Vishay发布18款FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器

Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出18款采用TO-252AA(D-PAK)功率塑料SMD封装、正向电流为4～15 A的200 V和600 V的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器。这些器件兼具极快的恢复时间、低正向压降和反向电荷,其中包括业界首个采用此种封装且正向电流大于10A的600V整流器。其发布的200 V整流器具有4 A、8 A和10 A的正向电流,600 V器件具有5 A、6 A、8 A、12 A和15 A正向电流。12 A电流的VS-12EWH06FNx-M3和15A电流的VS-15A WL06FNx-M3、VS-15EWL06FNx-M3、VS-15EWH06FNx-M3和VS-15EWX06FNx-M3在此类采用TO-252AA封装的器件当中具有最高的正向电流。4～6 A器件适用于照明应用(镇流器)中的缓冲二极管,8～15 A适用于电信和桌面电源中的PFC升压和输出二极管。由于具有高功率密度,Vishay的这些新款整流器可以取代这些应用中更大的SMD器件,例如采用TO-263AB(D2PAK)封装的整流器。     

VT1080/2080/3080S/VT1080/VT2080/3080C:肖特基整流器

Vishay推出6款单芯片和双芯片80V TMBSTrenchMOS势垒肖特基整流器.这些整流器采用4种功率封装,具有10A～30A的电流额定范围. 该件包括单芯片的V(B,F,I)T1080S、V(B,F,I)T2080S、和V(B,F,I)T3080S,以及双芯片的V(B,F,I)T1080C、V(B,F,I)T2080C和V(B,F,I)T3080C.每款器件均提供功率TO-220AB、ITO-220AB、TO-262AA和TO-263AB封装.     

Vishay推出用于通信电源的170VTMBS~整流器

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出9款采用功率TO-220AB、TO-263AB和TO-3PW封装的170V器件,丰富和扩大了TMBS誖Trench MOS势垒肖特基整流器系列。这些器件定位于通信电源应用,电流等级从10A至80A,在30A下的典型正向压降为0.65V。     

Vishay推出用于通信电源的170VTMBS 整流器

日前,VishayIntertechnology,Inc．宣布,推出9款采用功率TO-220AB、TO-263AB和TO-3PW封装的170V器件,丰富和扩大了TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器系列。这些器件定位于通信电源应用,电流等级从10A至80A,在30A下的典型正向压降为0．65V。     

硅谷之声

Vishay推出SUR功率MOSFETVishayIntertechnology子公司Siliconix宣布推出采用反向导引TO-252DPAK封装的新型TrenchFET功率MOSFET系列产品。新系列包括20伏SUR70N02-04P、30伏SUR50N03-06P、SUR50N03-09P、SUR50N03-12P以及接通电阻值范围为4mΩ至16mΩ的SUR50N03-16P,可用于DC-DC转换器的同步及控制FET。凭借反向成型的引线,采取“SUR”封装的TrenchFET能使该产品反向安装于PCB上,即将散热器安装于顶部以产生更好的散热效果。由于功率应用产生的热量能散发到空气中而非PCB上,与采用传统引线的DPAK功率MOSF…     

Vishay推出用于通信电源的170V TMBS@整流器

VishayIntertechnology，Inc．宣布，推出9款采用功率TO—220AB、TO-263AB和TO-3PW封装的170V器件，丰富和扩大了TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器系列。这些器件定位于通信电源应用，电流等级从10～80A，在30A下的典型正向压降为0．65V。     

东芝扩大650V碳化硅肖特基势垒二极管产品阵容

正东芝公司旗下的半导体存储产品公司日前宣布,该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650 V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。SBD适合各种应用,包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外,它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件,能够将效率提升50%(东芝调     

电子制造

Avo 公司TO-Can 封装能力 Avo　Photonics公司开始提供TO-Can封装方面的设计、开发和制造服务,包括To-38组件。Avo 也提供另外的TO型号,包括TO-3、TO-46 和 TO-56。该公司支持 TO-Can 以及其他封装要求的全部设计和制造,可服务于所有市场应用,包括电信、军事/航空以及医疗/工业。另外,Avo还可以帮助将设计从复杂封装(如butterfly)转换为TO-can设计。该公司可附带提供初始阶段的技术咨询及建议,它通过完整的一组建模工具来支持其设计能力,包括RF、光学、热学和机械分析,确保产品为快速样机验证和小批量制造做好准备,并且能提供转向大批量制造的能力,而不需对设计进行重新修整或验证。除了TO-can外,Avo还可以为定制与标准封装设计提供全套支持。支持这些封装的制造工艺包括:激光焊接、芯片焊接、倒焊晶片、细丝压焊、接缝密封以及光纤连接等。该公司还可提供故障分析及供应链管理。Master　Bond耐高温树脂 Master　Bond公司推出一种高性能、可在室温下固化的双 组元树脂胶/密封剂,称为EP34AN。 这种化合物的导热率为22-24　BTU...     

