GeSb_2Te_4相变光存储薄膜材料的短波长静态记录特性的研究

研究了单层ＧｅＳｂ２Ｔｅ４真空射频溅射薄膜在４００ｎｍ～８３０ｎｍ区域的吸收、反射光谱和光学常数（ｎ，ｋ），发现ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜在４００ｎｍ～６００ｎｍ波长范围内具有较强的吸收。在短波长静态测试仪上测试了ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜的光存储记录特性，发现在５１４．５ｎｍ波长用较低功率的激光辐照样品时薄膜在写入前后的反射率变化较大，擦除前后的反射率对比度较低，可通过膜层设计来提高     

短波长相变光盘记录介质Ge2Sb2Te5薄膜的制备及静态性能研究

研究了６３２．８ｎｍ波长下适用的相变光盘介质Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的制备方法和静态光存诸记录特性，发现该薄膜可在１００ｎｓ条件下实现直接重写，在优化膜层结构后，写擦循环次数高达１０＾６，反射率对比度在１５％以上。     

磁控溅射法制备的高反Ag_5In_5Te_(47)Sb_(33)相变薄膜的光谱性质及短波长静态记录性能

研究了磁控溅射制备的Ａｇ５Ｉｎ５Ｔｅ４７Ｓｂ３３相变薄膜的光谱及短波长静态记录性能。研究结果表明，晶态薄膜反射率较高，并在６００～９００ｎｍ波长范围内，晶态与非晶态的反射率和折射率相差很大。在ＣＤ－Ｅ系统的工作波长７８０ｎｍ处，晶态反射率高达５０％，光学常数为５．３４－１．０ｉ；非晶态反射率为２３％，光学常数为２．５－１．０３ｉ。从这一角度讲，Ａｇ５Ｉｎ５Ｔｅ４７Ｓｂ３３相变薄膜适于做ＣＤ－Ｅ系统的记录介质。另外，采用波长为５１４．４ｎｍ的短波长光学静态记录测试仪对Ａｇ５Ｉｎ５Ｔｅ４７Ｓｂ３３薄膜的记录性能进行了测试，结果表明，这种薄膜短波长记录性能较好，它在较低功率和短脉宽的激光束作用下就可得到较高的反射率对比度。     

磁控溅射法制备的高反Ag5In5Te47Sb33相变薄膜的光谱性质及短波长 …

研究了磁控溅射制备的Ａｇ５Ｉｎ５Ｔｅ４７Ｓｂ３３相变薄膜的光谱及短波长静态记录性能，研究结果表明，晶态薄膜反射率较高，并在６００～９００ｎｍ波长范围内，晶态与非晶态的反射率和折射率相差很大，在ＣＤ－Ｅ系统的工作波长７８０ｎｍ处，晶态反射率高达５０％，光学常数为５．３４－１．０ｉ；非晶态反射率为２３％，光学常数为２．５－１．０３ｉ，从这一角讲，Ａｇ５Ｉｎ５Ｔｅ４７Ｓｂ３３相变薄膜适于做ＣＤ－Ｅ系统的     

1-(2-吡啶偶氮)-2-萘酚薄膜的非线性光学特性研究

运用Ｚ扫描方法研究了１－（２－吡啶偶氮）－２－萘酚薄膜的非线性光学特性。用皮秒脉冲激光测得在５３２ ｎｍ 处、光强较低时χ（３）Ｒ ＝ １．２９×１０－ ９ ｅｓｕ, β＝ ４２ ｃｍ ／ＧＷ; 同时研究了不同光脉冲能量时的非线性吸收特性, 发现其非线性吸收随着光强的增大由反饱和吸收转为饱和吸收     

1.55μmSi1—xGex光波导在Si1—xGex／Si多量子阱探测器集成的优…

对１。５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为：１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５，脊宽，高和腐蚀深度分别为８，３和２．６μｍ，２）对ＳＩ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱红外探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５，探测器由厚度为５５０ｎｍ，２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５ＧＥ０．５＋１８ｎｍＳｉ组成，长度约２ｍｍ。     

类镓等电子序列PdⅩⅥ－TeⅩⅫ的4s~24p－4s4p~2、4s~24p－4s~25s跃迁谱线和振子强度的理论计算

对类镓等电子序列ＧａⅠ－ＸｅⅩⅩⅣ离子４ｓ２４ｐ、４ｓ４ｐ２、４ｓ２、５ｓ组态能级结构和组态相互作用进行了理论分析，找出沿等电子序列的变化规律。用我们提出的拟合公式预测ＳｕⅩⅩ－ＴｅⅩⅫ离子４ｓ２４ｐ、４ｓ４ｐ２、４ｓ２５ｓ组态能级，并给出４ｓ２４ｐ－４ｓ４ｐ２、４ｓ２４ｐ－４ｓ２５Ｓ谱线波长和ＨＸＲ方法的理论计算振子强度，理论计算值与实验值进行了比较。     

