硅太阳电池扩散方阻均匀性研究

在规模化生产制作单晶硅太阳能电池过程中,控制扩散质量是提升电池质量和效率的关键。在分析了设备及工艺方面存在的影响扩散均匀性因素的基础上,提出了优化扩散均匀性的实验方法,包括：在硅片表面上制作二氧化硅薄膜来减缓磷扩散的速度;在扩散时控制小氮与氧气的流量比例;减少扩散过程中温度波动对扩散结果的影响;在炉口区域设置较高的温度进行温度补偿;调整炉内压强使输入输出达到动态平衡等。试验证明这些方法可以改善电池电性能,并对工业化生产具有一定的参考价值。     

硅片排列方式对扩散均匀性的影响

在气相镓杂质扩散中,通过实验和生产实践表明,硅片在石英舟上不同的排列方式,对杂质扩散均匀性产生不同的影响,本文从机理上进行了分析和讨论。     

高方阻密栅电池发射结方阻的优化

主要介绍了晶体硅太阳电池光电转换效率的工艺优化,特别是对高发射结方阻方面,以及后道工序中如何使之适应高方阻工艺。在高方阻方面主要采用了深结高方阻,这主要是从工艺稳定性方面考虑。通过一系列工艺的优化及大量实验,获得了高达635 mV的开路电压,5.817 A的短路电流,均值18.67%的电池效率。     

晶体硅太阳电池扩散气氛场均匀性研究

为降低晶体硅太阳电池的制造成本,从扩散气氛场角度提出实验方法,优化扩散工艺均匀性.该研究方法可改善太阳电池电性能并对产业化生产起指导作用.     

晶体硅太阳电池扩散气氛场均匀性研究

为降低晶体硅太阳电池的制造成本,从扩散气氛场角度提出实验方法,优化扩散工艺均匀性。该研究方法可改善太阳电池电性能并对产业化生产起指导作用。     

丝印钉床设计对阻焊厚度均匀性的影响

在PCB阻焊制作过程中,使用丝印钉床实现PCB连续双面印刷液态阻焊的工艺应用十分广泛,但是由于不同PCB设计上的巨大差异,导致丝印钉床的制作较为困难。一旦钉床上的铜钉布设不合理,极易导致PCB板面油厚不均,轻则造成产品阻焊外观色差,重则造成板面阻焊显影不良或断阻焊桥,导致返工或报废。因此使用不同板厚的印制板,调整丝印钉床布钉间距,评价不同布钉间距、不同板厚下的阻焊厚度均匀性,为不同厚度PCB板的丝印钉床布钉间距设计提供指导。     

硅太阳电池扩散方阻与栅线宽度匹配的研究

研究了扩散方块电阻及印刷栅线宽度变化对太阳电池电性能的影响,根据初步实验结果提出假设,通过进一步实验进行验证。结果表明：适当地提高扩散方阻、降低栅线宽度,有利于短路电流及效率的提升。但受限于串联电阻的增大,方阻及线宽存在一个最优值,通过Matlab软件建立模型进行模拟,求出最优解。证明了扩散方阻需要与栅线宽度很好地匹配才能达到理想的效果。     

红外图像的非均匀性及其仿真

分析了红外成像系统非均匀性产生原因、特点,总结均匀性校正方法,提出非均匀性描述及仿真方法.     

n型高阻硅单晶电阻率均匀性的控制

通过不同工艺的拉晶实验,发现晶转、拉速、热对流等因素对高阻n〈111〉硅单晶径向电阻率均匀性有所影响.采用水平磁场拉晶工艺,通过提高晶转、增大拉速、减小热对流等,可有效提高硅单晶径向电阻率均匀性.     