IR公司最新600V基准系列HEXFET问世

国际整流器公司(简称IR)推出全新的基准(Benchmark)系列600V HEXFET功率MOSFET,创下业内最低R_((DS)(on))值的新纪录。新产品的R_((DS)(on)值仅为现有标准TO-220及TO-247封装产品的十分之一,比相同封装的同类产品低50％。 基准系列将崭新的硅技术与IR公司的高性能封装技术结合起来,在产品尺寸及散热性能方面均有新的突破。     

碳化硅肖特基二极管，帮助降低电源转换系统成本

第三代thinQ!SiC肖特基二极管具有极低的器件电容,可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率,从而帮助降低电源转换系统成本。该二极管系列提供多种封装形式,不仅包括TO-220封装（真正的双管脚版本）产品,还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。目前,第三代thinQ!SiC肖特基二极管提供采用TO-220和DPAK封装的600V（3A、4A、5A、6A、8A、9A、10A和12A）产品和采用TO-220封装的1200V产品（2A、5A、8A、10A和15A）。     

信息园

IR最新 30 V MOSFET降低导通电阻达 50 %全球功率半导体及管理方案厂商国际整流器公司 ( International Rectifier,简称 IR) ,推出全新的30 V IRL 371 3系列 HEXFET功率 MOSFET,提供D2 Pak、TO- 2 62及 TO- 2 2 0等封装选择。采用D2 Pak封装的 IRL 371 3S元件 ,最大 RDS( on)值仅为 3m Ohm。相较于上一代面积相同的元件 ,导通电阻低出一半 ,却可在离散式 DC- DC转换器中展现高出 1 .5 %的效率。IRL371 3系列元件经过特别优化 ,适用于 48V输入离散式 DC- DC转换器的次级侧同步整流器( second- side synchronous recti…     

德州仪器面向大电流电机控制及电源设计推出40 V至100 V NexFET~(TM) MOSFET

正正德州仪器(TI)宣布推出14款采用TO-220及SON封装的功率MOSFET,其支持40 V至100 V输入电压,进一步壮大了TI普及型NexFET产品阵营。高效率NexFET包括40 V、60 V、80 V以及100 V N通道器件,可为广泛大电流电机控制及电源应用提供优异的散热性能。最低导通电阻     

降压器EZ5Z3L系列及其应用

近年来,越来越多的数字系统需要3.3V或3.0V直流电源。这是由于降低电压可增加元器件的安装密度及有效地降低功耗。因为功耗与电源电压的平方成比例(P=CV~2/2)。 SEMTECH公司开发的一种新颖降压器EZ5Z3L系列。它很方便地将5V电压降成3.3V或3.0V;另外,还有一种可调的降压器,它可以根据要求调整输出电压。 EZ5Z3L降压器的特点是,对3.3V或3.0V输出的降压器,无需外围元件;对可调输出的降压器也仅需外接两个电阻;输出电流可达250mA;不产生电磁干扰或尖脉冲干扰;有TO-92、TO-220封装,也有贴片式SOT—223封装。     

Vishay推出高功率密度、高系统效率的新款FRED Pt整流器

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出27个采用小尺寸、低高度SMPC(TO-277A)eSMP系列封装的新型4 A~10 A FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢复整流器。这些通过AEC-Q101认证的整流器具有极快和软恢复特性,以及低泄漏电流和低正向压降,可减少汽车和电信应用里的开关损耗和过耗散。这款Vishay Semiconductors FRED Pt整流器的反向电压为100V、200V     

Vishay发布用于商业应用的低外形SMPD封装的新款TMBS~整流器

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出16个新款45 V、50 V、60 V、100 V和120 V器件,扩充其TMBS~Trench MOS势垒肖特基整流器产品。器件具有10~60 A的电流等级和极低的正向压降,针对商业应用。这些器件采用低外形SMPD封装,封装的占位与D2PAK(TO-263)一致,且典型高度更薄,只有1.7 mm。今天推出的Vishay General Semiconductor双片整流器在15 A下的正向压降只有0.4 V,在高频DC/DC转换器、开关电源、     

飞兆半导体推出30V汽车应用MOSFET

飞兆半导体公司日前推出四款30V、N沟道PowerTrench B MOSFET，在小尺寸封装中提供高效率和耐用性、能满足当今最具挑战性和讲究空间应用的汽车应用要求。     

Vishay新款TMBS~整流器减少功率损耗并提高效率

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出12款电流等级从6～20 A的新型45 V、60 V和100 V器件,扩大其TMBS~ Trench MOS势垒肖特基整流器。器件适合商业应用,具有极低的正向压降,采用表面贴装TO-252(DPAK)封装。今天发布的整流器在3 A下的正向电压降只有0.34 V,包括9款双芯片和3款单芯片整流器,在低压高频DC/DC转换     

超小型功率半导体器件的封装

Microsemi公司(位于美国加州的Santa Ana)介绍了一种当前市场上出现的尺寸最小,功率密度最高的功率晶体管封装。它有三个引出端,是该公司用于表面安装的Powermite封装中的一种型号。它将主要用于移动电话,膝上型电脑,和其它便携式电子产品;它将取代用于封装半导体功率器件的D-Pak和TO-220等外形高度比较高的封装。据该公司宣称,此种封装是一种芯片规模封装CSP型式的变型品种。     

500V N沟道功率MOSFET

SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C—E3和SiHBi2N50C—E3是三款500V、12A的N沟道功率MOSFET,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

Vishay推出用于通信电源的170VTMBS整流器

10月11日,VishayIntertechnology,Inc．宣布推出9款采用功率TO-220AB、TO-263AB和TO-3PW钓装的170V器件,丰富和扩大了TMBSTrenchMOS势垒肖特基整流器系列。这些器件定位于通信电源应用,电流等级从10-80A,在30A下的典型正向压降为0．65V。