金属圆帽外壳引线强度可靠性探讨

对金属圆帽外壳引线强度进行了探讨。通过引线抗拉、抗弯强度的一系列试验，得出了引线根部抗弯曲角度有一定的局限性。针对电路装配中出现的引线弯曲折断问题，研制出了引线弯曲实用模具，解决了电路装配中的难题。     

压力传感器用不锈钢外壳的研制

本文介绍了适合氩弧焊封接的不锈钢外壳研制过程，解决了不锈钢外壳小孔加工、引线镀金等关键技术问题，满足了使用要求。     

多排焊盘外壳封装IC金丝球焊键合技术

在多层多排焊盘外壳封装电路的引线键合中,由于键合的引线密度较大,键合引线间的距离较小,键合点间的距离也较小,在电路的键合中就需要对键合点的位置、质量、键合引线的弧线进行很好的控制,否则电路键合就不能满足实际使用的要求。文中就高密度多层、多排焊盘陶瓷外壳封装集成电路金丝球焊键合引线的弧线控制、外壳焊盘常规植球键合点质量问题进行了讨论,通过对键合引线弧线形式的优化以及采用"自模式"植球键合技术大大提高了电路键合的质量,键合的引线达到工艺控制和实际使用的要求。同时,外壳焊盘上键合的密度也得到了提高。     

一种20GHz0.65mm节距CQFP外壳

提出了一种应用频率达20 GHz的0.65 mm节距陶瓷四边引线扁平封装(CQFP)外壳,对高频信号的传输采用共面波导-垂直过孔-共面波导-引线的结构。对成型引线附近的阻抗不连续性进行了分析,通过信号传输引线的非等宽设计,改善了引线部位的阻抗突变,提高了信号的传输带宽。通过板级联合仿真和布线优化,将外壳应用频率提升至20 GHz。利用GSG探针对外壳样品进行测试,实测结果表明,该结构在DC～20 GHz插入损耗优于-1 dB,回波损耗不大于-15 dB。该CQFP外壳通过了机械和环境可靠性试验,可应用于高频高可靠封装领域。     

TO型陶瓷封装外壳可靠性研究

对于航空航天等高可靠领域,封装的可靠性直接决定电子产品的安全性能,提高外壳封装的可靠性对于半导体行业具有重大的意义。针对TO型陶瓷外壳,研究了封装材料、垫片尺寸和成品引线裁切等因素对外壳气密性、平面度的影响,进而提高了TO型陶瓷外壳使用的长期可靠性。研究结果表明,底盘材料采用WCu代替TU材料,钎焊后外壳底面及芯区平面度可以控制在0.05 mm以下。通过选取合适的垫片尺寸及优化引线裁切模具,可以显著地提高外壳的可靠性。     

陶瓷四边引线扁平外壳设计中的几个问题

陶瓷四边引线扁平外壳由于其具有I/O端子数多、重量轻、体积小、表贴式的特点,可 较好地满足集成电路芯片高可靠性封装要求。文章叙述了CQFP陶瓷四边引线扁平外壳设计中应注意的 一些问题。如对产品结构、内引线键合指、外引线外形、互连孔位置等关键技术工艺进行周密设计,才 能保证产品的质量。     

陶瓷外壳封装集成电路自动铝丝超声楔焊键合的工序检查

本文简要描述了陶瓷外壳封装集成电路自动铝丝楔焊键合的工序检查。检查内容包括键合引线的显微镜观察和键合引线的抗拉强度测试。     

陶瓷四边引线扁平外壳工艺研究

陶瓷四边引线扁平外壳具有体积小、重量轻、封装密度高、热电性能好、适合表面安装的特点,可广泛用于各种大规模集成电路封装,如ECL及CMOS门阵列电路等。文中叙述了CQFP陶瓷四边引线扁平外壳工艺研究中的关键工艺技术,如：金属浆料的配制工艺技术、大版精细印刷工艺技术、大腔体层压工艺技术、细引线拉力强度工艺技术等,以及今后努力的方向。     

工艺因素对金属封装外引线弯曲疲劳的影响

考察了金属封装外壳制造工艺对外引线弯曲疲劳的影响,发现电镀镍是导致外引线弯曲次数明显减少的最主要工艺步骤,且随镀镍层厚度的增加,弯曲次数减少。此外还讨论了外引线的氢含量和晶粒度对引线抗疲劳能力的影响。     

陶瓷外壳封装的高引线数(VLSI的自动铝丝楔焊键合)

一引言随着集成电路芯片设计技术和制造技术的不断进步，使集成电路的复杂程度不断增加。同时，给集成电路的引线键合工作也增加了相当大的难度。目前国内的VLSI需键合的引线数一般达68～84根（国外最多的达500根引线以上）。由于集成电路的I／O数多，常规的DIP外壳已不能满足封装应用要求，而需采用高密度陶瓷外壳，如LCC、PGA、QFP等（国外已有uPGA、BGA等）。对于用LCC、PGA、QFP这类高密度陶瓷外壳封装的VLSI的引线键合，传统的手工键合已不能满足应用的要求，而必须采用半自动或自动引线键合技术。由于陶瓷外封装集成电…     

