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测量了 1 5~ 3 0 0K温度范围内 57 5%Al1 5O 3 5%CaO 7 5%BaO玻璃中四价铬的发射光谱。这种材料中铬离子的能级处于Tanabe Sugano图上弱场范围中 ,最低的激发态是3 T2 ,发射谱是一个宽带。按照单频近似理论拟合低温下的光谱 ,得到3 T2 能级的零声子线位置Ezp=84 0 0cm-1,声子能量 ω =3 2 0cm-1,黄昆因子S =3 58。尽管单频近似能够较好地描述低温下的线形 ,发射光谱宽度随温度的变化却与单频近似理论的结果不符。讨论了这种差别的原因 ,认为可能的解释是与激发态耦合的声子能量大于与基态耦合的声子能量。 相似文献
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研究了四价铬离子掺杂的MgCaBa-铝酸盐玻璃在近红外区的发射光谱,既有源于1E—3A2跃迁,位于1.18μm处的窄带,又有源于3T2—3A2范围在1.1~1.4 μm内的宽带,利用ASE(Amplified Spontaneous Emission)方法研究了其增益特性,测量了在 632.8nm激发下不同激发长度下的发射光谱,得到其光学增益系数在1.18μm和1.24 μm处分别为BE=(0.7±0.04)mm-1和BT=(0.05±0.005)mm-1,并根据这种材料的光谱性质,对其作为近红外可调谐激光介质的可能作出评估。 相似文献
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全面计入电-声子耦合导致的热移位(其中包括~2T_1贡献的单声子项,Raman项,光学支项)与热膨胀导致的热移位,对MgO:Cr~(3+)与MgO:V~(1+)的R线热移位作了理论计算,结果与热移位、热膨胀系数,高压移位、声子谱与光谱、晶体密度、弹性常数与晶格常数等大量实验数据符合得很好.进而,将完全的d~3能量矩阵对角化,得到能谱与波函数,再通过电-声子相互作用矩阵元等一系列计算,从微观上算出单声子项的参量,结果与拟合实验得到的值符合得很好.结果表明:单声子项起主导作用(导致红移),而Raman项(导致
关键词: 相似文献
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研究了Cr3+,Yb3+,Er3+共掺磷酸盐铒玻 璃转镜调Q激光性质.三种Er2O3掺杂浓度的激光实验结果表明,在Er2O3名义掺杂浓 度为0.5wt%时,玻璃的综合激 光性质最好,重复频率为0.1Hz时,它的激光阈值功率为14.5mJ,最大输出能量为9.6mJ ,斜率效率为0.55%.在同种实验条件下,比较了Cr14和Kigre公司生产的QE-7S激光性质参数,实验表明,前者激光阈值功率稍低,而后者的斜率效率和最大输出功率略高.
关键词:
3+-Yb3+-Er3+共掺')" href="#">Cr3+-Yb3+-Er3+共掺
磷酸 盐玻璃
光谱性质
激光性质 相似文献
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采用传统无压烧结工艺制备Cr:Al2O3透明多晶陶瓷.测定了其退火前后的吸收光谱和荧光光谱,发现在Al2O3六配位的八面体结构中,Cr4+的荧光发射也处在1100—1600nm波段的红外区间,荧光发射峰位于1223nm附近,类似Cr4+在四面体中的发光行为.同时由于氧化铝晶格常数较小,晶体场强较强,使Cr4+:Al2O3<
关键词:
4+')" href="#">Cr4+
2O3透明陶瓷')" href="#">Cr:Al2O3透明陶瓷
光谱性质
八面体 相似文献
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在此报告钙铝锗石榴石Ca3Al2Ge3O12中Cr3+离子的光谱特性,依据不同浓度的样品在不同温度下发射光谱的实验结果,分析了不等价Cr3+发光中心零声子线R1,R2的位置变化情况。通过对Cr3+吸收和发射光谱的分析,估算了Cr3+所处格位的晶场强度参数Dq和Racah参数,同时,对低温下Cr3+R线边带振动光谱的精细结构的起因进行了分析和指认。在室温和低温下测得Cr3+的4T2→4A2和2E→4A2能级跃迁的荧光衰减为单指数规律。 相似文献
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采用高温熔融法和热处理制备了Cr4+掺杂Li1.14Zn1.43SiO4微晶玻璃, 探讨了不同热处理温度下样品的物相、微观形貌及发光性能. 结果表明: 580℃热处理2h得到的微晶玻璃, Li1.14Zn1.43SiO4微晶的粒径约为5nm, 在808nm的二极管激发下, 可观察到中心波长位于1226nm, 半高宽为230nm的近红外宽带发射峰, 荧光寿命约为200.73±1.71μs. 随着热处理温度的升高, Cr4+离子所处的晶体场环境发生了变化, 且可以观察到样品吸收光谱发生微弱的蓝移, 而荧光光谱发生少量的红移, 分析了晶体场环境变化对样品发光性能的影响.
