果表明：所得的SnO2为四方锡石型,形貌为微球,平均直径约为2．0μm;复合后得到的SnO2／Fe2O3微球平均直径约为2．5μm．其中,Fe2O3为六方赤铁矿型,在复合物的表面以小颗粒的形式存在,尺寸约为200nm．另外,也对SnO3与SnO2／Fe2O3微球的形成过程进行了讨论．     

聚乙烯吡咯烷酮/溶剂辅助合成SnO_2纳米晶体

采用溶剂热方法合成了均分散SnO2纳米晶体。首先探索了在同一溶剂中,形成均分散SnO2纳米晶体的最佳反应条件:聚乙烯吡咯烷酮(PVP-k30)的质量浓度为5g.L-1,SnCl4.5H2O的浓度为0.14mol.L-1,反应温度为180℃,反应时间为24h。在保持最佳反应条件的基础上,还研究了不同溶剂中PVP-k30与溶剂之间相互作用对产物形貌、结晶性及吸光性能的影响,结果表明:在PVP-k30的乙醇溶剂中,物质之间的相互作用促使产物形成花簇状结构;而在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)或DMF与乙醇(体积比为1∶1)溶剂中,产物的形貌为链状结构;花簇状产物的结晶性能与吸光性能要优于链状结构产物。     

光催化TiO2纳米粉体的水热合成

以硫酸钛为原料，采用水热法制备了陶瓷载体用的光催化二氧化钛粉体。通过XRD等测试分析对TiO2粉体进行表征，研究了TiO2粉体的光催化活性。结果表明，所制得的TiO2粉体均训锐钛矿型TiO2，晶粒尺寸均达纳米级，具有良好的光催化活性。     

溶剂热法合成CeO_2纳米微晶

使用简便的混合溶剂法合成稀土CeO2材料,以Ce(NO3)3.6H2O为铈源,PVP为表面活性剂,在乙醇与水混合溶剂体系中反应得到CeO2。通过改变PVP的用量及反应时间制备了不同形貌的CeO2纳米微晶,X射线衍射测定其物象为立方晶系的CeO2,SEM、TEM等测试手段对产物的不同形貌和纳米尺度进行了表征。Eu3+∶CeO2八面体纳米微晶的光致发光(PL)测试结果表明,荧光峰对应着不同的发光中心,有很好的荧光特性。     

纳米CuInSe_2的溶剂热合成与表征

以乙二胺为溶剂,CuCl2.2H2O、InCl3.4H2O和Se粉末为反应物,采用低温溶剂热工艺制备了铜铟硒(CuInSe2,简称为CIS)纳米粉末。通过X射线衍射、扫描电镜、X射线光电子能谱等测试分析方法对产物进行测试和表征。研究结果表明,反应温度、反应物超声预处理等工艺条件对产物形貌有很大的影响。降低反应温度有利于获得均匀的CuInSe2粉末,反应物超声预处理可以获得分散性较好的球形CuInSe2纳米粉末。所得产物为具有黄铜矿构型的CIS纯相。     

反应介质对溶剂热法合成CuInS2纳米晶体的影响

以CuCl2.2H2O为铜源,InCl3.4H2O为铟源,硫脲为硫源,分别以N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、乙二醇、丙三醇、DMF与乙二醇等体积混合为溶剂在190℃下反应12h合成CuInS2纳米晶体。用X射线粉末衍射仪、EDS能谱、场发射扫描电子显微镜和紫外-可见近红外分光光度计对粉体的结构、原子配比、形貌和光吸收性能进行表征。研究表明:以DMF、乙二醇、丙三醇、DMF与乙二醇等体积混合作溶剂均能得到CuInS2纳米晶体,其中混合溶剂中制备的样品性能更佳;强酸体系能改善CuInS2纳米晶体的团聚现象。     

溶剂热法合成单质铜纳米晶

在表面活性剂PVP的辅助下采用溶剂热法成功地合成出了单质铜的纳米晶.同时,通过XRD、SEM手段对其进行探讨和研究,结果表明反应时间和表面活性剂(PVP)的浓度对样品的形貌起到了至关重要的作用.最后,我们推导出了它可能形成的机理.     

