气相外延生长单晶金刚石薄膜

本文用氢气、丙酮做为气体源,通过微波增强的化学气相沉积方法,在人造金刚石的<100>,<111>及<110>晶面上实现了气相外延生长。通过扫描电子显微分析,观察到了外延生长台及螺旋线,并用显微激光Raman光谱法分析证明,生长层中不合非金刚石成分。反射电子衍射分析结果表明,在金刚石<100>,<110>面上的生长层为单晶生长层。从实验结果中还发现,外延生长温度与晶面原子密度密切相关。     

错在哪里?

有这样一道题:设a&gt;0,且a≠1,P=loga(a3-1),Q=loga(a2-1),比较P、Q的大小关系.甲给出如下解法:∵　(a3-1)-(a2-1)=a3-a2=a2(a-1),∴　当a&gt;1时,　a3-1&gt;a2-1,从而　loga(a3-1)&gt;loga(a2-1),即P&gt;Q;当0loga(a2-1),即P&gt;Q.因此　　　P&gt;Q.乙给出如下解法:P-Q=loga(a3-1)-loga(a2-1)=logaa3-1a2-1=logaa2+a+1a+1=loga(1+a2a+1),∵　　　1+a2a+1&gt;1,∴　当a&gt;1时,loga(1+a2a+1)&gt;0,∴　　　　　P&gt;Q;当00a2-1&gt;0a&gt;0且a≠1　即a&gt;1,于是,将两人的解法适当修改,则可得如下的正确解法.解法1　∵　(a3-1)-(a2-1)=a2(a-1),又　a3-1&gt;0a2-1&gt;0a-1&gt;0且a≠1　即a&gt;1...     

提高《概率统计》课程教学质量的因素分析

就"文理兼招"的信息管理与信息系统专业开设的<概率统计>课程,运用回归分析方法做统计分析,明确了<高等数学>是影响该课程教学质量的主要因素.     

活用｜a&#183;b｜≤｜a｜&#183;｜b｜解题举例

向量不等式｜a&#183;b｜≤｜a｜&#183;｜b｜是向量的一个重要性质，本文例谈它的应用．     

向量不等式-｜a｜｜b｜≤a&#183;b≤｜a｜｜b｜的应用

由平面向量的数量积公式：a&#183;b=｜a｜&#183;｜b｜cosθ（其中θ为非零向量a与b的夹角），我们容易得到下面的结论： －｜a｜&#183;｜b｜≤a&#183;b≤｜a｜&#183;｜b｜. 当a与b共线且方面相同时，右边的不等式取等号；当a与b共线且方向相反时，左边的不等式取等号。     

D<Mk>型算子及其豫解式

在本文中,我们引入四类D<M_k>型算子,并讨论了它们的若干性质.它们都是无界的且在一定意义下是可以分解的,但它们的预解式的增长级却可以较高,因此在应用中比较方便.     

2005年北京市中考数学试题评析

北京市2005年中考是由合格初中毕业生参加的选拨性考试(两考分开),数学试题的命题依据是&lt;九年义务教育全日制初级中学数学教学大纲(试用修订版)&gt;和&lt;北京市实施素质教育调整九年义务教育部分学科教学内容与教学要求的意见&gt;,及原人民教育出版社初中数学教材.……     

一类奇异半线性反应扩散方程初值问题整体解的存在唯一性及解的增长性

本文讨论如下问题其中σ>0,0<p<1,f(x))非负且f(z)∈L∞(RN),得到了整体解的存在唯一性及解的增长性.     

非扭曲退化同宿分支

本文考虑高维系统的退化同宿分支.未扰系统在平衡点z=0处Df(0)有二重实特征根λ1和-λ2,使得Df(0)的其余特征根λ满足Reλ>λ3>λl>0或者Reλ<-λ4<-λ2<0,其中λ3和λ4为某正数.利用指数二分性,在同宿轨r的某邻域内建立适当的局部坐标系和Poincaré映射.在非共振条件下研究了r附近的1-同宿和1-周期轨的存在性,唯一性和不共存性.对共振同宿轨描述了更为复杂的分支.     

氢致表观屈服应力下降的原因——氢促进塑性变形机理

本文利用Bockris所做的氢渗透实验数据,根据Boltzmann分布,计算了氢在α-Fe中的应变场。结果表明:氢在α-Fe中的应变场具有强烈的非球对称性。计算了氢和螺位错的弹性交互作用能,大约为28kJ/mol。在外应力作用下螺位错周围的氢原子气团成不对称分布,从而有一个附加力作用在螺位错上,它协助外应力使位错开动。因此,产生宏观塑性变形所需的外应力,即表观屈服应力τ_c,就会明显下降。即在较低的外应力(或者较低的应力场强度因子)下就能引起氢致塑性变形。     

压电晶体表面沟槽对正入射瑞利波的散射

本文将在考虑压电,ST-石英和(001)<110>Bi₁₂CeO₂₀进行了数值计算,结果表明与实验结果符合得较好。进而,用鞍点法,导出了散射体波在远场的渐近表达。文中还计算了YZ-LiNbO₃材料中散射体波指向性图与能量散射系数。     