关键词:
铬离子
微晶玻璃
超宽带发光
晶体场 相似文献
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研究了四价铬离子掺杂的MgCaBa 铝酸盐玻璃在近红外区的发射光谱 ,既有源于1E—3 A2 跃迁 ,位于1 1 8μm处的窄带 ,又有源于3 T2 —3 A2 范围在 1 1~ 1 4 μm内的宽带 ,利用ASE(AmplifiedSpontaneousEmis sion)方法研究了其增益特性 ,测量了在 63 2 8nm激发下不同激发长度下的发射光谱 ,得到其光学增益系数在1 1 8μm和 1 2 4 μm处分别为BE=( 0 7± 0 0 4 )mm-1和BT=( 0 0 5± 0 0 0 5)mm-1,并根据这种材料的光谱性质 ,对其作为近红外可调谐激光介质的可能作出评估。 相似文献
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测量了Cr^4+,YAG、Cr^4+,Mg2SiO4晶体在室温和液氮温度下的荧光光谱,吸收光谱和激发态寿命,讨论了温度变化时,两种晶体中Cr^4+近红外辐射积分强度变化与激光发态寿命变化的关系,得出结论:在77K ̄300K范围内,Cr^4+的^3T2能级荧光辐射截面本身受温度影响不大,Cr^4+辐射荧光的变化,主要是由无辐射弛豫速率随温度变化而引起的。 相似文献
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测量了非选择激发下YVO4:Eu3+纳米微粒中Eu3+的5D0→7F2发射光谱随温度的变化.低温下的光谱是很多谱线叠加在一起形成的宽带;而室温下主要是与体材料相似的两条分离谱线.根据选择激发下YVO4:Eu3+的发射光谱研究得到的结论,把发射光谱分解为两部分之和,一部分来自占据靠近纳米微粒中心的格位的Eu3+离子发射谱线具有与体材料相近峰值;另一部分来自占据靠近表面位置的Eu离子,发射分布在更大的光谱范围内.这两部分发光的相对强度随温度变化的分析表明,YVO4:Eu3+纳米微粒发射光谱随温度的变化是由于靠近表面的Eu通过表面猝灭中心猝灭而引起的. 相似文献
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采用传统无压烧结工艺制备Cr:Al2O3透明多晶陶瓷.测定了其退火前后的吸收光谱和荧光光谱,发现在Al2O3六配位的八面体结构中,Cr4+的荧光发射也处在1100-1600 nm波段的红外区间,荧光发射峰位于1223 nm附近,类似Cr4+在四面体中的发光行为.同时由于氧化铝晶格常数较小,晶体场强较强,使Cr4+:Al2O3荧光发射峰相对其他Cr4+掺杂的晶体发生蓝移.由于Cr4+:Al2O3中Cr4+是位于八面体配位结构中,其荧光发射峰较窄,半高宽Δλ仅为37 nm. 相似文献
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报道了腔长为 1.1mm的激光二极管端面抽运的Cr4 +∶Nd3 +∶YAG自调Q微片激光器 ,连续抽运下获得了平均功率为 5~ 18mW、重复频率为 1~ 10kHz的稳定的调Q激光脉冲输出序列。并且对微片激光器的调Q输出激光的单脉冲特性参量、重复频率以及抽运阈值功率等进行了理论研究 ,计算结果和实验结果比较吻合。 相似文献