稀土-铱-锑合金热电材料的结构与量子化学计算研究

应用离散变分Ｘａ量子化学计算方法,研究了ＩｒＳｂ３,Ｉｒ４ＮｄＧｅ３Ｓｂ４和Ｉｒ４ＳｍＧｅ３Ｓｂ９三个ｓｋｕｔｔｅｒｕｄｉｔｅｓ的组成、结构、化学键和热电性能之间的关系。对Ｉｒ４ＮｄＧｅ３Ｓｂ９和Ｉｒ４Ｓｍｅ３Ｓｂ９,用多个模型研究了稀土元素振动的结构。计算结果表明,稀土原子靠近Ｇｅ原子的模型比靠近Ｓｂ原子的模型更为稳定,热导率也较低。Ｉｒ４ＮｄＧｅ３Ｓｂ９的共价键比Ｉｒ４ＳｍＧｅ３Ｓｂ９弱,Ｉｒ     

1.55μmSi_(1-x)Ge_x光波导与Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱探测器集成的优化设计

对１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱（ＭＱＷ）红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为：１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５，脊宽、高和腐蚀深度分别为８、３和２．６μｍ；２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱红外探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５，探测器由厚度为５５０ｎｍ、２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５＋１７ｎｍＳｉ组成，长度约２ｍｍ。结果表明，这种结构器件的内量子效率可达８８％。     

Ga2Se3／ZnSe异质结分子束外延生长过程中ZnGa2Se4外延层的形成

首次在（１００）ＧａＡｓ衬底上成功地生长出ＺｎＧａ２Ｓｅ４外延薄膜。用分子束外延技术在１００ＧａＡｓ衬底上制备Ｇａ２Ｓｅ３／ＺｎＳｅ异质结时，用５４０℃以上的温度生长出ＺｎＧａ２Ｓｅ外延层。     

连续氢化法电感耦合等离子体发射光谱同时测定生物样品…

本文叙述用氢化法电感耦合等离子体发射光谱同时测定生物样品中痕量硒，砷，锡，锑的方法。比较了浓度为２．８８ｍｏｌ／Ｌ，４．８ｍｏｌ／Ｌ和６．０ｍｏｌ／Ｌ的ＨＣｌ对Ｓｅ，Ａｓ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｈｇ和Ｇｅ谱线强度的影响，也比较了ＮａＢＨ４溶液中ＶＣ对测定Ｓｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓｎ，Ｈｇ和Ｇｅ的影响。在４．８ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ浓度下，在１％ＮａＢＨ４溶液中加０．５％ＶＣ，ＨＹ－ＩＣＰ－ＡＥＳ的检出限是：Ｓｅ ０．     

类镓等电子序列PdⅩⅥ—TeⅩⅫ的4s^24p—4s4p^2,4s^24p—…

对类镓等电子序列ＧａⅠ－ＸｅⅩⅪⅤ离子４ｓ＾２４ｐ，４ｓ４ｐ＾２，４ｓ＾２５ｓ组态能级结构和组态相互作用进行了理论分析，找出沿等电子序列的变化规律。用我们提出的拟合公式预测ＳｎⅩⅩ－ＴｅⅩⅫ离子４ｓ＾２４ｐ，４ｓ４ｐ＾２，４ｓ＾２５ｓ组态能级，并给出４ｓ＾２４ｐ－４ｓ４ｐ＾２，４ｓ＾２４ｐ－４ｓ＾２５ｓ谱线波长和ＨＸＲ方法的理论计算振子强度，理论计算值与实验值进行了比较。     

Te—Se—I玻璃及添加As和Ge元素的结构,性能与量子化学计算研究

用自洽场离散变分Ｘα（ＳＣＦ－Ｘα－ＤＶ）量子化学计算方法研究了Ｔｅ－Ｓｅ－Ｉ玻璃及添加Ａｓ和Ｇｅ元素的体系，讨论了结构、性能与化学键之间的关系。计算表明离子键和共价键强度的次序都是Ｇｅ－Ｓｅ〉Ａｓ－Ｓｅ〉Ｔｅ－Ｓｅ，与相应的玻璃转变温度的实验结果一致。含有一配位碘原子的Ｔｅ－Ｉ键比含有二配位碘原子的Ｔｅ－Ｉ键强。Ａｓ－Ａｓ和Ａｓ－Ｉ键比两类Ｔｅ－Ｉ键都强。较强的Ａｓ－Ａｓ和Ａｓ－Ｉ键取代较弱的Ｔ     

