反卫星光电传感器激光对抗技术

本文介绍了国外反卫星光电传感器的激光对抗技术发展的现状,对反卫星光电传感器的激光对抗涉及的关键技术进行了可行性分析论证,并阐述了反卫星光电传感器的激光对抗技术的研制发展方向。     

天基激光对抗技术与激光技术发展需求

分析了美国天基激光干扰的发展思路，针对各类传感器可能的干扰途径，建立了相应的天基激光干扰技术体系，提供了天基激光干扰技术必须解决的关键技术及其可行性的思路和方法，列举了近期可能应用于天基激光干扰的激光器技术。     

反卫星光电传感器激光对抗技术

本文介绍了国外反卫星光电传感器的激光对抗技术发展现状,对反卫星光电传咸器的激光对抗涉及的关键技术进行了可行性分析论证,并阐述了反卫星光电传感器的激光对抗技术的研制发展方向。     

光电对抗与军用光电技术研究进展

本文对光电对抗与军用光电技术研究的内容和组成进行了阐述,介绍了光电对抗与军用光电技术研究现状,系统地论述了光电对抗技术研究的趋势,综合介绍了光电对抗技术现有技术研究及成型的武器装备,并对今后光电对抗技术研究的重点技术进展进行了详尽的讨论。     

光电探测与对抗

本文主要介绍国外光电探测与对抗发展概况和发展趋势,重点介绍激光、红外探测及其对抗。     

激光有源对抗技术发展综述

激光有源对抗技术在光电对抗中占有极大其重要的地位。本文综述了这项技术的发展现状。     

海军光电对抗装备研究

在未来高技术战争条件下的海战中，海军面临着日趋严重的光电威胁。为了提高海军在现代化战争中的生存能力，就必须大力发展光电对抗技术。介绍了海军光电对抗装备的发展现状。     

半主动激光寻的导弹全程光电对抗技术探讨

半主动激光寻的导弹作为一种光电精确制导武器,以其制导精度高、抗干扰能力强的特点,对各种地面和海上军事平台和重点军事目标构成严重的威胁.通过对半主动激光寻的导弹系统和典型作战武器分析,在传统单一光电对抗的基础上,提出了对半主动激光寻的导弹多层次全程对抗的作战设想.     

激光对抗技术

本文从激光对抗的技术途径出发，重点叙述了激光报警、激光主动干扰、激光防护等激光对抗措施的研究进展，并对激光对抗技术的发展提出了几点看法。     

光限幅材料的研究现状及其在激光防护中的应用

随着激光武器的发展,对相应的对抗措施不断提出更高的要求。光限幅材料体在对抗激光干扰与致盲武器中具有重要的研究价值。作者简要介绍了近年来光限幅材料的研究情况及其在这一对抗领域中的应用研究。     

强激光武器技术最新发展评述

在过去三年里,高能激光武器技术取得了巨大的发展,第一代实用的武器系统即将实现。本文中首先评述了美国的高能激光武器计划和最新的发展。然后分析和评述了各种武器技术取得的重大进展。最后简要地介绍了最近进行的激光射击卫星试验。     

光电反馈抑制掺铒光纤激光器的低频强度噪声

通过光电反馈电路对掺铒光纤激光器的中低频噪声进行了抑制。根据速率方程理论,分析了影响掺铒光纤激光器强度噪声的因素,通过电路仿真分析优化反馈电路参数,重点讨论反馈信号的相位对噪声抑制的影响。实验表明：激光器的低频(小于20KHz)强度噪声平均降低了10dB,中频弛豫振荡峰处（30KHz附近）抑制达35dB,并且克服了光电反馈抑制强度噪声使弛豫振荡峰向高频移动,导致高频噪声增大的问题。优异的噪声特性使光纤激光器在光传感领域具有很高的实用价值。     

舰载激光武器火控系统研究与展望

激光武器被认为是海军舰艇防御方面最具潜力的新概念武器,被国外军事强国列为未来舰载攻击和防御武器。要实现舰载激光武器精确稳定毁伤目标,其火力控制系统至关重要。通过与传统舰炮火控系统对比分析和研究,系统概述了舰载激光武器火控系统功能、舰载激光武器火控系统组成,以及舰载激光武器火控系统中存在的关键技术,阐明舰载激光武器火控系统研究方向。     

