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介绍了用表面光电压(SPV)法测试少数载流子的扩散长度、少子寿命和体Fe含量的基本原理及其计算方法,分析了三种常见外延结构中少子扩散长度的测试方法及其影响因素,得出了用于表面光电压测试的外延片及衬底片应满足的条件。提出了在外延工艺前后,用SPV法测试同一p型控片中少子的扩散长度和体Fe含量,对比前后值的大小来监测Si外延工艺过程中的沾污情况。分别给出了衬底片、石墨基座、HCl、SiHCl3、外延腔体等5种Si外延过程中最常见沾污源的监控和识别流程,特别以平板式外延腔体为例,具体说明了识别及排除Fe沾污所运行的工艺程序,并对Fe沾污的测试结果进行了分析,确定了Fe沾污的来源。 相似文献
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用液结光伏谱方法首次在PN4350光伏谱仪上对用国产MOCVD设备生长的九个p-GaAs/n-GaAs外延样品p型外延层的少于扩散长度Ln和掺杂浓度NA的关系作了测量和分析.结果表明,Ln-NA关系对反应管的清洁度非常敏感.如果反应管经严格清洗,并仅生长GaAs材料,那么Ln-NA关系同前人报道的无沾污生长的样品基本一致;否则Ln值就明显偏小.用本方法测定GaAs外延层的Ln值具有简便、准确的优点,可作为检测GaAs外延层质量的重要手段. 相似文献
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GaAs,AlxGa1—xAs外延层少子扩散长度及霍耳迁移率的无接触测试 总被引:1,自引:0,他引:1
用微波介质波导法无接触测试了生长在半绝缘衬底上的GaAs、AlxGa1-xAs外延层的微波光是导谱和横向磁阻,给出了从微波光电导谱计算了少子扩散长度和从横向磁阻计算霍耳迁移率的方法,并且由此算得外延层的少子扩散长度和霍耳迁移度,本方法对波测样品的几何形状和尺寸无特殊要求,测试区域小于5×5mm^2,具有无损伤,不污染的优点,并配有微机控制,测试迅速方便。 相似文献
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本文评述了分子束外延在以 ZnSe 为代表的宽带半导体材料及其超晶格结构研究中的最新进展。介绍了在晶格匹配和不匹配的衬底上分子束外延生长 ZnSe等Ⅱ-Ⅵ族宽带半导体和有关的材料分析。叙述了在 ZnTe,Zn(S、Se)以及磁性半导体 MnSe 和低磁性半导体 Zn_(1-x)Mn_xSe 上生长 ZnSe 所形成的超晶格和多量子阱结构,并在此基础上说明了一些相关的物理现象。 相似文献
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用差分SPV法测量a-Si:H材料的少子扩散长度,可以消除被测样品背面结的影响.本文讨论了这种测量方法的数学模型,导出了测量公式,分析了影响测量结果的各种因素. 相似文献
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文中用莫尔条纹法测出了射流冲击场的气流密度分布。实验表明,莫尔偏折图的条纹愈清晰,该段流场的燃烧愈充分,分析了马赫盘左右条纹清晰度差的原因并给出了几个有重要意义的结论。 相似文献
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本文采用混合方法[1]对半球涂覆吸波材料的完纯导电球体目标的RCS特性进行了数值分析及计算。比较了不同曲率半径的球体目标,在不同厚度的半球涂层条件下的散射特性。定性地分析了波在涂层内的传播特征。所得结论,对涂覆材料的工程应用有一定帮助。 相似文献
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本文定义了描述网络图回路与节点关联状况的矩阵D,定义了回路岔集和回路岔集矩阵。提出并证明了回路节点矩阵与节点矩阵的乘积等于回路岔集矩阵的定理。定义了回路岔集导纳矩阵,假设回路岔集电压矢量作为中间计算量,导出了回路岔集方程,并提出了对电网络的回路岔集分析法。 相似文献
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本文应用网络图论提出了圈-离集混合基矩阵的概念、混合基中基尔霍夫定律的矩阵表示和一般线性网络的混合基方程,进而建立了一般线性网络的圈电流-离集电压混合分析法。这个方法把文献[4]关于无源和无互感网络的混合分析法推广到包括有源和有互感网络在内的一般的线性时不变集总参数网络的情况。 相似文献
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本文简要报导了碲镉汞(MCT)光导探测器表面钝化层的研究及结果,介绍了阳极氧化膜的制备,氧化膜的化学组成及氧化膜的物理化学性质。阐述了阳极氧化膜的退火处理。经过退火处理,提高了氧化膜的绝缘性能。 相似文献
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基于区域分裂法(DDM)结合频域有限差分(FDFD)和波导模式展开求解矩形波导不连续性问题,在矩形波导的规则部分用解析的方法把电磁场用波导模式展开,不规则部分用FDFD方法建立关于各离散点电磁场值的方程,各个相邻的子区域间用Depres传输条件连接,通过迭代得到整个区域的解,计算了几个波导不连续性问题的散射参数,结果和其它方法结果吻合较好,证明了该算法的正确性。 相似文献
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本文用复象散波理论分析了波动海面的电磁特性,把分析结果与实验数据进行了比较,并研究了入射角度、极化方式和工作波长等因素对海洋表面电磁特性的影响。 相似文献