J-J型方程的动力行为

本文用严格的数学方法,研究了J-J型方程的动力行为,在β>2/(1+δ)(|(?)|<1)的限制下,问题得到了完全解决。     

非参数回归函数最近邻估计的强相合性

设(X,Y),(X₁,Y₁),…,(X_n,Y_n)为取值R^d×R的独立同分布随机向量,E|Y|<∞。设m_n(x)为m(x)=E(Y|X=x)的最近邻估计。本文在E|Y|^r<∞(对某个r>1)或E{exp(t|Y|^λ)}<∞(对某个λ>0及t>0)的条件下,建立了m_n(x)的强相合性。其它附加条件均与(X,Y)的分布无关。     

映射z→λexp(z)(λ>e-1)的结构不稳定性

已知当λ>e^-1时映射z→λexp(z)的Julia集合是全平面。本文证明了:对于任意给定的λ>e^-1,存在一个复数序列λ_i^*∈C,使得λ_i^*→λ(l→∞)且映射z→λ_i^*exp(z)的Julia集合不是全平面。由此推出映射z→λexp(z)(λ>e^-1的结构不稳定性。     

分子束外延生长多层异质结构的离子沟道研究

本文用分子束外延方法(MBE)先在Si(111)方向上生长CaF₂薄膜,再在CaF₂层上外延淀积一定厚度的Si或Ge膜,形成Si/CaFa/Si(111)或Ge/CaF₂/Si(111)等异质多层结构,然后用Rutherford背散射和离子沟道方法分析薄膜生长特性,发现在CaF_2薄膜上淀积的Si层是由两种类型的微晶构成的,其方向分别与衬底Si方向相同或与衬底表面垂直方向转180°,表明最上层的Si膜(或Ge膜)可能是A型和B型两种取向的混合。在Si/CaF₂/Si(111)结构中,各个沟道的最小产额均比CaF₂/Si(111)的情形高许多,因为最上层的Si膜是A型和B型两种取向混合且为李生的。CaF₂<110>(<114>)非法向轴相对于衬底Si<114>(<110>)轴的偏离表明CaF₂界面区域存在应力。当CaF₂/Si(111)上外延生长Ge薄膜时,同时存在上述A和B两种取向类型微晶的混合,但以B成份为主,因此,仍然形成质量很好的Ge/CaF₂/Si(111)多层异质结构.但是,由于Ge和CaF₂之间晶格常数失配量要比Si和CaF₂之间大得多,所以,Ge和CaF₂界面处的Ge区域内存在着相当严重的无序。     

P.Turán问题33的一个解

本文给出P.Turn问题33的一个解:对于每个整数n≥2,都存在一组节点1≥x₁>x₂>…>x_n≥-1使对所有次数≤2n的多项式都成立,这里r_k,P_k为(0,2)-插值之第一类和第二类基本多项式。     

ON LAGRANGE INTERPOLATION FOR |X|~α (0 &lt; α &lt; 1)

We study the optimal order of approximation for |x|α (0 &lt; α &lt; 1) by Lagrange interpolation polynomials based on Chebyshev nodes of the first kind. It is proved that the Jackson order of approximation is attained.     

亚纯函数的幅角分布与增长性

设 f(z)为下级μ<+∞的平面内的亚纯函数,argz=θ_k(k=1,2,…,m;1≤m <+∞;0≤θ₁<θ₂<…<θ_m<2π,θ_m+1=θ_1+2π为平面内m条射线,使得对任意的ε>0及X=0,∞有 这里ρ为一任意给定的非负实数.如果f⁽¹⁾(z)(l≥0)具有一个有穷非零亏值 a,则f(z)的级λ≥max(π/ωρ)其中ω=min (θ_k+1-θ_k).     

反思数列中的一道错题

与一期课改高二第二学期数学相配套的教辅材料&lt;高中数学学习导引二年级第二学期(修订本)&gt;(上海教育出版社)第181页中有这样一道题:……     

辛流形M×R2n中的Hofer-Zehnder辛容量及应用

本文讨论辛流形(M×R²ⁿ,ωσ)中的 Hofer-Zehnder辛容量,定义 l₁(M,ω)=:inf{〈ω,α〉|〈ω,α〉>0,α∈π₂(M)}.证明若l₁(M,ω)>0,πr²<1/2l₁(M,ω),则C_HZ(M×B(r))=C_HZ(M×Z(r))=πr².当M等于点{P}时,就得到目前已知的结论.设CPⁿ是复投影空间,ω是CPⁿ上的辛形式,满足∫_cp¹ω=n+1,那么当πr²<1/2(n+1)时,C_HZ(CPⁿ×B(r))=C_HZ(M×Z(r))=πr².作为应用,还将证明M×Z((l₁(M,ω)/2π)^1/2)中的 Weinstein猜想成立.