钨化学气相淀积工艺方块电阻均匀性的研究

钨化学气相淀积因为其在接触孔/通孔填充中出色的台阶覆盖能力而在半导体工业中被广泛应用,在量产中经常会出现监控片的方块电阻均匀性超规格。本文主要研究了加热器、气体输送、氟化铝、机械传片定位、真空微漏等因素对方块电阻均匀性的影响,特别周期性等离子清洗产生的氟化铝对晶圆边缘的抑制反应是影响腔体维护频率的主要原因,并提出改善均匀性的有效办法。     

晶硅太阳电池低压扩散工艺优化研究

随着高效晶硅太阳电池技术的发展,低压扩散工艺以其均匀性好,产量大,成本低的优势,成为未来发展的主要方向。对低压扩散工艺进行优化研究可以提高扩散均匀性,从而提升晶硅电池光电转换效率。     

300mm铜膜低压CMP速率及一致性

随着铜互连结构中低k介质的应用,要求CMP抛光过程中必须将压力减小到6.89 kPa以下,传统的化学机械抛光已不符合当前的工艺要求,如何兼顾超低压力下抛光速率和速率一致性成为关键问题.对300 mm Blanket铜膜进行了低压化学机械抛光实验,分析研究了碱性抛光液组分及抛光工艺参数对铜膜去除速率及其一致性的影响.通过...     

新型片状磷平面扩散源的应用研究

分析了新型片状固态磷平面扩散源(PDS)的掺杂机理,并与液态POCl3源扩散进行了比较,指出可用片状固态磷PDS来替代POCl3实现磷扩散工艺的预沉积。基于PDS预沉积的实验结果,分析了影响方块电阻大小及其均匀性的关键因素,给出了工艺方案,并通过实际产品的电学参数测量结果验证了工艺方案的可行性,可供新型片状磷PDS在大直径硅扩散工艺中的推广使用参考。     

微区电阻测试方法及新测试仪研制

文章对国内外开展微区薄层电阻测试的方法进行了综述，特别对改进范德堡四探针技术方法的测试原理、测试过程与测试结果进行了论述与分析，对微区电阻测试方法的进一步发展提出了一种可操作的方法，并研制出新型四探针测试样机。     

硼离子注入退火过程对表面迁移率及薄层电阻的影响

本文利用与退火条件有关的离子注入杂质分布,得到了在硅中硼离子注入退火条件对载流子表面迁移率的影响。还得到了硼离子注入薄层电阻与注入条件及退火情况的关系。在这些关系中,注入剂量对迁移率及薄层电阻有最主要的影响。这些结果可在设计和制造VLSI中用以确定工艺条件。     

接触热阻对薄板零件表面激光淬火温度场形成影响研究

激光淬火工艺具有节能环保、质量高的优点。研究薄板零件激光淬火时所形成的温度场对将激光淬火应用于薄板零件表面强化的实际工作中具有重要的作用。本文通过对45钢和铸铁HT250之间接触面的接触热阻进行实验测试,通过数据分析得出了相应的接触热阻经验关系式。利用Abaqus软件模拟薄板表面激光淬火,其中将实验所得的接触热阻经验关系式代入,得到了相应薄板表面淬火温度场。通过与不考虑接触热阻的零件表面淬火温度场仿真结果进行对比,得出了接触热阻对薄板零件表面激光淬火所形成的温度场的影响。研究成果可对薄板表面激光淬火工艺应用于实践提供指导。     

低能量激光治疗脱发及其相互作用机理研究

低能量激光对生物组织有好的生物效应,因此可以利用低能量激光对人体的相关穴位或者病灶进行照射产生积极的生物效应,以达到治疗的效果.采用波长为600～800 nm之间的半导体激光器(LD)设计了适合头部照射的治疗仪器,通过将近1年的实际治疗发现,这种激光照射穴位和病灶的理疗治疗方法能够达到一定的治疗效果.     

用速率方程理论研究低压测量对激光诱导荧光探测OH自由基的影响

本文用速率方程理论导出了用激光诱导荧光法探测OH自由基时激光本身产生的自由基浓度,讨论了该浓度与气压的关系,并对低气压测量时,荧光强度的变化进行了定性的研究,结论与他人的实验结果是一致的。