美国Kyma公司计划填补“绿光LED空白”

美国能源部的固态照明核心技术计划将资助Kyma公司开发一种新型绿光LED，该计划被Homoepitaxial MOVPE称为“高性能绿光LED”。 开发小组在Ⅲ族氮化物材料基础上，经过改良材料、改善制作绿光LED的工艺，开发绿光LED技术，以填补现代半导体LED技术中的“绿光空白”。关键的材料改良有望在Kyma低缺陷密度的自然镓氮化物基底上实现。这种材料和工艺的改善需要固态照明市场的投资，普遍认为这是氮化物半导体器件的最大潜在市场。     

InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管

报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构,并研制成功发射波长为520-540nm的绿光LED     

美国能源部斥资180万美元提高绿光LED效率

美国Rensselaer工学院8月份得到180万美元的联邦基金资助提高绿光LED的能量效率，作为美国能源部固态照明计划的一部分，Rensselaer工学院的任务是在3年时间内将绿光LED输出功率提高2～3倍，为最终LED取代日常照明的白炽灯和荧光灯奠定基础。     

InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管

报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED.     

白光LED背光灯

三星电机开发了蓝光LED与红、绿光荧光粉组合一体的白光LED，用于TFT-LCD背光灯。与RGB三个LED芯片组合的白光LED相比较，价格降低40％，比CCFL背光灯稍贵一些，但已达到大量应用的水平，其产品预计今年将占背光灯市场的3．6％，2010年约占29．2％。     

注入电流对GaN基LED发光特性的影响

通过调节量子阱中的In组分,制备了GaN基蓝光和绿光发光二极管（LED）。对两种LED进行变电流测试发现,注入电流由3 mA增加到900 mA过程中,波长有蓝移现象,且绿光LED的波长蓝移较明显。这是量子阱限制斯塔克效应（QCSE）造成的。由于绿光LED中In组分含量较大,QCSE较明显。并且发现,光效迅速下降,绿光L...     

新型的半导体光源—白光LED

近几年来,随着Ⅱ-Ⅵ族(ZnSe)和Ⅲ-Ⅴ族(GaN)宽带隙材料技术的突破,蓝-绿光发光二极管(LED)陆续进入商品市场,企盼已久的半导体全色光源梦已经变成现实,同时也促进了新一代光源——     

高亮度InGaN基白光LED特性研究

利用自行研制的InGaN GaNSQW蓝光LED芯片和YAG :Ge3 荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3) ,并对其发光强度、色度坐标、I V、色温及显色性等特性进行了研究 .实验结果表明 :室温下 ,正向电流为 2 0mA时 ,白光LED的轴向发光强度为 1 1～ 2 3cd ,正向电压小于 3 5V ,色度坐标为 (0 2 8,0 34) ,显色指数约为 70 .     

垒层Si掺杂对多量子阱InGaN绿光LED性能的影响

InGaN系绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得绿光器件的量子限制Stark效应更显著。对内建电场的屏蔽可以有效提高载流子的辐射复合效率。论文探讨了绿光多量子阱中垒层的Si掺杂对绿光器件性能的影响。研究发现,多量子阱中垒层适度Si掺杂(3.4×1016 cm-3)可以改善多量子阱结构界面质量和In组分波动,在外加正向电流的作用下更大程度地屏蔽极化电场;同时,还能够增强电流的横向扩展性,提高活化区的有效发光面积。然而,多量子阱中垒层的过度Si掺杂对于绿光LED器件的性能带来诸多的负面影响,比如加剧阱垒晶格失配、漏电途径明显增加等,致使器件光效大幅度降低。     

LED的发展与应用

发光二极管（LED）是指半导体PN结通以正向电流时能发光的半导体器件。早在1922年，有人就发现了碳化硅（SiC）的PN结发光现象。1968年，美国孟山都公司首先向市场提供了磷砷红色LED，并得到广泛应用。随后，黄光LED，绿光LED，橙光LED，黄绿色LED，橙红光LED和紫光LED相继问世。     

GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响

分析比较了在不同外延生长条件下GaN基高In组分绿光LED材料室温和低温10K下光致发光谱中蓝带发光峰,研究了外延结构中p型层蓝带峰发光特性对材料晶体质量和器件电光转换效率的影响.结果表明:通过优化p型层的外延生长条件,可有效降低和消除其蓝带发光峰较之多量子阱主峰的相对强度,有利于提高LED器件特别是高In组分绿光LED器件在同等注入电流条件下的发光功率.     

GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响

分析比较了在不同外延生长条件下GaN基高In组分绿光LED材料室温和低温10K下光致发光谱中蓝带发光峰,研究了外延结构中p型层蓝带峰发光特性对材料晶体质量和器件电光转换效率的影响.结果表明:通过优化p型层的外延生长条件,可有效降低和消除其蓝带发光峰较之多量子阱主峰的相对强度,有利于提高LED器件特别是高In组分绿光LED器件在同等注入电流条件下的发光功率.     

绿色荧光粉CaBi_2Ta_2O_9:Ho~(3+)的制备及发光性能

采用高温固相反应法制备了Ho3+离子掺杂铋层结构铁电氧化物CaBi2Ta2O9(CBTO)荧光粉。分别对样品进行了X射线衍射(XRD)分析、扫描电镜(SEM)测试和荧光光谱(PL)的测定。研究表明:荧光粉CBTO:Ho3+的最强激发峰位于450 nm,与商用蓝光LED的发射光波长相匹配,位于548 nm的极强绿光发射峰源于Ho3+离子的5I8→5G6跃迁。分析了Ho3+离子掺杂浓度对样品发光强度的影响,其最佳掺杂摩尔分数为0.04%,对应的色坐标为(0.2754,0.7120)。     

MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED

报道用自行研制的LP－MOVPE设备,在蓝宝石（α－Al2O3)衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGsN双异质结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED,其发射波长分别为430－450nm和520－540nm。     

有机材料MEH-PPV对白光LED光谱特性的影响

分别将质量分数为5、10、15和20%的有机材料MEH-PPV混合加入YAG荧光粉中,观察发光二极管(LED)显色指数的变化。实验结果表明,MEH-PPV在450～550nm区域吸光度逐渐增强,可吸收黄绿光,在615nm附近辐射出较强红光,补充了传统蓝光LED芯片激发YAG荧光粉中缺失的红光成分,使发射带延伸至700nm;当MEH-PPV混合质量分数为15%时,制备的白光LED的显色指数最高,可达到92。随着质量分数从15%持续增加到20%,器件的显色指数开始降低,这是因为LED芯片发出的能量能够激发有机材料MEH-PPV的同时,使MEH-PPV对荧光粉发出的绿光区域有较强吸收,因此存在一个最佳色比使器件的性能达到最佳。     

InGaN/GaN MQW双波长LED的MOCVD生长

利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统生长了InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管(LED).发现在20 mA正向注入电流下空穴很难输运过蓝光和绿光量子阱间的垒层,这是混合量子阱有源区获得双波长发光的主要障碍.通过掺入一定量的In来降低蓝光和绿光量子阱之间的垒层的势垒高度,增加注入到离p-GaN层较远的绿光有源区的空穴浓度,从而改变蓝光和绿光发光峰的强度比.研究了蓝光和绿光量子阱间垒层In组分对双波长LED的发光性质的影响.此外,研究了双波长LED发光特性随注入电流的变化.     

基于控制器CS51411的汽车用降压型大功率LED驱动电路

<正> 安森美公司生产的单片转换器 CS51411适用于降压型拓扑,可提供350mA 到1A 的恒定电流,驱动正向电压为3.6V(±35%)的单颗白光/蓝光/绿光 LED。CS51411介绍CS51411采用8引脚 SOIC 封装,引脚排列如图1所示。CS51411是一种 DC-DC 降压型转换器,内置功率开关,在260kHz 的固定频率上工作。CS51411的引脚1(B00ST)为内部高端 BJT 施加偏置;引脚2(V_(IN))为输入电压端;引脚3(V_(SW))为开关输出端;引脚4(SHDN)为关闭输入端:引脚5(SYNC)为同步信号输入端;引脚6(GND)为接地端;引脚7(FB)为反馈     

氮化镓基蓝、绿光LED中游工艺技术产业化研究

氮化镓基蓝、绿光LED在光显示及未来的白光照明领域具有广阔的应用前景,中国科学院半导体研究所和深圳市方大国科光电技术公司利用双方各自的技术优势和资金管理优势,实现了氮化镓基蓝、绿光LED中游工艺技术产业化,目前产品已经批量上市销售。     

MOCVD法制备ZnO同质发光二极管

在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.     

MOCVD法制备ZnO同质发光二极管

在n型ZnO体单晶片上, 首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜，制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件；在室温下，观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.