真空蒸发制备ZnTe纳米薄膜

利用真空蒸发的方法制备ZnTe纳米薄膜,用X射线衍射仪、紫外可见分光光度计对薄膜的物相结构、光学特性进行了测试,用冷热探针、薄膜测厚仪、四探针电阻率测试仪对薄膜导电类型、厚度、折射率和电阻进行了测试。结果表明,当原子配比Zn∶Te=1∶0.7,热处理温度T=500℃时,可制备较理想的ZnTe多晶薄膜,薄膜的择优取向沿(111)晶向,光透射增加,薄膜的光学带隙为2.341eV.薄膜的导电类型为P型。折射率随波长的增加而减小。     

功率对直流磁控溅射氧化钒薄膜电学性能的影响

采用直流磁控溅射方法在长有300 nm厚的Si₃N₄薄膜的Si(100)晶圆上制备了氧化钒薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和探针法分析了不同功率对薄膜结晶结构、成分、表面形貌和电学性能的影响。结果表明：不同功率沉积的氧化钒薄膜均为非晶结构,薄膜主要成分为VO₂和V₂O₅;随着功率的提高,薄膜的平均粗糙度降低,V₂O₅的含量升高,进而导致电阻温度系数绝对值也随之增大。     

YBa2Cu3O7-x薄膜的制备与半导体性能的研究

采用高温固相反应制备φ60mmYBa2Cu3O7-x－（YBCO）靶材;通过直流磁控溅射后退火制备具有不同过滤层（SiO2/Si,ZrO2/SiO2/Si)的薄膜,对于Si为衬底的YBa2Cu3O7-x薄膜,当x＞0．5时,薄膜的导电性由超导态转向半导体状态,进行了X射每衍射（XRD）分析,电阻温度系数（TRC）和Hall系数测试,并进行Raman散射的微观分析实验,认为半导体薄膜可用作室温工作的红外测辐射热计（Bolometer)灵敏元。     

Nb2O5薄膜的制备及性能研究

以NbCl5作为前驱物,用微波催化的溶胶-凝胶法制备了Nb2O5薄膜,并在不同温度下进行热处理。经透过率测试及用X射线衍射分析仪和原子力显微镜对薄膜的相结构和表面形貌进行测试分析,测试结果表明：制得的薄膜主晶相为假六方Nb2O5晶相（TT-Nb2O5晶相）。薄膜厚度具有良好的透光率、良好的空架结构。     

氧化钒薄膜制备方法专利技术分析

氧化钒由于其独特的光电性能在红外探测器、光电调节器、智能窗、光存储及传感器等应用领域备受关注。对制备氧化钒薄膜采用的专利技术进行了梳理,对日后氧化钒薄膜的制备及性能优化具有很好的指导意义。     

Li~+离子嵌入V_2O_5干凝胶薄膜的XPS研究

V2 O5薄膜是最具有实用价值的全固态“灵巧窗”器件中候选锂离子储存材料之一。本研究采用熔融淬冷法成功制备了V2 O5溶胶 ,利用提拉法在ITO玻璃片上制备了表面均匀和无裂纹的V2 O5干凝胶薄膜 ,并采用电化学方法将Li+ 离子嵌入到V2 O5干凝胶薄膜中。本文着重采用X射线光电子能谱 (XPS)分析了Li+ 离子嵌入V2 O5干凝胶薄膜前后的化学组成及钒、氧、锂离子的化学状态     

二氧化钒薄膜制备方法研究进展

VO_2是一种受人关注的功能材料,在68℃附近发生从高温金属相到低温半导体相的突变,且相变可逆。由于相变前后其电、磁、光性能有较大的变化,使得它在智能玻璃、存储介质和非制冷红外成像等方面有着广泛的应用。由于制备高纯度VO_2薄膜较为困难,因此人们对VO_2薄膜的制备进行了大量的研究工作。文章综述了VO_2薄膜的各种物理制备方法与化学制备方法以及他们的最新研究进展,根据对不同制备方法优缺点的分析及探讨,对二氧化钒薄膜制备方法的研究方向进行了展望。     

气相催化氧化法烟酸的绿色合成研究

以3-甲基吡啶为原料,用V2O5／TiO2系催化剂,采用气相氧化法一步合成烟酸。水与3-甲基吡啶分开进料,通入催化剂床层后混合进行反应。实验考察了V2O5／TiO2用量、助剂、反应温度、进水量及空速等因素对催化剂活性的影响。当V2O5负载量为25％,反应温度320～340℃,3-甲基吡啶空速0．15～O8h^-1,空气、水、3-甲基吡啶的进料摩尔比为110：100：1时,烟酸的产率达到90％以上。     