蓝色显示材料及器件的研究

用Ｈ２和ＣＳ２还原法制备Ｃｅ：ＳｒＳ发光材料，分析了两种方法对材料的结构及发光特性的影响，得到了最高亮度为９５０ｃｄ／ｍ＾２（１０００Ｈｚ）的Ｃｅ：ＳｒＳ薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件；用高温固相法得到Ｃｅ：ＳｒＧａ２Ｓ４荧光粉，用射频溅射沉积的Ｃｅ：ＳｒＧａ２Ｓ４薄膜在６００℃以上、Ｈ２Ｓ气氛下快速热处理可以改善薄膜结晶性能，提高杂质激发峰强度，得到好的光致发光（ＰＬ）发光性能，以陶瓷片作为基片同     

NH4Cl作助熔剂合成CaS：Ce的光谱特性及其浓度效应

以ＮＨ４Ｃｌ作助溶剂，碳还原硫酸钙的方法合成了ＣａＳ：Ｃｅ。在紫外光激发下，ＣａＳ：Ｃｅ中存在着Ｃｅ＾３＋的＾２Ｄ－＾２Ｆ５／２（５００ｎｍ）和＾２Ｄ－＾２Ｆ７／２（５５０ｎｍ）跃迁发射，但在蓝色光激发下，只有波峰为５３２ｎｍ半宽度为９２ｎｍ的宽带发射。当Ｃｅ＾３＋的浓度为０．０７５ｍｏｌ％时，＾２Ｄ－＾２Ｆ５／２跃迁发射强度与＾２Ｄ－＾２Ｆ７／２跃迁发射强度相等，而５３２ｎｍ发射猝灭。     

Ge：SiO2的光敏缺陷的研究

研究了Ｇｅ；ＳｉＯ２光敏缺陷的特性，分别在４８８ｎｍＡｒ离子激光与１９３ｎｍＡｒ准分子激光作用下，由紫外吸收带，激光荧光的测量实验及电子自旋共振实验，发现光纤中５．１ｅＶ锗缺陷吸收带实验上是由５．０６ｅＶ可光致漂白带与５．１７ｅＶ不可漂白带组成；２９５ｎｍ的激发荧光与５．０６ｅＶ的缺氧锗缺陷对应，随５．０６ｅＶ缺陷吸收带的漂白而衰减；     

硫氰酸铵树脂相分光光度法同时测定天然水中微量铁和钴

研究了在Ｔｗｅｅｎ－８０存在的酸性介质中，Ｆｅ（Ⅲ）和Ｃｏ（Ⅱ）与ＳＣＮ＾－形成稳定的有色络阴离子与阴树脂交换吸附，有色络合物富集显色于树脂组上，进行树脂组分光光度集显色于树脂相上，进行树脂相分光光度法同时测定铁和钴的实验条件，Ｆｅ（Ⅲ）和Ｃｏ（Ⅱ）树脂具有色络合物最大吸收波长λｍａｘ分别为４９０ｎｍ和６３０ｎｍ，摩尔吸光系数，ε为２．４×１０＾５Ｌ．ｍｏｌ＾－１．ｃｍ＾－１和２．１×１０＾５Ｌ．     

非晶态半导体／金属薄膜的分形晶化

本文综述非晶态半导体／金属薄膜退火过程中金属诱导非晶态半导体晶化的研究，综述对若干非晶态半导体与金属组成的薄膜（Ｇｅ－Ａｕ、Ｇｅ－Ａｇ、Ｇｅ－Ａｌ、Ｇｅ－Ｓｅ、Ｇｅ－ｐｄ、Ｓｉ－Ａｇ、Ｓｉ－Ａｌ、Ｓｉ－ｐｄ、Ｓｉ－Ｃｕ、ｓｉｃ－Ａｌ、Ｓｉ＿３Ｎ＿４－Ａ１）晶化后形成的图形进行的分形研究，内容包括分形形成的实验规律、根据微结构电镜观测结果提出的随机逐次成核模型、以及对分形晶化进行的计算机模拟。     

氢吸附对掺杂SnO2薄膜电子结构的影响

应用ＸＰＳ技术研究了掺杂ＳｎＯ２薄膜吸附Ｈ２前后电子结构的变化，观测到掺杂到Ｓｂ和Ｐｄ化学状态明显改变，发现掺杂剂Ｓｂ对ＳｎＯ２薄膜Ｆｅｍｉ能级的影响；同时，分析了掺杂Ｓｂ和Ｐｄ对ＳｎＯ２薄膜气敏特性的影响机制。     

聚乙二醇-钍试剂-硫酸钠体系中非有机溶剂萃取光度法测定铁

本文研究了铁（Ⅲ）－ＰＥＧ（聚乙二醇－２０００）－钍试剂－Ｎａ２ＳＯ４体系的析相光度法并应用于测定Ｆｅ（Ⅲ），最适酸度为４．６（ＮａＡｃ－ＨＡｃ）缓冲溶液，其络合物的最大吸收位于５６６ｎｍ，表观摩尔吸光系数为８．０６×１０３Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１。Ｆｅ（Ⅲ）浓度在０—３０μｇ·ｍＬ－１范围内服从比耳定律，该方法用于发样中铁的测定，获得了满意结果