数字正交检波技术在主动探测中的应用研究

提出基于光学系统的“猫眼”效应,应用单频调制的连续激光,对扫描式红外热成像目标进行有效探测的新方法。分析了光学系统的后向反射特性,针对回波信号特征,提出利用回波信号的相位信息,采用直接采样的数字正交检波技术实现对低信噪比回波信号的可靠检测,并在外场试验中应用该方案对实际目标回波信号获得了满意的检测结果。     

光电探测技术在火控系统中的应用及发展

针对新型光电火控系统的应用和发展,结合光电探测技术在火控系统中的具体应用,对配备了光电传感器(激光测距、电视跟踪、红外跟踪)的新型光电火控系统的特点进行了分析。并以洛克希德.马丁公司为美国海军陆战队的AH-1Z"眼镜蛇"直升机研制的光电火控目标瞄准系统(TSS)为例,对目前世界上先进的多传感器火控系统的主要性能参数和功能特性进行了分析,并初步探讨了新型光电火控系统的发展趋势,即光电火控系统正朝着各光电系统光轴合一、功能多样化、多目标跟踪的方向发展。新型光电火控系统将进一步提高目标识别、定位距离和装备平台的存活能力。     

软杀伤战术激光武器及作用机理的研究

光电对抗技术是随着光电技术在军事领域中的广泛应用应运而生的一门崭新学科,而软杀伤激光武器是其中的重要组成部分。软杀伤激光武器作为光电对抗的一种重要手段,在高技术战争中发挥着重要作用,它是以干扰破坏敌方光电系统或致盲、半致盲敌方人员为目的的激光武器,论述了软杀伤武器的作用机理及未来的发展方向。     

浅析美国激光武器发展战略的演变

以美国海军激光武器的发展路线图和规划为例,分析美国激光武器战略的发展变化,认为美国激光武器的研发由偏重战略应用向偏重战术应用转移,更注重实战化的变化趋势。     

高功率YAG激光对激光导引头压制干扰的效果评估与理论分析

推导出计算高功率YAG激光直接或间接照射在激光导引头前或其四象限探测器上的能量密度公式和峰值功率密度公式,提出致盲或深度饱和评估准则.通过激光干扰时间序列图分析,指出由于激光导引头光电传感器饱和驰豫时间太小,非同步压制干扰无效是体制问题;并提出,可以借用激光角度欺骗干扰中的编码识别技术,控制高功率YAG激光脉冲的发射时机,让压制干扰刚好屏蔽激光导引头的信号探测时间波门,从而使得压制干扰有效.     

Research progress of III-V laser bonding to Si

The vigorous development of silicon photonics makes a silicon-based light source essential for optoelectronics'' integration. Bonding of III-V/Si hybrid laser has developed rapidly in the last ten years. In the tireless efforts of researchers, we are privileged to see these bonding methods, such as direct bonding, medium adhesive bonding and low temperature eutectic bonding. They have been developed and applied to the research and fabrication of III-V/Si hybrid lasers. Some research groups have made remarkable progress. Tanabe Katsuaki of Tokyo University successfully implemented a silicon-based InAs/GaAs quantum dot laser with direct bonding method in 2012. They have bonded the InAs/GaAs quantum dot laser to the silicon substrate and the silicon ridge waveguide, respectively. The threshold current of the device is as low as 200 A/cm². Stevan Stanković and Sui Shaoshuai successfully produced a variety of hybrid III-V/Si laser with the method of BCB bonding, respectively. BCB has high light transmittance and it can provide high bonding strength. Researchers of Tokyo University and Peking University have realized III-V/Si hybrid lasers with metal bonding method. We describe the progress in the fabrication of III-V/Si hybrid lasers with bonding methods by various research groups in recent years. The advantages and disadvantages of these methods are presented. We also introduce the progress of the growth of III-V epitaxial layer on silicon substrate, which is also a promising method to realize silicon-based light source. I hope that readers can have a general understanding of this field from this article and we can attract more researchers to focus on the study in this field.