微波高频外壳的设计与制造工艺研究

外壳对于电路而言,在起到机械支撑和环境保护作用的同时,需要将输入/输出信号和电源/地通过封装上的引线实现芯片与外部电子系统的互连。外壳设计与工艺往往影响着被封装系统的微波性能,例如50Ω阻抗的设计、外壳的谐振频率、微波传输线的状态等都是需要在外壳设计与工艺中加以重视的。同时,外壳的可靠性也直接影响到整个封装系统的可靠性,例如外壳的气密可靠性、抗盐雾能力、金属化的强度、引线的抗疲劳弯曲能力等指标决定了外壳的总体可靠性水平。文章以理论分析为基础,结合生产制造的实际情况,以微波高频外壳为例对其设计与制造中应该注意的问题进行了比较详细的阐述。     

提高陶瓷外壳封装集成电路自动铝丝楔焊键合质量的途径

一、概述集成电路引线键合是集成电路制造中重要的工艺之一，它是把中测合格的并已安装在管壳芯腔（或其它形式）上的集成电路芯片，用引线键合的方式把它的输入输出端与管壳（或其它形式）上的金属化布线—一对应的连接起来，实现集成电路芯片与封装外壳电连接的工艺技术。集成电路引线键合是实现集成电路芯片与封装外壳多种电连接中最通用，也是最简单而有效的一种方式。集成电路引线键合，使用最多的引线材料是金丝，通常采用球焊——楔焊方式键合。但在陶瓷外壳封装的集成电路中，多采用铝丝（含有少量的硅或镁）作为引线材料。因为铝丝…     

金属外壳引线键合可靠性研究

引线键合以工艺简单、成本低廉、适合多种封装形式的优势,在连接方式中占主导地位。其中把内部电路与金属外壳内引线柱之间的连接称为引线键合,目前90%以上的封装管脚采用引线键合连接。引线键合强度和可靠性不仅与键合工艺有关（比如键合工艺参数、键合设备、操作技能等因素）,而且与外壳引线的镀覆结构、镀层厚度、内引线柱高度等因素密切相关。文章简要介绍了引线键合工艺的基本原理,通过试验分析并比较了金属外壳镀覆结构、镀层厚度、内引线柱高度对键合可靠性的影响,提出了优化键合可靠性的外壳设计原则。     

CCF型片式塑封交流瓷介电容器

用多层陶瓷电容器(MLCC)制作交流瓷介电容器相对困难，我们希望用制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式交流瓷介电容器以满足市场需要。开发了将陶瓷芯片夹在上下两连体扁平引线中间并焊接，再用模塑环氧树脂封装，然后分割并切开连体引线，将切开后的扁平引线平贴在外壳表面，得到仍是用单层被银瓷片制成的片式塑封交流瓷介电容器，该产品比MLCC交流瓷介电容器的制造更容易，可靠性更高，且适用于表面贴装。     

金属外壳封接用双层玻坯的研制

以BH—G/K玻璃为基体,以添加Al2O3粉的DM—308玻璃为表层区研制出与金属外壳封接的双层玻坯。分析了Al2O3粒度及添加量对熟坯致密化和线收缩率的影响。结果表明,表层区使用添加质量分数为20%和30%0.5μm粒径Al2O3粉的DM—308玻璃可以实现熟坯的匹配收缩,用于UP2113—14外壳熔封。电镀后外壳气密性、绝缘电阻均有数量级提高,玻璃沿引线上爬高度只为BH—G/K玻璃的1/3,显著降低外壳盐雾试验后引线根部易锈蚀和引线受力后绝缘子开裂的风险。     

美日封装技术考察及思考

介绍了所考察的ＩＢＭ等公司的概况，描述了考察到的氧化铝多层陶瓷技术，带光窗光电器件外壳制造技术，引线框架制作技术，Ｃ４技术和金属热沉制作技术，并提出了作者的思考和建议。     

FP1510-02型金属外壳的研制

本文简要介绍了FP1510-02型金属外壳的结构设计，重点叙述了在低外形扁平外壳的设计制造中，为确保产品密封可靠性、内引线键合面平行度、内腔芯片安装面的平面度等技术要求的有效措施。     

电动汽车车内电磁辐射的仿真分析研究

为了研究汽车外壳表面电流产生的电磁干扰(EMI)，基于界面条件理论和趋肤效应，提出了以电动汽车供电系统电磁辐射(EMR)表面电流为例的仿真方法，随后在HFSS软件中建立电动汽车供电系统发射模型。最后，模拟分析了表面电流密度分布及其对辐射场的影响，分析结果表明，增加电动机电阻和引线电阻可以有效抑制供电系统辐射噪音，同时增加绕线电阻和电感可以加强抗干扰能力，本研究为汽车电磁兼容(EMC)的设计提供重要的参考。     

0.5mm节距数模混合陶瓷封装外壳加工工艺研究

采用多层高温共烧陶瓷工艺制作了外形尺寸为21.0mm×8.8mm×2.0mm、引线节距为0.5mm的数模混合集成电路封装外壳,研究了加工工艺对外壳性能的影响。结果表明,采用稳定生瓷片尺寸、精密制版、提高钨金属化浆料流变性、优化印刷参数设置等能够使外壳微波传输线的连续性得到改善。     

金凸点键合工艺在国产陶瓷外壳中的应用

国产陶瓷外壳已经逐渐应用于高可靠要求的各类电子元器件的封装上。在IC封装过程中, 随着封装密度的提高,因其键合指状引线的质量难以满足键合工艺要求,为使其能达到工艺控制要求, 我们开发出一些相应的封装技术,提高了产品的可靠性。金凸点键合工艺用于提高国产陶瓷外壳键合指 上的键合引线强度有非常明显的效果,是一项较新的技术。