溶胶-凝胶法制备锰酸锂薄膜及影响因素

全固态薄膜锂离子电池在未来微电子器件中具有广泛的应用前景，但该微电池在制备工艺方面还需进一步优化。溶胶-凝胶法制备无机薄膜材料具有其它方法无法比拟的许多优点成为目前研究的热点。简单介绍了溶胶-凝胶法制备薄膜的基本过程和特点，重点评述了该方法制备LiMn2O4薄膜的各种影响因素。     

石煤灰渣酸浸提钒工艺中钒的浸出动力学

采用液-固多相反应的缩芯模型研究了石煤灰渣中V2O5的浸出动力学,考察了酸浸温度、硫酸浓度对V2O5浸出反应速率的影响. 结果表明,在实验温度范围内,V2O5的浸出过程为固膜扩散控制,浸出反应的表观活化能为29.96 kJ/mol. 当硫酸浓度小于6 mol/L时,浸出属化学反应控制过程;当硫酸浓度大于6 mol/L时,浸出过程为固膜扩散控制,其表观反应级数为1.199. 提高酸浸温度可提高V2O5的浸出率;在硫酸浓度小于6 mol/L时提高硫酸浓度,可提高V2O5的浸出率;而高于该值提高硫酸浓度对V2O5浸出率的提高无明显作用.     

尿素蒸发系统水抽真空的实践

在水溶液全循环尿素工艺中,蒸汽压力波动不仅影响系统的生产能力,而且会影响产品质量。采用水抽真空系统,不仅确保了产品质量,而且降低了尿素消耗。     

降膜式蒸发设备真空装置的合理配置

以ＲＮＪＭ０３－ ４２００ 型三效降膜式蒸发设备为例,针对近些年来降膜式蒸发设备真空装置出现的问题,就如何合理配置真空装置予以描述。长期应用表明效果良好,其理论计算与实际应用是吻合的。     

热等离子体雾态气化制备薄膜技术

热等离子体雾态气化制备薄膜技术(mist plasma evaporation, MPE)以液态源物质溶液为先体,采用超声雾化将先体溶液雾化为细小液滴,用载气将雾化液滴输运到射频感应热等离子体中,利用热等离子体的超高温,将液滴中的源物质彻底气化和分解为其组分粒子,通过气相输运,最终在基片上沉积薄膜.MPE制备薄膜技术采用单一先体溶液,源物质来源广泛,沉积速率快,不需后续热处理.本文介绍了MPE制备薄膜技术原理及工艺,综述了近年来在制备薄膜方面的研究进展.     

真空镀TiO2薄膜的生产

采用ZDL-2051型真空镀膜机,用真空蒸发沉积方法制备环保材料TiO2薄膜,并用扫描电子显微镜(SEM)和X射线能量色散谱仪对其表面形貌及成分分别进行了观察、分析和表征.结果表明,薄膜表面均匀、致密、无裂痕.研究了TiO2薄膜的制备和生产工艺.     

电子束蒸发制备HfO2薄膜的性能研究

用电子束蒸发方法沉积HfO2薄膜,用X射线衍射和透射光谱测定HfO2薄膜的结构特征和光学性能,并测定薄膜的弱吸收和损伤阈值.结果表明:HfO2薄膜在沉积温度为350℃时,达到了较好的结晶程度.在可见光和近红外光区具有很高的透过率;HfO2薄膜的损伤阈值比较高,达到10.5 J/cm2.     

湿法磷酸在真空浓缩过程中氟的逸出和深度脱氟

介绍了湿法磷酸真空浓缩过程中氟的逸出情况以及深度脱氟试验情况，并得到相应的数学关联式，可供设计，开发时参考。     

电子束蒸发法在Al2O3衬底上制备MgB2超导薄膜

利用电子束蒸发法在Al2O3（0001）衬底上制备MgB2超导薄膜。首先在衬底上按照1：2的原子比交替蒸发Mg和B,所形成的夹层先驱膜在150Pa纯度为99．99％的脏气氛中,在630℃的温度下原位热处理30分钟。超导薄膜的起始转变温度为30．6K,零电阻温度为30．5K。     

Nd掺杂对ZnSe薄膜微结构的影响

利用真空蒸发的方法制备ZnSe多晶薄膜,并采用双源法对薄膜进行了稀土元素Nd的掺杂。对薄膜进行了XRD测试,并计算了薄膜的晶粒尺寸、晶格常数以及内应力。结果表明,当原子配比Zn∶Se=0.9∶1时可制备较理想的ZnSe多晶薄膜,稀土Nd掺杂并未改变样品的物相结构,掺杂使得薄膜的晶粒尺寸减小,晶胞体积增加,内应力和晶格常数改变。实验还发现,适度的轻掺杂Nd可增加ZnSe薄膜的光透射性。     

层层自组装法制备碳纳米管薄膜研究进展

综述了近年来通过层层自组装法制备碳纳米管薄膜的一些最新研究进展,重点介绍了通过物理吸附和化学吸附两种方式来制备碳纳米管组装膜,并对如何提高碳纳米管薄膜的电化学稳定性方面进行了论述。