水热法制备Zn_2SnO_4超细粉体

采用水热法制备Zn2SnO4纳米粉体。采用X-射线衍射和扫描电镜观察样品的相组成和微观结构。结果表明:合成条件诸如矿化剂浓度、水热合成温度和保温时间,对粉体的相组成有显著影响。Zn2SnO4纳米粉体的最佳合成条件为:NaOH=2.5 mol/L,水热合成温度230℃、保温72h。     

喷雾热解法制备掺锑二氧化锡薄膜及其性能表征

用喷雾热解法将掺杂锑的氯化亚锡溶液喷射到预先加热的玻璃管衬底上,制备了掺锑氧化锡透明导电薄膜.采用X射线衍射仪和扫描电镜分别对薄膜的结构和表面形貌进行了表征.研究了不同掺锑量对薄膜点电阻的影响及在可见光范围内与透光率之间的关系.结果表明,掺杂锑的薄膜呈四方金红石结构,薄膜比较致密,进行掺杂后的薄膜电阻变小,当锑锡原子比为0.04时点电阻最小,约为28 Ω/cm.镀膜玻璃管在可见光范围内透光率随锑掺杂量增多而减小.     

二氧化锡微球的制备、表征及其性能研究

介绍了以二水氯化亚锡(SnCl2·2H2O)作为主要原料,无水乙醇和N-N二甲基甲酰胺作为复合溶剂,采用溶剂热法在140℃反应24h成功地制备了二氧化锡微球.通过X射线粉末衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所制备样品的物相、结构和形貌进行了表征.结果表明:所制备的SnO2具有纯的四方相结构,形状球体,直径约为3μm,且反应温度、反应时间及复合溶剂配比等对样品尺寸、形貌及微球形成过程等均有一定的影响.最后通过紫外可见分光光度计对其光学性能进行了研究.     

纳米级SnO2气敏材料制备及结构分析

制备敏感元件的原材料粉粒越细越好．介绍了以明胶作分散介质用溶胶－明胶法制备纳米级ＳｎＯ２敏感材料的工艺方法．制备的ＳｎＯ２材料粒径小于１０ｎｍ．实验研究了热处理的温度和时间对ＳｎＯ２材料粒径的影响,并进行了理论上的解释．对制备的ＳｎＯ２材料进行了透射电子显微镜、比表面积测试和Ｘ射线衍射等方法的测试分析,给出了测试分析结果．     

直流电弧等离子体制备SnO2纳米粉末的研究

利用直流电弧等离子本蒸发-凝聚法制备SnO2纳米粒子，研究了SnO2粒子在等离子体焰流中的形成和生长机理，探讨了等离子体发生器功率、气体配比和冷却介质对SnO2纳米粒子粒度和纯度的影响，制备出了纯度大于98．8％、粒度可控的SnO2纳米粉末，为制造高性能SnO2气敏传感器打下了良好的基础。     

添加稀土氧化物的Pt/SnO_2催化剂的制备方法

以共沉淀法制备的氧化锡和氧化铈混合物为载体,负载Pt,得到含稀土氧化物的Pt/SnO_2催化剂。考察了该催化剂对CO氧化的催化活性,并与以氧化锡为载体、用浸渍法制备得含稀土氧化物的Pt/SnO_2催化剂进行了比较。实验结果表明:两者对于CO的催化氧化活性基本相同。还进一步考察了该催化剂中晶格氧的作用。     

溶胶-凝胶法制备 Ni0.5Zn0.5Fe2O4纳米材料特性的研究

利用溶胶．凝聚法制备了Ni0.5Zn0.5Fe2O4粉末材料,烧结温度范围600℃-950℃。对材料的结构、红外、磁学和微波吸收特性进行了研究。材料的XRD图谱和原子力显微镜形貌观察表明,材料在纳米尺度范围之内。在500cm-1--600cm-1波数范围内,材料具有明显的红外吸收特性。材料的晶粒尺寸随着烧结温度的提高而增加,且较高温度烧结的材料具有相对低的矫顽力和饱和磁场。利用反射衰减实验研究材料在6GHz--10GHz波段范围的吸波特性,结果表明,0．33mm厚度的样品在常温下的反射衰减达到1．8dBm。